【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种闪存存储器的形成方法，其特征在于，包括采用下列步骤形成存储单元：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有浮栅组，所述浮栅组包括两个浮栅结构以及位于浮栅结构上表面的第一侧墙，所述两个浮栅结构之间的半导体衬底具有共源区，所述共源区上具有位于所述两个浮栅结构之间的源线层，所述源线层与所述浮栅结构之间具有第二侧墙；在所述浮栅组的两侧形成绝缘层；形成字线薄膜层以覆盖所述绝缘层侧面、所述浮栅组上表面和所述源线层上表面；形成保护层以覆盖所述字线薄膜层，所述保护层具有位于平坦位置的第一厚度和位于非平坦位置的第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度；采用第一刻蚀工艺回刻蚀所述保护层和所述字线薄膜层，形成字线层，所述第一刻蚀工艺对所述字线薄膜层的刻蚀速率小于对所述保护层的刻蚀速率。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张振兴，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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