监控图形晶片栅极氧化层表面的方法技术

本发明专利技术的监控图形晶片栅极氧化层表面的方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有一栅极氧化层；探测所述栅极氧化层上多个格点的表面信息，得到所述表面信息的分布、平均值和标准偏差；以及根据所述表面信息的平均值和标准偏差，判断所述栅极氧化层的生长工艺是否稳定。所述表面信息为功函数和/或表面电势。本发明专利技术监控图形晶片栅极氧化层表面的方法，使用电学检测的方法，检测栅极氧化层表面的功函数和表面电势，检测的表面信息既可以用于栅极氧化层的日常监控，也可以用于快递筛选具备优异品质的栅极氧化层的图形晶片，弥补了传统检测方法的不足。

【技术实现步骤摘要】
监控图形晶片栅极氧化层表面的方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种监控图形晶片栅极氧化层表面的方法。
技术介绍
随着超大规模集成电路(VLSI)和特大规模集成电路(ULSI)的飞速发展，MOS器件的尺寸不断地减小。为增加器件的反应速度、提高驱动电流与存储电容的容量，器件中栅极氧化层的厚度不断地降低。然而，随之而来的两个问题成为了阻碍集成电路进一步发展的重要因素：击穿和漏电。在器件尺寸等比例缩小的同时，工作电压却没有相应地等比缩小，从而使薄栅极氧化层中的电场强度增大，器件的击穿电压降低；另一方面，栅极氧化层中存在缺陷、表面不均匀等，会出现局部电场集中，容易产生内部放电而形成许多导电通道，同样降低击穿电压。而漏电流的产生往往与栅极氧化层中的带电杂质有关。在栅极氧化层中存在正电荷的情况下，当栅极氧化层厚度不均匀时，在较薄区域内的局部电场很强，使得势垒尖端的厚度变薄，在负栅电压时即会产生隧道电流(电子从多晶硅或者金属栅极流向半导体)，从而形成漏电流。由于对栅极氧化层品质的要求提高，传统的监控栅极氧化层的方式已经不能满足超大规模集成电路和特大规模集成电路的需求。例如，一种传统的监控栅极氧化层的方式是测量无图形晶片的表面电荷和扩散长度(DiffusionLength)；或是使用光学的方法检测图形晶片(PatternWafer)的表面缺陷。由于传统检测方法的局限性，图形片的表面微观性质无法被监测，不能完全监控栅极氧化层的品质变化，因此，提供一种监控图形晶片栅极氧化层表面的方法是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种监控图形晶片栅极氧化层表面的方法，解决现有技术中检测方法的局限性。为了达到上述目的，本专利技术提供一种监控图形晶片栅极氧化层表面的方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有一栅极氧化层，所述半导体衬底包括N阱、P阱、输入/输出阱以及浅沟槽隔离结构，所述栅极氧化层包括一第一栅极氧化层和一第二栅极氧化层，所述第一栅极氧化层覆盖所述输入/输出阱，所述第二栅极氧化层覆盖所述N阱和所述P阱；探测所述栅极氧化层上多个格点的表面信息，得到所述表面信息的分布、平均值和标准偏差；以及根据所述表面信息的平均值和标准偏差，判断所述栅极氧化层的生长工艺是否稳定。进一步的，探测所述栅极氧化层上多个格点的表面信息，得到所述表面信息的分布、平均值和标准偏差的具体步骤包括：在所述栅极氧化层表面选定多个格点；测定每一格点的所述表面信息；得到所述栅极氧化层的所述表面信息的分布；根据所述表面信息的分布获得所述表面信息的平均值和标准偏差。进一步的，判断所述栅极氧化层的生长工艺是否稳定的具体步骤为：预先设定第一参考范围、第二参考范围；判断所述表面信息的平均值是否在所述第一参考范围的范围内，同时判断所述表面信息的标准偏差是否在所述第二参考范围的范围内；所述表面信息的平均值在所述第一参考范围的范围内，并且所述表面信息的标准偏差在所述第二参考范围的范围内，判断所述栅极氧化层生长工艺稳定，否则，所述栅极氧化层生长工艺不稳定。进一步的，所述第一参考范围、第二参考范围依据所述栅极氧化层完整性设定。进一步的，所述表面信息包括功函数和/或表面电势。进一步的，所述第一栅极氧化层的厚度为所述第二栅极氧化层的厚度为与现有技术相比，本专利技术提供的监控图形晶片栅极氧化层表面的方法具有如下有益效果：本专利技术提供的监控图形晶片栅极氧化层表面的方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有一栅极氧化层；探测所述栅极氧化层上多个格点的表面信息，得到所述表面信息的分布、平均值和标准偏差；以及根据所述表面信息的平均值和标准偏差，判断所述栅极氧化层的生长工艺是否稳定。所述表面信息为功函数和/或表面电势。