基板处理装置及基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种基板处理装置及基板处理方法，其分离设置等离子空间与源气体喷射空间，以提高薄膜物质的均匀度，使得容易控制薄膜物质的膜质。本发明专利技术的基板处理装置可以包括：工艺腔室；基板支撑部，其可旋转地设置于所述工艺腔室，以支撑多个基板；以及电极部，其设置于所述基板支撑部的上部并具有分离形成的用于向所述基板上喷出等离子的等离子形成空间及用于向所述基板上喷射源气体(Source gas)的源气体喷射空间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种基板处理装置，尤其涉及分离设置等离子空间和源气体喷射空 间，以提高薄膜物质的均匀度，使得容易控制薄膜物质的膜质的基板处理装置及基板处理 方法。
技术介绍
通常，制造太阳能电池 （Solar Cell)、半导体元件、平板显示器等，需要在基板表 面上形成预定的薄膜层、薄膜电路图案或光学图案，为此需要进行向基板上沉积特定物质 的薄膜沉积工艺、使用感光性物质选择性地露出薄膜的光刻工艺、通过去除选择性地露出 的部分的薄膜形成图案的蚀刻工艺等半导体制造工艺。 这种半导体制造工艺在为相关工艺设计成最佳环境的基板处理装置内部进行，最 近普遍利用通过等离子执行沉积或蚀刻工艺的基板处理装置。 利用等离子的基板处理装置有利用等离子形成薄膜的等离子增强化学汽相沉积 (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ;PECVD)装置、蚀刻薄膜使得图案化的等 离子蚀刻装置等。 图1为简要说明普通的基板处理装置的示意图。 参考图1，一般的基板处理装置具有腔室10、等离子电极20、基座30及气体喷射工 具40。 腔室10为基板处理工艺提供反应空间。此处，腔室10的一侧底面与用于排出反 应空间气体的排气口 12连通。 等离子电极20设置于腔室10的上部密闭反应空间。 等离子电极20的一侧通过匹配构件22电连接于射频（Radio Frequency ;RF)电 源24。此时，RF功率源24生成40MHz的RF功率供给等离子电极20。 另外，等离子电极20的中央部分与基板处理工艺中用于供给源气体的气体供给 管26连通。 匹配构件22连接于等离子电极20与RF功率源24之间，对RF功率源24供给等 离子电极20的RF功率的负载阻抗和源阻抗相进行匹配。 基座30设置在腔室10的内部，支撑从外部上载的多个基板W。这种基座30是与 等离子电极20相对的对电极，从而通过用于升降基座30的升降轴32接地。升降轴32通 过升降装置（未图示）以上下方向升降。此时升降轴32被封闭升降轴32和腔室10底面 的波纹管34包围。 气体喷射工具40与基座30相对地设置在等离子电极20的下端。此时，气体喷射 工具40和等离子电极20之间形成有贯通等离子电极20的气体扩散空间42,用于气体供给 管26供给的源气体扩散。这种气体喷射工具40通过连通到气体扩散空间42的多个气体 喷射孔44,将源气体均匀地喷射到整个反应空间。 如上所述，一般的基板处理装置将基板W上载到基座30后，向腔室10的反应空间 喷射给定源气体，同时向等离子电极20供给RF功率使得反应空间形成电磁场，利用通过所 述电磁场形成于基板W上的等离子形成基板W上的预定薄膜。 但对于普通的基板处理装置而言，由于源气体喷射空间和等离子空间相同，因此 反应空间形成的等离子密度的均匀度决定沉积到基板W的薄膜物质的均匀度，因此难以控 制薄膜物质的膜质。
技术实现思路
