阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的阵列基板的公共电极线本身的电阻较大，带来(RC)信号延迟问题。本发明专利技术的阵列基板，包括像素电极，设于像素电极上方的公共电极，以及与公共电极电性连接的公共电极线，其中，像素电极与公共电极之间相互绝缘设置，该阵列基板还包括第一电阻线层，以及设置在第一电阻线层上方且与第一电阻线层相互绝缘设置的第二电阻线层，所述第一电阻线层设置在公共电极线上并与公共电极线接触；第二电阻线层通过贯穿第一电阻线层和第一电阻线层与第二电阻线层之间的绝缘层的过孔与公共电极线连接。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种阵列基板及其制备 方法、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称 TFT-LCD)是一种重要的平板显示设备。根据驱动液晶的电场方向，可以分为垂直电场型和 水平电场型。垂直电场型需要在阵列基板上形成像素电极，在彩膜基板上形成公共电极， 如常用的TN模式；而水平电场型则需要在阵列基板上同时形成像素电极和公共电极；目前 的水平电场型显示技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功 耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura)等优点。 现有的阵列基板主要包括薄膜晶体管、栅线、数据线、像素电极、公共电极。以下通 过包括底栅型薄膜晶体管的阵列基板进行说明。 如图1所示，该阵列基板包括是形成在基底1上的栅极2、栅线，以及公共电极线 (三者同层、同材料）；形成在栅极2、栅线、公共电极线上方的栅极绝缘层3 ;形成在栅极绝 缘层3上方的有源层4 ;形成在有源层4上方的源极5-1、漏极5-2,以及数据线10 (三者同 层、同材料）；形成在源极5-1、漏极5-2、数据线上方的平坦化层，形成在平坦化层上方并通 过贯穿平坦化层的第一过孔与漏极5-2连接的板状像素电极；形成在像素电极6上方的钝 化层；形成在钝化层上方的狭缝状公共电极8,该公共电极8通过贯穿钝化层、平坦化层、栅 极绝缘层的第二过孔与公共电极线12连接。其中，薄膜晶体管的栅极2、源极5-1、漏极5-2 均采用金属材料，像素电极6和公共电极8通常采用透明导电的氧化铟锡（ΙΤ0)材料。 通过上述结构专利技术人发现现有技术中的阵列基板至少存在如下问题：由于公共电 极线本身电阻较大，所以当通过公共电极线给公共电极加载电压时，由于公共电极线本身 的电阻较大，故其会带来（RC)信号延迟，以及公共电极线上产生压降（IR drop)的问题；同 时由于公共电极线与数据线存在交叠，必然存在较大的耦合电容，从而公共电极上的负载 加大，导致公共电极上的波动较大，引起的绿附（greenish)较严重。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题包括，针对现有的阵列基板存在的上述的问题，提供 一种缓解由于公共电极线电阻过大，导致信号延迟、失真问题的阵列基板及其制备方法、显 示装置。 解决本专利技术技术问题所采用的技术方案的实施方式包括：一种阵列基板，包括像 素电极，设于像素电极上方的公共电极，以及与公共电极电性连接的公共电极线，其中，所 述像素电极与所述公共电极之间相互绝缘设置，其中，所述阵列基板还包括第一电阻线层， 以及设置在第一电阻线层上方且与第一电阻线层相互绝缘设置的第二电阻线层， 所述第一电阻线层设置在所述公共电极线上并与所述公共电极线接触； 所述第二电阻线层通过贯穿所述第一电阻线层和所述第一电阻线层与所述第二 电阻线层之间的绝缘层的过孔与所述公共电极线连接。 本专利技术实施方式的阵列基板中的公共电极线、第一电阻线层以及第二电阻线层并 联的结构，实质等同于现有技术中的公共电极线的结构，将公共电极线和第一电阻线层、第 二电阻线层分别等效成电阻R1、R2、R3,公共电极线和第一电阻线层与第二电阻线层的电阻 和为R4,由于公共电极线上设置有第一电阻线层，此时相当于电阻Rl、R2、R3并联，根据并 联电阻公式得知：R4 = 1/R1+1/R2+1/R3,故R4小于R1、R2、R3中任何一个电阻的阻值。也 就是说本实施例中公共电极线、第一电阻线层以及第二电阻线层的设置方式相当于降低了 公共电极线的电阻，从而可以有效的缓解RC延迟的问题。 优选的是，所述第一电阻线层与所述像素电极同层间隔设置且材料相同。 优选的是，所述第二电阻线层与所述公共电极同层设置且材料相同，其中，第二电 阻线层与所述公共电极连接。 优选的是，所述阵列基板还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极和漏极与数 据线同层设置，且所述数据线与所述源极连接，所述数据线与所述公共电极线同层且平行 设置。 进一步优选的是，所述薄膜晶体管的源极和漏极的材料与所述数据线、所述公共 电极线的材料相同。 解决本专利技术技术问题所采用的技术方案的实施方式包括：一种阵列基板的制备方 法，所述阵列基板为上述阵列基板，所述阵列基板的制备方法包括： 在基底上通过构图工艺形成包括公共电极线的图形； 在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括与所述公共电极线接触的第一 电阻线层的图形； 在完成上述步骤的基底上形成绝缘层； 在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成贯穿绝缘层和第一电阻线层的过 孔； 在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括第二电阻线层的图形，其中第 二电阻线层通过过孔与公共电极线连接。 优选的是，在所述形成与公共电极线接触的第一电阻线层的图形的同时还形成包 括像素电极的图形，其中像素电极与第一电阻线层间隔设置。 优选的是，在所述形成第二电阻线层的图形的同时还形成包括公共电极的图形， 其中公共电极与第二电阻线层连接。 优选的是，所述在基底上通过构图工艺形成包括公共电极线的图形的同时还形成 有源极、漏极、数据线，其中，所述数据线与所述源极连接，且所述数据线与所述公共电极线 平行设置。 解决本专利技术技术问题所采用的技术方案的实施方式还包括一种显示装置，其包括 上述阵列基板。 【附图说明】 图1为本专利技术的实施例1的阵列基板的结构图； 图2为本专利技术的实施例1的阵列基板的平面图； 图3为图2的A-A'剖视图。 其中附图标记为：1、基底；2、栅极；3、栅极绝缘层；4、有源层；5-1、源极；5-2、漏 极；6、像素电极；7、绝缘层；8、公共电极；9第一电阻线层；10、数据线；11、第二电阻线层； 12、公共电极线。 【具体实施方式】 为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方 式对本专利技术作进一步详细描述。 实施例1 : 结合图2至3所示，本实施例提供一种阵列基板，其包括像素电极6,设于像素电极 6上方的公共电极8,以及与公共电极8电性连接的公共电极线12,其中，所述像素电极6与 所述公共电极8之间相互绝缘设置。该阵列基板还包括第一电阻线层9,以及设置在第一 电阻线层9上方且与第一电阻线层9相互绝缘设置的第二电阻线层11，所述第一电阻线层 9设置在所述公共电极线12上并与所述公共电极线12接触；所述第二电阻线层11通过贯 穿所述第一电阻线层9和所述第一电阻线层9与所述第二电阻线层11之间的绝缘层7的 过孔与公共电极线12连接。 需要说明的是，在本实施例中所述公共电极8为狭缝电极，所述像素电极6为板状 电极；或者所述公共电极8为狭缝电极，所述像素电极6同样为狭缝电极，此时公共电极8 和像素电极6至少部分不重叠。需注意的是本专利技术的实施方式不限于这种显示模式的阵列 基板，还可以应用于其他的存在相同技术问题的阵列基板中。 在本实施例的阵列基板中，公共电极线12、第一电阻线层9以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括像素电极，设于像素电极上方的公共电极，以及与公共电极电性连接的公共电极线，其中，所述像素电极与所述公共电极之间相互绝缘设置，其特征在于，所述阵列基板还包括第一电阻线层，以及设置在第一电阻线层上方且与第一电阻线层相互绝缘设置的第二电阻线层，所述第一电阻线层设置在所述公共电极线上并与所述公共电极线接触；所述第二电阻线层通过贯穿所述第一电阻线层和所述第一电阻线层与所述第二电阻线层之间的绝缘层的过孔与所述公共电极线连接。

【技术特征摘要】
1. 一种阵列基板，包括像素电极，设于像素电极上方的公共电极，以及与公共电极电性 连接的公共电极线，其中，所述像素电极与所述公共电极之间相互绝缘设置，其特征在于， 所述阵列基板还包括第一电阻线层，以及设置在第一电阻线层上方且与第一电阻线层相互 绝缘设置的第二电阻线层， 所述第一电阻线层设置在所述公共电极线上并与所述公共电极线接触； 所述第二电阻线层通过贯穿所述第一电阻线层和所述第一电阻线层与所述第二电阻 线层之间的绝缘层的过孔与所述公共电极线连接。2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电阻线层与所述像素电极 同层间隔设置且材料相同。3. 根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电阻线层与所述公共电 极同层设置且材料相同，其中，第二电阻线层与所述公共电极连接。4. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括薄膜晶体管，所 述薄膜晶体管的源极和漏极与数据线同层设置，且所述数据线与所述源极连接，所述数据 线与所述公共电极线同层且平行设置。5. 根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极和漏极的材 料与所述数据线、所述公共电极线的材料相同。6. -种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：于海峰，黄海琴，刘家荣，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11