一种电容触摸屏的制作工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种电容触摸屏的制作工艺，属触摸屏领域，解决了on-cell触摸屏灵敏度不高、ITO导电膜厚度不均匀的问题。一种电容触摸屏的制作工艺，包括下述步骤，取带有彩色滤光片的液晶显示玻璃层，在彩色滤光片上沉积金属导电膜，并蚀刻过桥、引线、引点；在金属导电膜上覆盖OC绝缘层；在OC绝缘层上沉积ITO导电膜，ITO导电膜的厚度为130纳米-140纳米，蚀刻ITO图形，并与金属导电膜的过桥电连接；在ITO导电膜上固定柔性引线；使用透明光学胶将玻璃盖板贴合至ITO导电膜上，制成电容触摸屏。在on-cell电容式触摸屏中使用SITO工艺，提高了触摸屏的灵敏度，同时可保持ITO导电膜的厚度较为均匀，便于黄光制程工艺实施，提高了良品率。

【技术实现步骤摘要】
一种电容触摸屏的制作工艺
本专利技术涉及触摸屏领域，特别是一种电容触摸屏的制作工艺。
技术介绍
目前on-cell电容式触摸屏普遍采用各种单层多点电容式触摸传感器结构，都能 支持多点触摸的使用要求，但单触屏的反应速度、灵敏度有所欠缺。此外现有工艺中金属导 电膜、ΙΤ0导电膜的厚度波动范围较大，黄光制程工艺实施不便，良品率不高。
技术实现思路
本专利技术所要达到的目的是提供一种电容触摸屏的制作工艺，用于制作高灵敏度的 on-cell电容式触摸屏，且ΙΤ0导电膜的厚度波动范围小。 为了达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种电容触摸屏的制作工艺，包括 下述步骤，取带有彩色滤光片的液晶显示玻璃层，在彩色滤光片上沉积金属导电膜，并蚀刻 过桥、引线、引点；在金属导电膜上覆盖0C绝缘层；在0C绝缘层上沉积ΙΤ0导电膜，ΙΤ0导 电膜的厚度为130纳米-140纳米，蚀刻ΙΤ0图形，并与金属导电膜的过桥电连接；在ΙΤ0导 电膜上固定柔性引线；使用透明光学胶将玻璃盖板贴合至ΙΤ0导电膜上，制成电容触摸屏。 进一步的，所述金属导电膜的厚度为150纳米-200纳米。 进一步的，所述0C绝缘层的厚度为15纳米-20纳米。 进一步的，沉积所述ΙΤ0导电膜的温度为215°C _225°C。 采用上述技术方案后，本专利技术具有如下优点： 在on-cell电容式触摸屏中使用SIT0工艺，提高了触摸屏的灵敏度，同时可保持 ΙΤ0导电膜的厚度较为均匀，便于黄光制程工艺实施，提高了良品率。 【具体实施方式】 一种电容触摸屏的制作工艺，包括下述步骤，取带有彩色滤光片的液晶显示玻璃 层，在彩色滤光片上沉积金属导电膜，保持金属导电膜的厚度在150纳米-200纳米之间， 以尽量靠近175纳米为优选，并蚀刻过桥、引线、引点；在金属导电膜上覆盖0C绝缘层，保 持0C绝缘层的厚度在15纳米-20纳米，以尽量靠近17. 5纳米为优选；在0C绝缘层上使用 220°C的温度（也可以使用215°C、225°C或215°C _225°C中的其他取值）沉积ΙΤ0导电膜， 保持ΙΤ0导电膜的厚度在130纳米-140纳米之间，以尽量靠近135纳米为优选，蚀刻ΙΤ0 图形，并与金属导电膜的过桥电连接；在ΙΤ0导电膜上固定柔性引线；使用透明光学胶将玻 璃盖板贴合至ΙΤ0导电膜上，制成电容触摸屏。 在on-cell电容式触摸屏中使用SIT0工艺，提高了触摸屏的灵敏度，同时可保持 ΙΤ0导电膜的厚度较为均匀，便于黄光制程工艺实施，提高了良品率。 除上述优选实施例外，本专利技术还有其他的实施方式，本领域技术人员可以根据本 专利技术作出各种改变和变形，只要不脱离本专利技术的精神，均应属于本专利技术所附权利要求所定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容触摸屏的制作工艺，其特征在于：包括下述步骤，(A)取带有彩色滤光片的液晶显示玻璃层，在彩色滤光片上沉积金属导电膜，并蚀刻过桥、引线、引点；(B)在金属导电膜上覆盖OC绝缘层；(C)在OC绝缘层上沉积ITO导电膜，ITO导电膜的厚度为130纳米‑140纳米，蚀刻ITO图形，并与金属导电膜的过桥电连接；(D)在ITO导电膜上固定柔性引线；(E)使用透明光学胶将玻璃盖板贴合至ITO导电膜上，制成电容触摸屏。

【技术特征摘要】
1. 一种电容触摸屏的制作工艺，其特征在于：包括下述步骤， (A) 取带有彩色滤光片的液晶显示玻璃层，在彩色滤光片上沉积金属导电膜，并蚀刻过 桥、引线、引点； (B) 在金属导电膜上覆盖0C绝缘层； (C) 在0C绝缘层上沉积ITO导电膜，ITO导电膜的厚度为130纳米-140纳米，蚀刻ITO 图形，并与金属导电膜的过桥电连接； (D) 在ITO导电膜上固定柔性引线； (E) 使用透明光...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪峻铭，
申请(专利权)人：浙江金指科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33