用于形成纹理的蚀刻液制造技术

在本发明专利技术中，通过使用蚀刻液能够在晶片表面上均匀地形成稳定的良好纹理，该蚀刻液包含一水溶液，该水溶液含有(A)碱性组分和(B)膦酸衍生物或其盐。本发明专利技术提供一种用于在硅晶片上形成纹理的蚀刻液，该蚀刻液适用于利用松散磨粒系统的晶片切割的晶片和利用固定磨粒系统切割的晶片，并且在60℃至95℃的加工温度范围内添加剂组分不蒸发。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于形成纹理的蚀刻液
本专利技术涉及一种在硅基板的表面上形成被称为纹理的浮雕结构的蚀刻液。
技术介绍
对用于太阳能电池使用的结晶体硅基板被赋予进行用于减少基材表面上的光反 射率的被称为纹理处理的表面结构处理，用于减少基材表面上的光反射率，使以确保高效 的光吸收安全高效。 迄今为止，已经使用一种用氢氧化钠、氢氧化钾等的碱性溶液浸渍硅基板，以形成 金字塔状纹理结构的方法，并且已知通过在蚀刻液中使用碱性组分以外的任何其他添加 齐[J，能够形成更均匀的金字塔状纹理结构。 作为这种纹理形成蚀刻液，例如，如专利文献1所述，已知一种添加有异丙醇 (IPA)的氢氧化钠或氢氧化钾的水溶液。使用该蚀刻液时，通过在60至95°C的加热条件下， 将硅晶片在该蚀刻液中浸渍10至30分钟，来形成纹理。 上述IPA被公认为用于在硅晶片上形成金字塔状纹理的添加剂，并且使得能够以 良好的品质对晶片进行表面处理。但是，由于IPA的沸点是82. 4°C，与蚀刻处理的温度处于 同一水平，所以存在IPA在处理中蒸发，并且蚀刻液组成倾向于由此改变的问题。此外，由 于其着火点低，必须小心处理IPA。 因此，已经提出了各种IPA以外的其他添加剂，用于通过将其添加到碱性蚀刻液 来形成良好纹理。然而，目前尚未获得在纹理形成方面优异并且在使用时其浓度控制的质 量管理方面容易的令人全面满意的蚀刻液和添加剂（专利文献2至6)。 最近，用于硅晶片的切割系统已从现有的松散磨粒系统改变为固定磨粒系统，在 这些系统中，切割的晶片的表面状况不同。因此，存在用于现有松散磨料系统的蚀刻液不能 原样直接用于固定磨粒系统的问题。 现有技术文献 专利文献 专利文献 1 :jp-a-2〇oo-i83378 专利文献 2 :W〇2〇〇7/l 29555 专利文献 3 JP-A-2009-123811 专利文献 4 JP-A-2002-57139 专利文献 5 JP-A-2007-258656 专利文献 6 JP-A-2010-141139
技术实现思路
本专利技术要解决的问题 考虑到上述问题完成了本专利技术，本专利技术的目的是提供一种用于硅晶片的纹理形成 蚀刻液，该蚀刻液能够在晶片表面上形成均匀并稳定的良好纹理，并且该蚀刻液适用于利 用松散磨粒系统切割的晶片和利用固定磨粒系统切割的晶片，并且在60°C至95°C的加工 温度区域内添加剂组分不蒸发。 解决问题的手段 为解决上述问题，本专利技术的专利技术人进行了孜孜不倦地研究，结果发现，包含膦酸衍 生物的碱性溶液作为用于硅晶片的蚀刻液，在形成金字塔状纹理结构方面是优异的，并完 成了本专利技术。 S卩，本专利技术的蚀刻液是用于在硅基板的表面上形成纹理的蚀刻液，为解决上述问 题，该蚀刻液包含一水溶液，该水溶液含有（A)碱性组分和（B)膦酸衍生物或其盐。 在本专利技术的上述蚀刻液中，作为最优选的碱性组分，可以使用氢氧化钠或氢氧化 钾。 此外，优选地，碱性组分的浓度为0. 3质量％至25质量％。 此外，优选地，膦酸衍生物或其盐的浓度为0. 1质量％至25质量％。 此外，碱性组分（A)与膦酸衍生物或其盐（B)的掺混比率A/B为以质量比计0. 1 至10。 【具体实施方式】 以下对本专利技术进行详细描述。 对本专利技术使用的碱性组分没有特别限定，并且迄今为止用于硅晶片蚀刻液中的任 何一种碱性组分都能够在此处适用。其实例包括：碱金属或碱土金属的氢氧化物或其盐类， 如氢氧化钠、氢氧化钾等。由于容易得到，所以氢氧化钠是优选的。如果需要，在此处可以 组合使用这些碱性组分中的两种以上。 下一步，对作为本专利技术的添加剂的膦酸衍生物没有特别限定，并且可以是通常可 用作本领域的金属离子螯合剂中的任意一种。 膦酸衍生物的优选实例包括：由下式（1)表示的1-羟乙基-1，1-二膦酸，由下式 (2)表示的次氨基三（亚甲基膦酸），由下式（3)表示的膦酸丁烷三羧酸，由下式（4)表示 的亚烷基二胺四（亚甲基膦酸）（例如，在式（4)中，η = 2时为乙二胺四（亚甲基膦酸）， η = 6时为己二胺-四（亚甲基膦酸）），由下通式（5)表示的二亚烷基三胺五（亚甲基膦 酸）（例如，在式（5)中，η = 2时为二乙烯三胺五（亚甲基膦酸），等），及其盐类。其盐类 的实例包括碱金属盐、碱土金属盐、胺盐和铵盐。由于通常容易获得，优选使用碱金属盐如 钠盐、钾盐等。如果需要，在此处可以组合使用这些膦酸衍生物中的两种以上。 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在硅基板表面上形成纹理的蚀刻液，该蚀刻液包含：水溶液，该水溶液含有(A)碱性组分和(B)膦酸衍生物或其盐。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.02.08 JP 2012-0253871. 一种用于在娃基板表面上形成纹理的蚀刻液，该蚀刻液包含： 水溶液，该水溶液含有（A)碱性组分和（B)膦酸衍生物或其盐。2. 根据权利要求1所述的蚀刻液，其中，所述碱性组分为氢氧化钠或氢氧化钾。3. 根据权利要求1所述的蚀刻液，其中，所述碱性组分的浓度为0....

【专利技术属性】
技术研发人员：中川和典，气贺泽繁，锅岛敏一，
申请(专利权)人：第一工业制药株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP