晶圆缺陷尺寸校正方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆缺陷尺寸校正方法，利用缺陷观察设备观察、量取缺陷尺寸比较准确的优点，在缺陷观察设备对选取的若干缺陷的尺寸进行量取后，与缺陷检测设备建立联动，并建立相应的缺陷校正关系，自动校正缺陷检测设备对缺陷尺寸定义的准确性，使得由缺陷检测设备测得的缺陷尺寸分布的准确性大大提高，同时又缩短了全部通过缺陷观察设备量取尺寸的大量时间，有利于大量工程数据的分析，在没有进行缺陷形貌分析前，就可以对晶圆上的缺陷尺寸分布有较好的掌握。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种，利用缺陷观察设备观察、量取缺陷尺寸比较准确的优点，在缺陷观察设备对选取的若干缺陷的尺寸进行量取后，与缺陷检测设备建立联动，并建立相应的缺陷校正关系，自动校正缺陷检测设备对缺陷尺寸定义的准确性，使得由缺陷检测设备测得的缺陷尺寸分布的准确性大大提高，同时又缩短了全部通过缺陷观察设备量取尺寸的大量时间，有利于大量工程数据的分析，在没有进行缺陷形貌分析前，就可以对晶圆上的缺陷尺寸分布有较好的掌握。【专利说明】
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆缺陷尺寸的校正方法。
技术介绍
-颗芯片的制作工艺往往包含几百步的工序，主要的工艺模块可以分为光刻、刻 蚀、离子注入、薄膜生长和清洗等几大部分，在实际的生产过程中任何环节的微小错误都将 导致整个芯片最终电学性能的失效。特别是随着电路关键尺寸的不断缩小，其对工艺控制 的要求就越来越严格，所以，为能在实际生产过程中及时发现和解决问题，都需要配置有高 灵敏度光学和电子束的缺陷检测设备对产品进行在线检测，然后，再通过电子显微镜等缺 陷观察设备对缺陷进行成像和元素成分的分析。 光学缺陷检测的基本工作原理是将芯片上的光学图像转换化成为由不同亮暗灰 阶表示的数据图像，图1表示为将一个光学显微镜下获得的图像转换成为数据图像特征的 过程，再通过相邻芯片上的数据图形特征的比较来检测有异常的缺陷所在位置。电子束缺 陷检测的原理也同样是将设备获得的电子信号转换为有亮暗的数据图，然后再进行比较来 确定缺陷的位置。 检测设备捕获到的缺陷往往包含很多特征信号，如亮暗、大小、位置和形状等，特 别是缺陷大小对于缺陷的成因分析和其对产品性能的影响是非常重要的。 然而，在实际的芯片上，由于不同图形结构的对检测光源信号有着不同的影响，往 往获得的缺陷的图形数据是比较粗糙的。图2是将一块芯片通过缺陷检测设备得到的缺陷 尺寸的分布图，而进行将这块芯片通过电子显微镜（缺陷观察设备）的形貌分析最终的分 布则如图3所示，可见两者的缺陷尺寸分布存在较大差别，证明缺陷检测设备得到的缺陷 尺寸分布数据的实际准确性较低。 因此，如何在晶圆的缺陷检测设备上直接就获得相对比较准确的缺陷尺寸分布， 对于大规模的生产过程的效率和质量控制都是非常重要的，而这也是本领域技术人员亟待 解决的技术问题之一。
技术实现思路
为了实现本专利技术的专利技术目的，本专利技术提供一种，用来解决 现有技术无法通过缺陷检测设备获得准确缺陷尺寸分布的问题。 本专利技术提供的包括以下步骤： 步骤S01，提供一待检测晶圆； 步骤S02,通过缺陷检测设备，对该晶圆的需检测区域进行缺陷检测，并选取若干 检测到的缺陷，量取得到该选取的若干缺陷的第一尺寸； 步骤S03,通过缺陷观察设备，对该需检测区域进行缺陷形貌观察，并量取得到该 选取的若干缺陷的第二尺寸； 步骤S04,以该第二尺寸为基准，得到该若干缺陷的第一尺寸的校正值； 步骤S05,将该校正值应用于该缺陷检测设备检测该晶圆或其他晶圆得到的缺陷 尺寸中。 进一步地，步骤S04包括将该若干缺陷按照其第一尺寸的不同尺寸区间分为若干 档次，将该若干档次分别以该第二尺寸为基准，得到每个档次的第一尺寸校正值；步骤S05 包括将该每个档次的校正值分别应用于该晶圆或其他晶圆按同尺寸区间划分的缺陷尺寸 中。 进一步地，步骤S04还包括步骤S041，选取另外至少一个晶圆并重复步骤S01至步 骤S04,得到多个晶圆的校正值。 进一步地，步骤S05包括将该多个校正值进行平均数处理，并应用于该晶圆或其 他晶圆得到的缺陷尺寸中。 