电路元件制造技术

本实用新型专利技术提供一种电路元件。本实用新型专利技术之电路元件具有透光性，包括透明基板、第一透明阻挡层、第一图案化导电层与第二导电层。透明基板具有第一表面。第一透明阻挡层配置于透明基板之第一表面上。第一图案化导电层配置于第一透明阻挡层上。第二导电层配置于透明基板之相对第一表面之一侧。本实用新型专利技术于透明基板与导电层之间，额外配置透明阻挡层，以避免蚀刻制程在图案化透明基板之一侧的导电层时，以激光或与热能损伤到位于透明基板相对一侧的另一导电层，能够有效改善蚀刻制程容易导致元件损伤的问题。

【技术实现步骤摘要】
电路元件
本技术涉及电路元件，且特别是有关于一种适于应用在触控面板之电路元 件。
技术介绍
在传统触控面板、液晶显示器、太阳能电池、特殊视窗及光电器件等透光性电路元 件中，采用激光蚀刻技术形成图案化导电膜的制作方法已被广泛应用。以制作电容式触控 面板为例，在电容式触控面板的制作过程中，需要利用溅镀法，分别在透明基板的相对两个 表面形成上层导电膜、下层导电膜，再利用激光蚀刻技术对上层导电膜与下层导电膜分别 进行图案化以形成图案化的导电层，也即触控面板的感测电极。 然而，当对位于透明基板上表面之上层导电膜进行激光蚀刻的过程中，激光或热 能很容易穿透过透明基板而损伤到位于透明基板下表面之下层导电膜，反之，当对位于透 明基板下表面之下层导电膜进行激光蚀刻时，同样上层导电膜也会受到损伤。虽然，有先前 技术则提出，可藉由调整激光聚焦镜或双面导电膜的距离，来避免导电膜受到激光或热能 的损伤。但是，对于一由些对激光及热能较为敏感的材质形成的导电膜，仍无法利用上述调 整距离的方法避免导电膜遭受激光蚀刻制程的破坏。 有鉴于此，仍有必要提出一种先进的电路元件结构，并解决双面导电膜蚀刻制程 所导致的良率下降问题。
技术实现思路
本技术提出一种电路元件，以提升导电膜蚀刻制程的元件良率。 为达上述目的或其他技术优点，本技术之一实施例提出一种电路元件，具有 透光性，包括透明基板、第一透明阻挡层、第一图案化导电层与第二导电层。上述透明基板 具有第一表面。上述第一透明阻挡层配置于第一表面上。上述第一图案化导电层配置于第 一透明阻挡层上。第二导电层配置于透明基板之相对第一表面之一侧。 综上所述，本技术于透明基板与导电层之间，额外配置透明阻挡层，以避免蚀 刻制程在图案化透明基板之一侧的导电层时，以激光或与热能损伤到位于透明基板相对一 侧的另一导电层，能够有效改善蚀刻制程容易导致元件损伤的问题。 【附图说明】 图1A至1H为根据本技术之一实施例所绘示之电路元件的制程结构剖面示意 图。 图2为根据本技术之另一实施例所绘示之电路元件之结构示意图。 图3为根据本技术之另一实施例所绘示之电路元件之结构示意图。 主要元件符号说明： 100、200、300 :电路元件 110:透明基板 110S1 :第一表面 110S2:第二表面 122:第一透明阻挡层 124:第二透明阻挡层 132:第一导电层 133:第一图案化导电层 134:第二导电层 135:第二图案化导电层 142 :第一透明覆盖层 144 :第二透明覆盖层 152:第一导电迹线 154:第二导电迹线 160:可挠性电路板 172 :粘结层 174 :透明保护层 180 :黑色矩阵层 190 :透明盖板 【具体实施方式】 下面结合附图与【具体实施方式】对本技术作进一步详细描述。 图1A至1H为根据本技术之一实施例所绘示之电路元件100的制程结构剖面 示意图。电路元件100的制作方法包括下述步骤：首先，提供透明基板110,其中，透明基板 110具有第一表面110S1与相对于第一表面110S1之第二表面110S2,如图1A所不；接着，于 第一表面110S1形成第一透明阻挡层122,并于第二表面110S2形成第二透明阻挡层124， 如图1B所示。 上述之透明基板110可以是透光性的玻璃基板或是具有可挠性的透光塑化基材 或其他具有绝缘功能的透光性基材。其中透光塑化基材的材料，可包含聚乙烯对苯二甲酸 酯（Polyethylene Terephthalate，PET)、环烯煙聚合物（Cyclo-olefin polymer，C0P)、聚醜 亚胺（Polyimide，PI)或其他可透光的聚合物。上述之第一透明阻挡层122与第二透明阻 挡层124可以是，热能阻挡层、激光阻挡层或二者之组合。因此，在本技术的一些实施 例之中，构成上述第一透明阻挡层122与第二透明阻挡层124的材料，可以选自于由透明光 学胶（，Optical Clear Adhhesive，0CA)、透明光阻、透明树脂以及前述之任一组合所组成之 一族群。在本实施例之中，透明基板110由聚乙烯对苯二甲酸酯所构成，而第一透明阻挡层 122与第二透明阻挡层124则由透明光学胶所构成。 于形成第一透明阻挡层122与第二透明阻挡层124之后，于第一透明阻挡层122 上，形成第一导电层132 ;并于第二透明阻挡层124上，形成第二导电层134(请参照图1C)。 而根据构成第一导电层132与第二导电层134的材料，第一导电层132与第二导电层134 的形成可包含不同的制程步骤。 在本技术的一些实施例之中，构成第一导电层132与第二导电层134的材料 可以是氧化铟锡（indium tin oxide，ΙΤ0)、氧化铟锋（indium zinc oxide，ΙΖ0)、氧化错锋 (aluminum zinc oxide, ΑΖ0)或其他适合的透明导电材料。于第一透明阻挡层122和第二 透明阻挡层124上，以溅镀或沉积的方式分别形成一整面性的第一导电层132和第二导电 层 134。 在本技术的另一些实施例之中，构成第一导电层132与第二导电层134的材 料可以是包括纳米导电线丝，例如，纳米银丝、纳米金丝、纳米碳管或纳米铜丝。由于第一导 电层132与第二导电层134,为预先涂布于第一透明覆盖层142和第二透明覆盖层144 (即 保护膜（overcoat，简称0C))上，而纳米导电线丝则平均分布于第一透明覆盖层142和第二 透明覆盖层144中。第一透明覆盖层142和第二透明覆盖层144可对分布于其内部的纳米 导电丝起保护作用，以避免其被氧化。其中，第一透明覆盖层142与第二透明覆盖层144， 较佳可以是二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅，或是透光塑化材质。而其他类似材质亦不在此限。 因此，形成第一导电层132和第二导电层134的方式，可包含将第一导电层132连同第一透 明覆盖层142直接布设于第一透明阻挡层122上；以及将第二导电层134连同第二透明覆 盖层144直接布设于第二透明阻挡层124上。后续制作步骤中，均以纳米银丝形成的第一 导电层132与第二导电层134的来举例说明，但本技术并不以此为限。 请参阅图1D。接下来，则利用微影蚀刻制程，移除部分第一导电层132与部份第一 透明覆盖层142的至少一侧边缘，以及移除部分第二导电层134与部分第二透明覆盖层144 的至少一侧边缘，以暴露出部分第一透明阻挡层122与部分第二透明阻挡层124。并于暴露 出之第一透明阻挡层122与第二透明阻挡层124上分别形成复数个第一导电迹线（metal trace) 152与复数个第二导电迹线154。其中，上述第一导电层132与第一透明覆盖层142 紧邻第一导电迹线152,且第一导电层132电性连接于第一导电迹线152。第二导电层134 与第二透明覆盖层144紧邻第二导电迹线154,且第二导电层134电性连接于第二导电迹线 154。上述复数个第一透明迹线15本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路元件，具有透光性，其特征在于，包括： 一透明基板，具有一第一表面； 一第一透明阻挡层，配置于该第一表面上； 一第一图案化导电层，配置于该第一透明阻挡层上；以及 一第二导电层，配置于该透明基板之相对该第一表面之一侧。