本专利技术监控图形晶片栅极氧化层表面的方法，使用电学检测的方法，检测栅极氧化层表面的功函数和表面电势，检测的表面信息既可以用于栅极氧化层的日常监控，也可以用于快递筛选具备优异品质的栅极氧化层的图形晶片，弥补了传统检测方法的不足。附图说明图1为本专利技术一实施例中监控图形晶片栅极氧化层表面的方法的流程图；图2为本专利技术一实施例中监控图形晶片第二栅极氧化层表面的方法示意图；图3为本专利技术一实施例中判断第二栅极氧化层生长工艺是否稳定的流程图。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的监控图形晶片栅极氧化层表面的方法进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本专利技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。本专利技术的核心思想在于，提供的监控图形晶片栅极氧化层表面的方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有一栅极氧化层；探测所述栅极氧化层上多个格点的表面信息，得到所述表面信息的分布、平均值和标准偏差；以及根据所述表面信息的平均值和标准偏差，判断所述栅极氧化层的生长工艺是否稳定。所述表面信息为功函数和/或表面电势。本专利技术监控图形晶片栅极氧化层表面的方法，使用电学检测的方法，检测栅极氧化层表面的功函数和表面电势，检测的表面信息既可以用于栅极氧化层的日常监控，也可以用于快递筛选具备优异品质的栅极氧化层的图形晶片，弥补了传统检测方法的不足。具体的，结合上述核心思想，本专利技术提供的监控图形晶片栅极氧化层表面的方法，具体流程图请参考图1，其包括如下步骤为：执行步骤S1，提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有一栅极氧化层。在所述步骤S1中，参考图2所示，所述半导体衬底40包括N阱41、P阱42、输入/输出阱43，浅沟槽隔离结构44，所述栅极氧化层包括一第一栅极氧化层31和一第二栅极氧化层32，所述第一栅极氧化层31覆盖所述输入/输出阱43，所述第二栅极氧化层覆盖所述N阱41和所述P阱42。所述第一栅极氧化层31的厚度为所述第二栅极氧化32层的厚度为在本实施例中，以检测所述第二栅极氧化层32生长工艺是否稳定为例具体说明，以所述第二栅极氧化层32的厚度为为例进行说明。检测所述第一栅极氧化层31的方法与检测所述第二栅极氧化层32的方法基本相同，在此不再赘述。。执行步骤S2，探测所述第二栅极氧化层上多个格点的表面信息，得到所述表面信息的分布、平均值和标准偏差。在所述步骤S2中，得到所述表面信息的分布、平均值和标准偏差的具体步骤包括：参考图2所示，在所述第二栅极氧化层32表面选定多个格点；测定每一格点的所述表面信息20；得到所述第二栅极氧化层32的所述表面信息20的分布；根据所述表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种监控图形晶片栅极氧化层表面的方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有一栅极氧化层，所述半导体衬底包括N阱、P阱、输入/输出阱以及浅沟槽隔离结构，所述栅极氧化层包括一第一栅极氧化层和一第二栅极氧化层，所述第一栅极氧化层覆盖所述输入/输出阱，所述第二栅极氧化层覆盖所述N阱和所述P阱；探测所述栅极氧化层上多个格点的表面信息，得到所述表面信息的分布、平均值和标准偏差；以及根据所述表面信息的平均值和标准偏差，判断所述栅极氧化层的生长工艺是否稳定。

【技术特征摘要】
1.一种监控图形晶片栅极氧化层表面的方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有一栅极氧化层，所述半导体衬底包括N阱、P阱、输入/输出阱以及浅沟槽隔离结构，所述栅极氧化层包括一第一栅极氧化层和一第二栅极氧化层，所述第一栅极氧化层覆盖所述输入/输出阱，所述第二栅极氧化层覆盖所述N阱和所述P阱；探测所述栅极氧化层上多个格点的表面信息，得到所述表面信息的分布、平均值和标准偏差；以及根据所述表面信息的平均值和标准偏差，判断所述栅极氧化层的生长工艺是否稳定，判断所述栅极氧化层的生长工艺是否稳定的具体步骤为：预先设定第一参考范围、第二参考范围；判断所述表面信息的平均值是否在所述第一参考范围的范围内，同时判断所述表面信息的标准偏差是否在所述第二参考范围的范围内；所述表面信息的平均值在所述第一参考范围的范围内，并且所述表面信息的标准偏差在所述第二参...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖天金，温振平，康俊龙，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31