进一步地，步骤S05包括将该多个校正值中的同尺寸区间校正值进行平均数处 理，并应用于该晶圆或其他晶圆按同尺寸区间划分的缺陷尺寸中。 进一步地，该校正值为第一尺寸与第二尺寸的差值平均数。 进一步地，该校正值为第一尺寸与第二尺寸的差值加权平均数。 进一步地，步骤S04还包括将得到的校正值存储于数据库中；步骤S05包括该缺陷 检测设备检测该晶圆或其他晶圆时，调用该数据库中的校正值并应用于其得到的缺陷尺寸 中。 进一步地，步骤S05中为应用于与该待测晶圆同工艺的晶圆。 进一步地，该第一尺寸和第二尺寸为缺陷X方向和y方向中的最大尺寸或为缺陷 X方向最大尺寸与y方向最大尺寸的乘积。 进一步地，该需检测区域位于晶圆表面，该缺陷检测设备为光学缺陷检测设备，该 缺陷观察设备为扫描电镜。 本专利技术的，利用缺陷观察设备（如扫描电镜等电子显微 镜）观察、量取缺陷尺寸比较准确的优点，在缺陷观察设备对选取的若干缺陷的尺寸进行 量取后，与缺陷检测设备建立联动，并建立相应的缺陷校正关系，自动校正缺陷检测设备对 缺陷尺寸定义的准确性，使得由缺陷检测设备测得的缺陷尺寸分布的准确性大大提高，同 时又缩短了全部通过缺陷观察设备量取尺寸的大量时间，有利于大量工程数据的分析，在 没有进行缺陷形貌分析前，就可以对晶圆上的缺陷尺寸分布有较好的掌握。 【专利附图】【附图说明】 为能更清楚理解本专利技术的目的、特点和优点，以下将结合附图对本专利技术的较佳实 施例进行详细描述，其中： 图1是现有电路光学图像转换成为数据灰阶图像的示意图； 图2是将一块芯片通过缺陷检测设备得到的缺陷尺寸分布图； 图3将图2所用芯片通过电子显微镜形貌分析得到的缺陷尺寸分布图； 图4是本专利技术缺陷的流程示意图； 图5是本专利技术一实施例中一个缺陷在缺陷检测设备中的数据信号图； 图6是图5中的缺陷在电子显微镜下的尺寸示意图； 图7是本专利技术另一实施例的系统示意图。 【具体实施方式】 请参阅图4,本实施例的包括以下步骤： 步骤S01，提供一待检测晶圆； 步骤S02,通过缺陷检测设备，对该晶圆的需检测区域进行缺陷检测，并选取若干 检测到的缺陷，量取得到该选取的若干缺陷的第一尺寸，其中，第一尺寸是由缺陷检测设备 测量而得； 步骤S03,通过缺陷观察设备，对该需检测区域进行缺陷形貌观察，并量取得到该 选取的若干缺陷的第二尺寸，其中，第二尺寸是由缺陷观察设备测量而得； 步骤S04,以该第二尺寸为基准，得到该若干缺陷的第一尺寸的校正值，其中，分别 将该若干缺陷中每个缺陷的第一尺寸与第二尺寸一一对应比较，计算得到校正值； 步骤S05,将该校正值应用于该缺陷检测设备检测该晶圆或其他晶圆得到的缺陷 尺寸中，以使缺陷检测设备测得的该晶圆其他位置的缺陷或其他晶圆上的缺陷尺寸经过校 正，而较为准确。 通过本专利技术的，利用缺陷观察设备（如扫描电镜等电子显 微镜）观察、量取缺陷尺寸比较准确的优点，在缺陷观察设备对选取的若干缺陷的尺寸进 行量取后，与缺陷检测设备建立联动，并建立相应的缺陷校正关系，自动校正缺陷检测设备 对缺陷尺寸定义的准确性，使得由缺陷检测设备测得的缺陷尺寸分布的准确性大大提高， 同时又缩短了全部通过缺陷观察设备量取尺寸的大量时间，有利于大量工程数据的分析， 在没有进行缺陷形貌分析前，就可以对晶圆上的缺陷尺寸分布有较好的掌握。 由于缺陷在晶圆上表现为不同大小，且每个尺寸区间的缺陷数量可能差异较大， 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆缺陷尺寸校正方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，提供一待检测晶圆；步骤S02，通过缺陷检测设备，对该晶圆的需检测区域进行缺陷检测，并选取若干检测到的缺陷，量取得到该选取的若干缺陷的第一尺寸；步骤S03，通过缺陷观察设备，对该需检测区域进行缺陷形貌观察，并量取得到该选取的若干缺陷的第二尺寸；步骤S04，以该第二尺寸为基准，得到该若干缺陷的第一尺寸的校正值；步骤S05，将该校正值应用于该缺陷检测设备检测该晶圆或其他晶圆得到的缺陷尺寸中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：倪棋梁，陈宏璘，龙吟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31