本实用新型专利技术涉及电子元器件技术领域，特别是一种大功率半导体元件贴片封装结构；半导体元件放置于一带开口的容腔内，第一引脚和第二引脚分别与所述半导体元件电连接且分别延伸至所述容腔的开口的上方，所述第一引脚和所述第二引脚互不相连接；通过把半导体元件密闭于一容腔内做成贴片封装的形式，同传统的直插零件相比，一方面，其功率等技术性能指标能达到直插零件的水平，另一方面，在使用时，通过采用自动化贴片设备进行贴片生产能有效提高组装效率。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及电子元器件
，特别是一种大功率半导体元件贴片封装结构；半导体元件放置于一带开口的容腔内，第一引脚和第二引脚分别与所述半导体元件电连接且分别延伸至所述容腔的开口的上方，所述第一引脚和所述第二引脚互不相连接；通过把半导体元件密闭于一容腔内做成贴片封装的形式，同传统的直插零件相比，一方面，其功率等技术性能指标能达到直插零件的水平，另一方面，在使用时，通过采用自动化贴片设备进行贴片生产能有效提高组装效率。【专利说明】大功率半导体元件贴片封装结构
本技术涉及电子元器件
，特别是一种大功率半导体元件贴片封装结 构。
技术介绍
传统硅材料芯片贴片的保护元件一般都是S0D-123, SMA，SMB, SMC等封装形态，其 能承受的功率一般只有200W、400W、600W、1000W、1. 5KW、3KW，最高为6. 6KW，电流一般只有 从几十安培到几百安培不等；而传统直插的保护元件可以达到几十KW甚至更高，电流可以 达到几千安培甚至到几十千安培。 传统金属氧化物材料贴片的保护元件一般都是0402、0603、4532、2220、3220等， 其能承载的功率及耐受电流能力都只能达到从几十安培到几百安培水平，这些都只能防止 一些较低的脉冲浪涌及过电压保护，而传统直插的零件可以达到上千安培甚至到几十千安 培。 以上很明显的发现贴片零件技术性能指标远远落后于直插零件的水平，而贴片零 件要达到同等规格直插零件技术性能指标水平还有很长的一段路要走，然而市场对高性能 自动化贴片需求以渐形成趋势。因此设计一款大功率型半导体贴片保护元件在现阶段尤为 重要。
技术实现思路
本技术为了解决传统功率型保护器件贴片封装形态功率远远低于直插零件 的问题而提供的一种大功率半导体元件贴片封装结构。 为达到上述功能，本技术提供的技术方案是： -种大功率半导体元件贴片封装结构，半导体元件放置于一带开口的容腔内，第 一引脚和第二引脚分别与所述半导体元件电连接且分别延伸至所述容腔的开口的上方，所 述第一引脚和所述第二引脚互不相连接。 优选地，所述半导体元件通过环氧树脂密封在所述容腔内。 优选地，所述第一引脚和所述第二引脚延伸到所述容腔外的部分处于同一平面 上。 优选地，所述的半导体元件包括一个以上的半导体芯片，半导体芯片为硅材料芯 片的瞬态抑制二极管TVS Diodes、硅雪崩二极管ABD、晶闸体抑制管TSS或为金属氧化物材 料芯片的压敏电阻MOV。 toon] 优选地，所述半导体芯片通过焊料或导热电极材料组合而成。 本技术的有益效果在于：一种大功率半导体元件贴片封装结构，半导体元件 放置于一带开口的容腔内，第一引脚和第二引脚分别与所述半导体元件电连接且分别延伸 至所述容腔的开口的上方，所述第一引脚和所述第二引脚互不相连接；通过把半导体元件 密闭于一容腔内做成贴片封装的形式，同传统的直插零件相比，一方面，其功率等技术性能 指标能达到直插零件的水平，另一方面，在使用时，通过采用自动化贴片设备进行贴片生产 能有效提1?组装效率。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术的结构示意图； 图2为半导体元件的结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图1和附图2对本技术作进一步阐述： 如图1所示的一种大功率半导体元件贴片封装结构，半导体元件1放置于一带开 口的容腔2内，第一引脚3和第二引脚4分别与半导体元件1电连接且分别延伸至容腔2的 开口的上方，第一引脚3和第二引脚4互不相连接。半导体元件1通过环氧树脂密封在容 腔2内。为了减少本技术的体积，容腔2的形状与半导体元件1的形状相配合。在本 实施例中，第一引脚3呈长方形状，第一引脚3的下端部与半导体元件1的上端面电连接， 第一引脚3的上端部略高于容腔2的上表面；第二引脚4的下端部与半导体元件1的下端 面电连接，第二引脚4的下端部弯曲延伸到容腔2的开口上方且具有一水平部，该水平部与 第一引脚3的上端面处于同一水平面上。 在生产的过程中，半导体元件1包括半导体芯片5,半导体芯片5可采用硅材料芯 片的瞬态抑制二极管TVS Diodes、硅雪崩二极管ABD、晶闸体抑制管TSS或为金属氧化物材 料芯片的压敏电阻MOV等。硅材料芯片或金属氧化物材料芯片通过焊料或导热电极材料组 合而成。 在本实施例中，如图2所示，半导体元件1包括两片的半导体芯片5,两片半导体芯 片5之间通过导热电材料6连接，第一引脚3、第二引脚4与半导体芯片5之间通过焊料进 行焊接。半导体芯片5的数量可根据不同的电压规格或技术性能指标进行适当地增减。 以上所述实施例，只是本技术的较佳实例，并非来限制本技术的实施范 围，故凡依本技术申请专利范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均应 包括于本技术专利申请范围内。【权利要求】1. 一种大功率半导体元件贴片封装结构，其特征在于：半导体元件放置于一带开口的 容腔内，第一引脚和第二引脚分别与所述半导体元件电连接且分别延伸至所述容腔的开口 的上方，所述第一引脚和所述第二引脚互不相连接。2. 如权利要求1所述的大功率半导体元件贴片封装结构，其特征在于：所述半导体元 件通过环氧树脂密封在所述容腔内。3. 如权利要求1所述的大功率半导体元件贴片封装结构，其特征在于：所述第一引脚 和所述第二引脚延伸到所述容腔外的部分处于同一平面上。4. 如权利要求1所述的大功率半导体元件贴片封装结构，其特征在于：所述的半 导体元件包括一个以上的半导体芯片，半导体芯片为硅材料芯片的瞬态抑制二极管TVS Diodes、硅雪崩二极管ABD、晶闸体抑制管TSS或为金属氧化物材料芯片的压敏电阻MOV。5. 如权利要求4所述的大功率半导体元件贴片封装结构，其特征在于：所述半导体芯 片通过焊料或导热电极材料组合而成。【文档编号】H01L23/498GK203882992SQ201420140737【公开日】2014年10月15日 申请日期:2014年3月26日 优先权日:2014年3月26日 【专利技术者】周云福, 舒魏, 王祖江 申请人:广东百圳君耀电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种大功率半导体元件贴片封装结构，其特征在于：半导体元件放置于一带开口的容腔内，第一引脚和第二引脚分别与所述半导体元件电连接且分别延伸至所述容腔的开口的上方，所述第一引脚和所述第二引脚互不相连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周云福，舒魏，王祖江，
申请(专利权)人：广东百圳君耀电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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