【技术特征摘要】
1. 一种电路元件，具有透光性，其特征在于，包括： 一透明基板，具有一第一表面； 一第一透明阻挡层，配置于该第一表面上； 一第一图案化导电层，配置于该第一透明阻挡层上；以及 一第二导电层，配置于该透明基板之相对该第一表面之一侧。2. 根据权利要求1所述的电路元件，其特征在于，该透明基板更包含有相对该第一表 面之一第二表面，且该电路元件更包含： 一第二透明阻挡层，配置于该透明基板之该第二表面，且该第二透明阻挡层更配置于 该透明基板与该第二导电层之间。3. 根据权利要求1或2所述的电路元件，其特征在于，该第二导电层为一图案化的导电 层，该第一图案化导电层与该第二导电层，二者在垂直投影上至少有一部分相互重叠。4. 根据权利要求1所述的电路元件，其特征在于，该第一透明阻挡层为一热能阻挡层、 一激光阻挡层或二者之组合。5. 根据权利要求2所述的电路元件，其特征在于，该第一透明阻挡层与该第二透明阻 挡层均为一热能阻挡层、一激光阻挡层或二者之组合。6. 根据权利要求5所述的电路元件，其特征在于，形成该第一透明阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：李瑞兴，陈丽娴，曾腾跃，
申请(专利权)人：宝宸厦门光学科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35