一种有机电极的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种有机电极的制备方法，其中该有机电极不能直接制备在介质层或绝缘层的表面，该方法包括：在介质层或绝缘层的表面生长保护层；在该保护层表面制备有机电极。利用本发明专利技术所制备的有机电极，结构完整、稳定性好、重复率高。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，其中该有机电极不能直接制备在介质层或绝缘层的表面，该方法包括：在介质层或绝缘层的表面生长保护层；在该保护层表面制备有机电极。利用本专利技术所制备的有机电极，结构完整、稳定性好、重复率高。【专利说明】
本专利技术涉及，特别是一种不能直接制备于介质层或绝缘 层表面的有机电极的制备方法。
技术介绍
随着科学技术日新月异的发展，电子产品已经深入到我们生活工作中的方方面 面。人们对低成本、低重量、柔性、便携的电子产品的关注度越来越高。传统的基于无机半 导体材料的器件和电路很难满足这些要求，因此可以实现这些特性的基于有机半导体材料 的有机集成电路技术在这一趋势下得到了快速发展。提高有机半导体器件的性能、稳定性 和成品率，降低有机半导体器件的成本一直是该领域追求的目标。传统的无机金属电极在 有机集成电路技术中应用时存在着成本高、金属功函数与有机材料能级不匹配等问题。有 机电极的出现很好的解决了这一问题。然而，很多有机电极的制备过程会产生酸性或碱性 溶液，这些溶液会破坏某些材料介质层或绝缘层，使得有机电极不能制备在这些介质层或 绝缘层表面。 有鉴于此，探索新的有机电极制备方案，解决有机电极不能直接制备在介质层或 绝缘层表面的问题，是本专利技术的创研动机所在。
技术实现思路
(一）要解决的技术问题 本专利技术的目的是提供，以解决解决有机电极不能直接制 备在介质层或绝缘层表面的问题。 (二）技术方案 为达到上述目的，本专利技术提供了，其中该有机电极不能 直接制备在介质层或绝缘层的表面，该方法包括：在介质层或绝缘层的表面生长保护层； 在该保护层表面制备有机电极。 上述方案中，所述介质层或绝缘层采用的材料是无机材料。所述无机材料是A120 3。 上述方案中，所述保护层采用的材料是不与酸性溶液发生化学反应的无机材料或 有机物材料。所述保护层采用的材料，其端基为-0H。所述保护层采用的材料选自氧化硅 Si02、氧化铪Hf02、氧化钛Ti02或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA。 上述方案中，所述在该保护层表面制备有机电极的过程中产生酸性溶液。 上述方案中，所述有机电极是聚批咯polypyrrole。 (三）有益效果 本专利技术提供的这种有机电极的制备方法，通过在介质层或绝缘层表面生长保护 层，然后在该保护层表面制备有机电极，制得的电极具有结构完整、稳定性好、重复率高的 优点。 【专利附图】【附图说明】 图1是依照本专利技术实施例的制备有机电极的方法流程图； 图2至图3是依照本专利技术实施例的制备有机电极的工艺流程图，其中： 图2是在介质层上沉淀一层保护层示意图； 图3是在保护层上制备有机电极示意图； 其中：1_衬底，2-介质层，3-保护层，4-有机电极。 【具体实施方式】 为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照 附图，对本专利技术进一步详细说明。 如图1所示，图1是依照本专利技术实施例的制备有机电极的方法流程图，其中该有机 电极不能直接制备在介质层或绝缘层的表面，该方法包括： 步骤1 :在介质层或绝缘层的表面生长保护层； 步骤2 :在该保护层表面制备有机电极。 其中，所述介质层或绝缘层采用的材料是无机材料。所述无机材料是A120 3。所述 保护层采用的材料是不与酸性溶液发生化学反应的无机材料或有机物材料。所述保护层采 用的材料，其端基为-0H。所述保护层采用的材料选自氧化硅Si0 2、氧化铪Hf02、氧化钛Ti02 或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA。所述在该保护层表面制备有机电极的过程中产生酸性溶液。所 述有机电极是聚批咯（英文名称：polypyrrole)。 实施例1 :基于Si02保护层的有机电极制备，具体步骤如下所述： 步骤1、在A1203介质层上生长一层Si02保护层； 步骤2、在Si02保护层上进行聚吡咯电极制备。 实施例2 :基于Hf02保护层的有机电极制备，具体步骤如下所述： 步骤1、在A1203介质层上生长一层Η--2保护层； 步骤2、在Hf02保护层上进行聚吡咯电极制备。 实施例3 :基于Ti02保护层的有机电极制备，具体步骤如下所述： 步骤1、在A1203介质层上生长一层金属钛（Ti); 步骤2、将金属钛表面氧化成保护层Ti02 ; 步骤3、在Ti02保护层上进行聚吡咯电极制备。 实施例4 :基于PMMA保护层的有机电极制备，具体步骤如下所述： 步骤1、在A1203介质层上旋涂一层PMMA保护层； 步骤2、在PMMA保护层上进行聚吡咯电极制备。 以上所述的具体实施例，对本专利技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详 细说明，所应理解的是，以上所述仅为本专利技术的具体实施例而已，并不用于限制本专利技术，凡 在本专利技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保 护范围之内。【权利要求】1. ，其中该有机电极不能直接制备在介质层或绝缘层的表 面，该方法包括： 在介质层或绝缘层的表面生长保护层； 在该保护层表面制备有机电极。2. 根据权利要求1所述的有机电极的制备方法，其特征在于，所述介质层或绝缘层采 用的材料是无机材料。3. 根据权利要求2所述的有机电极的制备方法，其特征在于，所述无机材料是A1203。4. 根据权利要求1所述的有机电极的制备方法，其特征在于，所述保护层采用的材料 是不与酸性溶液发生化学反应的无机材料或有机物材料。5. 根据权利要求4所述的有机电极的制备方法，其特征在于，所述保护层采用的材料， 其端基为-0H。6. 根据权利要求4所述的有机电极的制备方法，其特征在于，所述保护层采用的材料 选自氧化硅Si02、氧化铪Hf0 2、氧化钛Ti02或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA。7. 根据权利要求1所述的有机电极的制备方法，其特征在于，所述在该保护层表面制 备有机电极的过程中产生酸性溶液。8. 根据权利要求1所述的有机电极的制备方法，其特征在于，所述有机电极是聚吡咯 polypyrrole。【文档编号】H01L51/00GK104103757SQ201310114176【公开日】2014年10月15日 申请日期:2013年4月3日 优先权日:2013年4月3日 【专利技术者】姬濯宇, 郭经纬, 王龙, 陆丛研, 王伟, 李泠, 刘明 申请人:中国科学院微电子研究所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电极的制备方法，其中该有机电极不能直接制备在介质层或绝缘层的表面，该方法包括：在介质层或绝缘层的表面生长保护层；在该保护层表面制备有机电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姬濯宇，郭经纬，王龙，陆丛研，王伟，李泠，刘明，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11