去耦合组件制造技术

本发明专利技术涉及一种去耦合组件，包括：导线架以及至少一电容单元组。导线架包括：一阴极端子部，及位于阴极端子部的两端而彼此相对的至少两个阳极端子部，两个阳极端子部是利用导电线而彼此电性相连。电容单元组包含多个电容单元，该电容单元组的多个电容单元相互并联，多个电容单元是位于同一平面上排列且设置在导线架上，每一电容单元具有彼此相对的一阴极部与一阳极部，电容单元的阴极部电性连接到阴极端子部，电容单元的阳极部电性连接到阳极端子部，该电容单元组为多层时，所述电容单元组是以堆栈方式排列。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种去耦合组件，包括：导线架以及至少一电容单元组。导线架包括：一阴极端子部，及位于阴极端子部的两端而彼此相对的至少两个阳极端子部，两个阳极端子部是利用导电线而彼此电性相连。电容单元组包含多个电容单元，该电容单元组的多个电容单元相互并联，多个电容单元是位于同一平面上排列且设置在导线架上，每一电容单元具有彼此相对的一阴极部与一阳极部，电容单元的阴极部电性连接到阴极端子部，电容单元的阳极部电性连接到阳极端子部，该电容单元组为多层时，所述电容单元组是以堆栈方式排列。【专利说明】去耦合组件 本申请是分案申请，原申请的申请日为：2010年12月31日； 申请号为：201010623837. 3 ; 专利技术名称为：去耦合组件。
本专利技术涉及一种去耦合组件，且特别涉及一种滤波效能良好且制造工艺简单的去 耦合组件。
技术介绍
固态电解电容器具有小尺寸、大电容量、频率特性优越等优点，而可使用于中央处 理器（CPU)的电源电路的去稱合（Decoupling)作用上。 -般而言，可在导线架上堆栈多个电容单元来形成具有高电容量的固态电解电容 器。以三极式去耦合组件为例，可分为贯通型去耦合组件以及交互堆栈型去耦合组件。 所谓的贯通型去耦合组件是：导线架具有两个阳极端子部、及位于两个阳极端子 部之间的阴极端子部。电容单元则使用贯通型电容单元，即阀金属层贯穿电容单元的内部 而延伸出电容单元的两端。将多个贯通型电容单元直接堆栈于导线架上，使两端的阀金属 层（即阳极部）电性连接到导线架两端的阳极端子部，且电容单元的阴极部电性连接到导 线架的阴极端子部。 所谓的交互堆栈型去耦合组件是：导线架具有两个阳极端子部、及位于两个阳极 端子部之间的阴极端子部。电容单元则使用片状型电容单元，每一片状电容单元具有彼此 相对的一个阴极部与一个阳极部。电容单元堆栈于导线架上，且电容单元的堆栈方式是：以 电容单元的阴极部为对称中心使片状电容单元交替堆栈、且阳极部以一左一右的方式而设 置。并且，使阴极部与阴极端子部电性连接，阳极部与阳极端子部电性连接。 然而，上述的贯通型去耦合组件的贯通型电容的制作过程较为复杂，不利于降低 贯通型去耦合组件的制作成本。再者，交互堆栈型去耦合组件的电容单元之堆栈方式容易 造成堆栈错位，而使交互堆栈型去耦合组件的制作合格率较低。
技术实现思路
有鉴于此，为了解决上述问题，本专利技术的目的在于提供一种去耦合组件，制造工艺 较为简单，且该去耦合组件的多个电容单元的堆栈方式相当容易。 本专利技术提出一种去耦合组件，包括：导线架、绝缘层以及至少一电容单元组。导线 架包括：一阴极端子部，及位于阴极端子部的两端而彼此相对的至少两个阳极端子部，两个 阳极端子部是利用导电线而彼此电性相连，阴极端子部具有一空隙，且导电线设置于空隙 中。绝缘层设置于导电线上方，绝缘层使阴极端子部与阳极端子部彼此电性绝缘。电容单 元组包含多个电容单元，该电容单元组的多个电容单元以N个为一组且相互并联的方式电 性连接，其中N为偶数，电容单元是以数量N个位于同一平面上排列且设置在导线架上，每 一电容单元具有彼此相对的一阴极部与一阳极部，电容单元的阴极部覆盖该阴极端子部的 所有面积，且设置于绝缘层上，电容单元的阴极部电性连接到阴极端子部，电容单元的阳极 部设置于阳极端子部上，且电容单元的阳极部以并联方式电性连接到阳极端子部。 在本专利技术的一实施例中，上述的电容单元的数量N为2或4。 在本专利技术的一实施例中，上述的电容单元组为多层时，电容单元组是以堆栈方式 排列，且电容单元的该阳极部以相同的方向垂直堆迭延伸，其中相对应的阴极部为彼此相 邻，相对应的阳极部为彼此远离。 在本专利技术的一实施例中，上述的去耦合组件还包括：多个导电间隙物，位于彼此堆 栈的电容单元组的电容单元的阳极部之间。 在本专利技术的一实施例中，上述的导电线为连续弯曲结构。 在本专利技术的一实施例中，上述的去耦合组件还包括一具有电感特性的组件，串联 或并联于导电线。 在本专利技术的一实施例中，上述的阴极端子部还包括：一粗糙化结构，位于阴极端子 部的表面。 在本专利技术的一实施例中，上述的去耦合组件还包括：一封装树脂，部分包覆所述电 容单元以及导线架，封装树脂露出阴极端子部与阳极端子部的底面。 在本专利技术的一实施例中，上述的阴极端子部与阳极端子部还包括：一嵌接结构，设 置于阴极端子部的边缘以及阳极端子部的边缘，且嵌接结构卡合于封装树脂中。 在本专利技术的一实施例中，上述的封装树脂完全包覆导电线、或露出部分导电线。 在本专利技术的一实施例中，上述的去耦合组件还包括：彼此相对的第一盖体以及第 二盖体，第一盖体与第二盖体包覆多个电容单元，且第一盖体露出阴极端子部与阳极端子 部的底面。 在本专利技术的一实施例中，上述的阴极端子部与阳极端子部还包括：一嵌接结构，设 置于阴极端子部的边缘以及阳极端子部的边缘，且嵌接结构卡合于第一盖体。 在本专利技术的一实施例中，上述的去耦合组件还包括：至少一陶瓷电容，并联于阴极 端子部与阳极端子部之间。 在本专利技术的一实施例中，上述的去耦合组件还包括：一电磁波阻隔板，覆盖于电容 单元的上方。 在本专利技术的一实施例中，上述的电磁波阻隔板与电容单元为电性连接。 在本专利技术的一实施例中，上述的每一电容单兀包括：阀金属层、介电层、导电高分 子层以及阴极导电层。介电层形成于阀金属层上。导电高分子层形成于介电层上。阴极导 电层形成于导电高分子层上。 在本专利技术的一实施例中，上述的每一电容单元为钽质电容的电容单元，阀金属层 为钽金属，介电层为钽氧化物，阴极导电层为碳胶-银胶混合物，其中，阳极部至少包括一 延伸导电线，电性连接于阳极端子部。 在本专利技术的一实施例中，上述的去耦合组件还包括：一绝缘层，设置于导电线上 方，绝缘层使阴极端子部与阳极端子部彼此电性绝缘。 在本专利技术的一实施例中，上述的多个电容单元于一设定方向上排列，且相邻两个 电容单元的阳极部以预定的间隔数D而彼此交错设置，D大于等于1。 基于上述，本专利技术的去耦合组件采用多个电容单元在同一平面排列且彼此并联的 方式，来进行电容单元于导线架上的堆栈。如此一来，可有效降低等效串联电阻、且制造工 艺非常简单。另外，本专利技术的去耦合组件可设计导线架与电容单元的排列方式以形成多端 子结构，以降低等效串联电感。再者，利用于去耦合组件的两个阳极部之间形成的传输线结 构，传输线结构在高频运作时可产生电感、而电感与电容会形成等效滤波电路。 为让本专利技术之上述特征和优点能还明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式 作详细说明如下。 【专利附图】【附图说明】 图1A?图1C为本专利技术实施例的一种去耦合组件的导线架与电容单元的示意图； 图2A与图2B分别为本专利技术实施例的一种去耦合组件及其等效电路的示意图，其 中，在同一平面上排列的电容单元设置于导线架上； 图3为本专利技术实施例的另一种去耦合组件的示意图； 图4为本专利技术实施例的又一种去耦合组件的剖面示意图，图4的剖面是由图2A的 B-B'线方向来观看而得； 图5为本专利技术另一实施例的去耦合组件的示意图，其中省本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去耦合组件，其特征在于，包括：一导线架，包括：一阴极端子部，及位于该阴极端子部的两端而彼此相对的至少两个阳极端子部，该两个阳极端子部是利用一导电线而彼此电性相连，该阴极端子部具有一空隙，且该导电线设置于该空隙中；一绝缘层，设置于该导电线上方，该绝缘层使该阴极端子部与所述阳极端子部彼此电性绝缘；以及至少一电容单元组，包含多个电容单元，该电容单元组的所述电容单元以N个为一组且相互并联的方式电性连接，其中N为偶数，所述电容单元是以数量N个位于同一平面上排列且设置在该导线架上，每一所述电容单元具有彼此相对的一阴极部与一阳极部；所述电容单元的阴极部覆盖该阴极端子部的所有面积，且设置于该绝缘层上，所述电容单元的阴极部电性连接到该阴极端子部，所述电容单元的阳极部设置于该阳极端子部上，且所述电容单元的阳极部以并联方式电性连接到该阳极端子部。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑丞良，潘苡秀，郑宇庭，蔡丽端，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71