【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器设备中的增强的错误校正 要求优先权 本申请要求来自2011年12月8日在印度提交的专利申请No. 3445/MUM/2011的 优先权，其全部内容合并于此。
本公开大体涉及数据存储。
技术介绍
在存储器设备中存储数据的能力随着技术的进步而改进。例如，闪存设备可以使 能够在半导体器件处非易失性地存储数据，该半导体器件可以包括一个或多个存储器核 心，并且每个核心可以位于相应的存储器裸片上。 可能由于对存储器裸片的存储元件的写入、读取、擦除和其他存储器操作而发生 存储元件的磨损。当存储元件经历过度磨损时，其可能不再是可靠的储存元件。 可以对存储的数据使用错误校正码来应用错误校正，并且错误校正可以校正已经 篡改了存储的数据的错误。错误校正消耗时间和计算资源。降低错误校正计算时间将得到 更高的计算效率。
技术实现思路
在非易失性存储器设备内的存储元件的特定位位置可以被识别为复发 (recurring)错误位位置。响应于对存储在非易失性存储器的部分处的特定数据的请求，在 处于复发错误位位置处的部分内的每个数据位可以改变，并且包括改变的位的该特定数据 可以被发送到错误校正码（ECC)解码器，然后ECC解码器校正该数据并将校正后的数据提 供给请求者。可以通过读取存储器的部分的每个数据位达第一数量的次数并将数据位的每 个读取值与参考值比较，来识别（identify)复发错误位位置。对于第一数量的次数的每次 的读取值不同于参考值的数据的位位置被识别为复发错误位位置。当数据（例如ECC页） 第一次被写到非易失性存储器的部分时，...
【技术保护点】
一种方法，包括：读取存储在非易失性存储器的部分中的数据；对于读取的数据的每个特定位位置，响应于检测到读取的数据不同于该特定位位置的相应参考值，更新与该特定位位置相关联的数据错误实例的计数；其中进行对该部分的读取以及对数据错误实例的计数的更新达特定数量的重复；以及将具有等于重复的该特定数量的数据错误实例的相关联计数的每个位位置识别为复发错误位位置。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.08 IN 3445/MUM/2011;2012.01.23 US 13/356,41. 一种方法，包括： 读取存储在非易失性存储器的部分中的数据； 对于读取的数据的每个特定位位置，响应于检测到读取的数据不同于该特定位位置的 相应参考值，更新与该特定位位置相关联的数据错误实例的计数； 其中进行对该部分的读取以及对数据错误实例的计数的更新达特定数量的重复；以及 将具有等于重复的该特定数量的数据错误实例的相关联计数的每个位位置识别为复 发错误位位置。2. 如权利要求1所述的方法，还包括将所述复发错误位位置的每个的指示符存储在该 非易失性存储器中。3. 如权利要求2所述的方法，其中每个指示符被存储在所述非易失性存储器的单级单 元（SLC)部分中，该SLC部分不同于所述部分。4. 如权利要求1所述的方法，其中从所述部分的不同的存储元件读取所述数据的每 位，以及其中所述部分的每个存储元件是多级单元（MLC)元件。5. 如权利要求1所述的方法，其中所述非易失性存储器是闪存。6. 如权利要求1所述的方法，其中所述非易失性存储器是NAND闪存。7. 如权利要求1所述的方法，其中响应于向所述非易失性存储器的所述部分写入参考 数据而识别所述复发错误位位置。8. 如权利要求7所述的方法，其中响应于接收到存储所述参考数据的请求而向所述部 分写入所述参考数据。9. 如权利要求1所述的方法，该方法还包括响应于接收到读取所述数据的请求，通过 改变在每个复发错误位位置处的位值来产生更新后的数据。10. 如权利要求9所述的方法，还包括在错误校正编码（ECC)解码器处解码所述更新后 的数据。11. 如权利要求1所述的方法，其中重复的特定数量至少是十五。12. 如权利要求1所述的方法，其中重复的特定数量至少是五十。13. -种数据存储设备，包括： 非易失性存储器，包括包含多个位位置的部分；以及 控制器，该控制器配置为在进行向该非易失性存储器的该部分写入数据的写入操作之 后： 读取在该非易失性存储器的该部分的所述多个位位置的每个处存储的位值； 对于所述多个位位置的每个特定位位置，响应于检测到从该特定位位置读取的位值不 同于该特定位位置的相应参考值，更新与该特定位位置相关联的数据错误实例的计数，其 中进行读取以及对数据错误实例的计数的更新...
【专利技术属性】
技术研发人员：S赛弗加潘迪安，
申请(专利权)人：桑迪士克科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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