技术问题 为解决上述问题，本专利技术的目的为提供一种分离设置等离子空间和源气体喷射空 间，以提高薄膜物质的均匀度，使得容易控制薄膜物质的膜质的基板处理装置及基板处理 方法。 技术方案 为达成所述目的，本专利技术提供的基板处理装置可以包括：工艺腔室；基板支撑部， 其可旋转地设置在所述工艺腔室，以支撑多个基板；以及电极部，其设置于所述基板支撑部 的上部，并具有分离形成的用于向所述基板上喷出等离子的等离子形成空间及用于向所述 基板上喷射源气体（Source Gas)的源气体喷射空间。 所述等离子形成空间可以形成有多个，所述源气体喷射空间可以形成有多个，所 述源气体喷射空间可以以空间分离方式分别形成于多个等离子形成空间之间。 所述电极部可以包括：接地支架，其电接地，并且设置成覆盖所述工艺腔室的上 部，具有与多个所述等离子形成空间重叠形成的多个插入孔、多个第一气体供给孔与第二 气体供给孔，以及与多个所述源气体喷射空间重叠形成的多个第三气体供给孔；多个空间 形成构件，其从所述接地支架的底面向所述基板支撑部方向平行地凸出预定高度，以形成 多个所述等离子形成空间和所述源气体喷射空间；多个绝缘构件，其分别插入到多个所述 插入孔；多个等离子电极构件，其分别贯通多个所述绝缘构件并分别设置于多个所述等离 子形成空间，并且电连接于所述等离子电源供给部；反应气体供给构件，其将所述反应气体 供给部供给的反应气体分别供给到多个所述第一气体供给孔及第二气体供给孔；以及源气 体供给构件，其将所述源气体供给部供给的源气体分别供给到多个所述第三气体供给孔。 所述电极部可以包括：接地支架，其电接地，并且设置成覆盖所述工艺腔室的上 部，具有与多个所述等离子形成空间重叠形成的多个插入孔、多个第一气体供给孔和第二 气体供给孔，以及与多个所述源气体喷射空间重叠形成的多个第三气体供给孔；多个空间 形成构件，其从所述接地支架的底面向所述基板支撑部方向平行地凸出预定高度，以形成 多个所述等离子形成空间和所述源气体喷射空间；多个绝缘构件，其分别插入到多个所述 插入孔；多个等离子电极构件，其分别贯通多个所述绝缘构件并分别设置于多个所述等离 子形成空间，并且电连接于所述等离子电源供给部；反应气体供给构件，其将所述反应气体 供给部供给的反应气体供给所述第一气体供给孔及第二气体供给孔中的至少一个气体供 给孔；以及吹扫气体供给构件，其将所述吹扫气体供给部供给的吹扫气体供给所述第一供 给孔及第二气体供给孔中剩余一个气体供给孔；以及源气体供给构件，其将所述源气体供 给部供给的源气体分别供给到多个所述第三气体供给孔。 所述电极部还可以包括：用于向所述基板上喷射吹扫气体（Purge Gas)的多个吹 扫气体喷射空间，其中多个所述吹扫气体喷射空间分别以空间分离方式形成于设置在相邻 的一对源气体喷射空间之间的一对等离子形成空间之间，或者以空间分离方式形成于所述 等离子形成空间和所述源气体喷射空间之间。 所述电极部可以包括：接地支架，其电接地，并且设置成覆盖所述工艺腔室的上 部，具有与多个所述等离子形成空间重叠形成的多个插入孔、多个第一气体供给孔与第二 气体供给孔、与多个所述源气体喷射空间重叠形成的多个第三气体供给孔，以及与多个所 述吹扫气体喷射空间重叠形成的多个第四气体供给孔；多个空间形成构件，其从所述接地 支架的底面向所述基板支撑部方向平行地凸出预定高度，以形成多个所述等离子形成空间 和所述源气体喷射空间以及多个所述吹扫气体喷射空间；多个绝缘构件，其分别插入到多 个所述插入孔；多个等离子电极构件，其分别贯通多个所述绝缘构件并分别设置于多个所 述等离子形成空间，并且电连接于所述等离子电源供给部；反应气体供给构件，其将所述 反应气体供给部供给的反应气体分别供给到多个所述第一气体供给孔及第二气体供给孔； 源气体供给构件，其将所述源气体供给部供给的源气体分别供给到多个所述第三气体供给 孔；以及吹扫气体供给构件，其将所述吹扫气体供给部供给的吹扫气体分别供给到多个所 述第四气体供给孔。 