一种双介晶基元液晶化合物制造技术

技术编号:10517398 阅读:237 留言:0更新日期:2014-10-08 16:20
本发明专利技术公开了一种双介晶基元液晶化合物,其结构通式如(1)所示:其中R为碳数为3~12的直链烷基,n=3、5、7、9、11、13,L=H或F。本发明专利技术具有液晶相区间宽、低熔点的优点,适合于挠曲电液晶显示器件。

【技术实现步骤摘要】
一种双介晶基元液晶化合物
本专利技术属于液晶材料
,具体涉及一种双介晶基兀液晶化合物。
技术介绍
为了进一步提高液晶显示器件的响应速度,近年来,开发出了基于液晶挠曲 电效应的显示模式。液晶的挠曲电效应具有非常快的响应速度,一般在10微秒?100 微秒之间,比传统的液晶显示模式响应速度快1?2个数量级。如Applied Physics Letters, 2012, 100,063501报道了基于液晶挠曲电效应的显示模式,在该显示器件中,液 晶分子以均勻卧式螺旋(Uniformly Lying Helix, ULH)的方式排列,这种模式也称之 为ULH模式。采用ULH模式的液晶器件响应速度达到100微秒。随后在ULH模式基础上, 又提出了均匀坚立螺旋(Uniformly Standing Helix, USH),与ULH模式相比,USH模式 可以达到更佳的暗态,同时还能获得宽的可视角范围。传统的液晶显示模式要求液晶材 料具有大的介电各向异性值(Λ ε),以降低显示器的驱动电压。而ULH/USH模式不同,为 了防止液晶的螺旋结构在电场下解开,往往要求液晶材料具有尽可能小的介电各向异性 值;同时为了降低驱动电压,还需要液晶材料具有大的挠曲电系数。Journal of Applied Physics,1994, 76, 3762的论文研究结果表明,分子中包含两个液晶基元的化合物具有大的 挠曲电系数,可用于挠曲电效应的显示模式。该类液晶也称之为双介晶基元液晶化合物。 此外,为了获得低的介电各向异性值,分子一般应为对称结构;同时,为了获得较佳的挠曲 电-光效应,双介晶基元液晶化合物的中心桥键一般为奇数原子。 迄今为止,已经开发出多种双介晶基元液晶化合物,并已在挠曲电液晶显示模式 中得到应用,如专利W02013004333A1所报道的。但一般都存在液晶相区间窄,熔点高的缺 点,不能满足ULH和USH显示模式的实际使用需要,因此需要开发熔点低、液晶相范围宽的 双介晶基兀型液晶材料。
技术实现思路
为克服
技术介绍
中存在的缺陷或不足,本专利技术提供一种液晶相温度范围宽、低熔 点的双介晶基元液晶化合物。 为了实现上述目的,本专利技术采用如下的技术解决方案: -种双介晶基元液晶化合物,其特征在于,其结构通式如(I)所示:本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种双介晶基元液晶化合物,其特征在于,结构通式如(1)所示: 其中R为碳数为3~12的直链烷基,n=3、5、7、9、11或13,L=H或F。

【技术特征摘要】
2.如权利要求1所述的双介晶基元液晶化合物,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:安忠维胡明刚李建杨志李娟利杨晓哲车昭毅莫玲超杨诚史凤娇
申请(专利权)人:西安近代化学研究所
类型:发明
国别省市:陕西;61

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