为了解决上述技术问题，本专利技术的基板处理方法可以包括：向以可旋转方式设置 在工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置,其特征在于，包括：工艺腔室；基板支撑部，其可旋转地设置在所述工艺腔室，以支撑多个基板；以及电极部，其设置于所述基板支撑部的上部，并具有分离形成的用于向所述基板上喷出等离子的等离子形成空间及用于向所述基板上喷射源气体的源气体喷射空间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.23 KR 10-2011-01417961. 一种基板处理装置，其特征在于，包括： 工艺腔室； 基板支撑部，其可旋转地设置在所述工艺腔室，以支撑多个基板；以及 电极部，其设置于所述基板支撑部的上部，并具有分离形成的用于向所述基板上喷出 等离子的等离子形成空间及用于向所述基板上喷射源气体的源气体喷射空间。2. 根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于： 所述等离子形成空间形成有多个，所述源气体喷射空间形成有多个，所述源气体喷射 空间以空间分离方式分别形成于多个等离子形成空间之间。3. 根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，还包括： 等离子电源供给部，其向所述等离子形成空间供给等离子电源； 反应气体供给部，其向所述等离子形成空间供给反应气体；以及 源气体供给部，其向所述源气体喷射空间供给源气体。4. 根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述电极部包括： 接地支架，其电接地，并且设置成覆盖所述工艺腔室的上部，具有与多个所述等离子形 成空间重叠形成的多个插入孔、多个第一气体供给孔与第二气体供给孔，以及与多个所述 源气体喷射空间重叠形成的多个第三气体供给孔； 多个空间形成构件，其从所述接地支架的底面向所述基板支撑部方向平行地凸出预定 高度，以形成多个所述等离子形成空间和所述源气体喷射空间； 多个绝缘构件，其分别插入到多个所述插入孔； 多个等离子电极构件，其分别贯通多个所述绝缘构件并分别设置于多个所述等离子形 成空间，并且电连接于所述等离子电源供给部； 反应气体供给构件，其将所述反应气体供给部供给的反应气体分别供给到多个所述第 一气体供给孔及第二气体供给孔；以及 源气体供给构件，其将所述源气体供给部供给的源气体分别供给到多个所述第三气体 供给孔。5. 根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，还包括： 等离子电源供给部，其向所述等离子形成空间供给等离子电源； 反应气体供给部，其向所述等离子形成空间供给反应气体； 吹扫气体供给部，其向所述等离子形成空间供给吹扫气体；以及 源气体供给部，其向所述源气体喷射空间供给源气体。6. 根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述电极部包括： 接地支架，其电接地，并且设置成覆盖所述工艺腔室的上部，具有与多个所述等离子形 成空间重叠形成的多个插入孔、多个第一气体供给孔和第二气体供给孔，以及与多个所述 源气体喷射空间重叠形成的多个第三气体供给孔； 多个空间形成构件，其从所述接地支架的底面向所述基板支撑部方向平行地凸出预定 高度，以形成多个所述等离子形成空间和所述源气体喷射空间； 多个绝缘构件，其分别插入到多个所述插入孔； 多个等离子电极构件，其分别贯通多个所述绝缘构件并分别设置于多个所述等离子形 成空间，并且电连接于所述等离子电源供给部； 反应气体供给构件，其将所述反应气体供给部供给的反应气体供给所述第一气体供给 孔及第二气体供给孔中的至少一个气体供给孔；以及 吹扫气体供给构件，其将所述吹扫气体供给部供给的吹扫气体供给所述第一供给孔及 第二气体供给孔中剩余一个气体供给孔；以及 源气体供给构件，其将所述源气...

【专利技术属性】
技术研发人员：许胜会，韩政勋，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR