本发明专利技术公开了一种原位生长量子点光学膜的制备方法，利用溶胶-凝胶和旋涂相结合工艺技术，在ITO玻璃衬底上，原位生长出具有高分散性量子点有机膜层作为光致发光层，随后再通过有机物旋涂、封装、隔离工艺，最终制备出原位生长高分散性量子点光学膜。本发明专利技术制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单。此外，由于采用原位生长技术，因而光致发光层中的量子点粒径精确可控、分散性良好，该量子点光学膜制备工艺可充分利用有机物对量子点生长的阻隔和调控作用，实现对量子点粒径有效控制和量子点在光致发光层中高分散性分布，进而有效提高其量子点光学膜的光致发光性能，因此，在新型光电显示器件中将具有非常重要的应用价值。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电材料与器件领域，具体涉及一种原位生长量子点光学膜的制备方 法。
技术介绍
随着科技的发展和社会的进步，人们对于信息交流和传递等方面的依赖程度日益 增加。而显示器件作为信息交换和传递的主要载体和物质基础，现已成为众多从事信息光 电研究科学家争相抢占的热点和高地。量子点光致发光光学薄膜器件，作为一种最有可能 实现实用化的显示器件，在信息交流和传递等领域起着至关重要的作用。然而，截至目前为 止，现有量子点光致发光光学薄膜多为两步法制备，即先采用胶体化学的方法制备胶体量 子点，然后将量子点分散到有机聚合物薄膜中从而形成相应的量子点光致发光光学薄膜， 它本身是一种基于溶胶凝胶和有机无机半导体复合工艺相结合技术而制备的光致发光器 件。这种传统的基于量子点制备和有机无机复合成膜两步法存在量子点粒径控制能力差、 复合膜中量子点分散性差而容易团聚等问题。随着人们对于图像质量和画质要求的提高， 对量子点光致发光光学薄膜提出了更高的要求，采用传统的基于量子点制备和有机无机复 合成膜两步法制备的量子点光致发光光学薄膜已难以满足当今信息社会对能产生高品质、 高质量显示图像的量子点光致发光光学薄膜的需求。 近年来，为了改善基于传统的基于量子点制备和有机无机复合成膜两步法制备的 量子点光致发光光学薄膜中量子点粒径可控性差和量子点的分散性差等问题，通常的做法 是通过控制量子点制备过程中反应时间来控制所制备的量子点的粒径，通过选择表面活性 剂种类来减缓量子点之间团聚，从而提高其在复合膜中的分散性。但是目前粒径控制和分 散性问题仍然阻碍着量子点光致发光薄膜性能的进一步提升。我们利用溶胶-凝胶和旋涂 相结合工艺技术，原位生长出具有高分散性量子点有机膜层作为光致发光层，最终制备出 新型原位生长高分散性量子点光学膜。这种新型原位生长高分散性量子点光学膜具有新 颖，制作成本低，制备工艺简单、量子点粒径可控性高、分散性好，成为最有可能制备出粒径 可控、分散性好的实用化量子点光致发光光学薄膜的有效方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术的不足和缺陷，提供一种原位生长量子点光学膜 的制备方法。该制备方法是基于溶胶-凝胶和旋涂相结合工艺技术，在ΙΤ0玻璃衬底上原位 生长出具有高分散性量子点有机膜层，并以此作为光致发光层，随后再通过有机物旋涂实 现对量子点沟道的有效封装和保护，最终制备出新型原位生长高分散性量子点光学膜。本 专利技术制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单。此外，由于采用原位生长技术，因而光致发 光层中量子点粒径精确可控、分散性良好，该量子点光学膜制备工艺中可充分利用有机物 对量子点生长的阻隔和调控作用，实现对量子点粒径有效控制和量子点在光致发光层中高 分散性分布，进而有效提高其量子点光学膜的光致发光性能，因此，在新型光电显示器件中 将具有非常重要的实用价值。 为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案： ，利用溶胶-凝胶和旋涂工艺技术，制备出以 ΙΤ0玻璃（Indium Tin Oxides，氧化铟锡）为衬底，以原位生长具有高分散性量子点有机膜 层作为光致发光层、再通过有机物旋涂、封装、隔离工艺制备出新型原位生长高分散性量子 点光学膜。 所述的制备方法具体包括以下步骤： (1) 前驱体溶液的配制：分别配制聚酰胺酸溶液、Na2SeS03溶液、Cd(CH2C00) 2溶液、 N (CH2C00Na) 3溶液；然后将Cd (CH2C00) 2溶液、N (CH2C00Na) 3溶液与Na2SeS03溶液混合，搅拌 均匀，再缓慢加入聚酰胺酸溶液至混合均匀，制得前驱体溶液； 具体配制过程为：称取l_6g聚酰胺酸溶于99-94g二甲基甲酰胺中，磁力搅拌1-3小 时，随后在600W功率下超声分散0. 5-1. 5小时，形成聚酰胺酸溶液；称取0. 205-0. 615g Na2SeS03溶于10ml去离子水中，并强力搅拌至完全溶解，得到Na 2SeS03溶液；称取 0. 2045-0. 6135g Cd (CH2C00) 2溶于10ml去离子水中，并强力搅拌至完全溶解，得到 Cd(CH2C00)2溶液；称取0. 2571-0. 7713g N(CH2C00Na)3溶于10ml去离子水中，并强力搅拌 至完全溶解，得到N(CH 2C00Na)3溶液；将Cd(CH2C00)2溶液和N(CH 2C00Na)3溶液分别倒入 10-20°C强烈搅拌的Na2SeS0 3溶液中，并在此温度下搅拌5-15分钟，至完全溶解，温度保 持不变，再缓慢加入聚酰胺酸溶液，并继续搅拌5-10分钟，至完全混合均匀，得到前驱体溶 液； (2) ΙΤ0玻璃衬底的预处理：将该ΙΤ0玻璃衬底在碱性食人鱼溶液中清洗1-3分钟，并 用去离子水清洗2-3次； (3 )有机物旋涂：将步骤（1)制得的前驱体溶液在3500-4000rmp转速下旋涂至步骤（2 ) 处理过的ΙΤ0玻璃衬底，然后放入到24°C干燥箱中恒温处理2-6h，得到镀有量子点有机膜 层的ΙΤ0玻璃衬底样品； (4) 除杂：将步骤（3)得到的ΙΤ0玻璃衬底样品置入装有1000-2000ml去离子水烧杯 中，封口，置入24°C干燥箱中恒温处理24-48h，以清洗去除有机膜层中的杂质离子和未反 应的前驱物离子； (5) 量子点光学膜的制备：将聚酰胺酸在2000-3000rmp转速下旋涂至步骤（4)的ΙΤ0 玻璃衬底样品上，并采用阶梯温度热处理方式实现聚酰胺酸的聚酰亚胺化，从而得到原位 生长量子点光学膜。 步骤（2)中所述的碱性食人鱼溶液其组成为：NH40H、H20 2、H20的体积比为1:1:4。 步骤（2)中所述的ΙΤ0玻璃为衬底，面积为lcmXlcm。 步骤（5)所述的阶梯温度热处理为分别在120°C处理1 h，180°C处理1 h，250°C 处理1 h，300°C处理1 h。 【附图说明】 图1为ΙΤ0玻璃衬底结构示意图； 图2为旋涂有量子点有机膜层的ΙΤ0薄膜衬底结构示意图； 图3为覆盖有量子点和有机物复合膜光致发光层的ΙΤ0薄膜衬底结构示意图； 图4为有机物旋涂封装后的量子点光学膜及其ITO薄膜衬底结构示意图。 【具体实施方式】 本专利技术用下列实施例来进一步说明本专利技术，但本专利技术的保护范围并不限于下列实 施例。 实施例1 (1) 称取lg聚酰胺酸溶于99g二甲基甲酰胺中，磁力搅拌1小时，随后在600W功率下 超声分散0. 5小时，形成聚酰胺酸溶液； (2) 称取0. 205g Na2SeS03溶于10ml去离子水中，并强力搅拌至完全溶解，得到Na2SeS0 3 溶液； (3) 称取0. 2045g Cd(CH2C00)2溶于10ml去离子水中，并强力搅拌至完全溶解，得到 Cd(CH2C00)2 溶液； (4) 称取0. 2571g N(CH2C00Na)3溶于10ml去离子水中，并强力搅拌至完全溶解，得到 N(CH2C00Na)3 溶液； (5) 将Cd(CH2C00)2溶液和N(CH2C00Na)3溶液分别倒入l(rC强烈搅拌的Na 2SeS03溶液， 并在此温度下搅拌5分钟，至完全溶解； (6) 将聚酰胺酸溶液缓慢加入到1本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种原位生长量子点光学膜的制备方法，其特征在于：利用溶胶‑凝胶和旋涂工艺技术，制备出以ITO玻璃为衬底，以原位生长量子点有机膜层作为光致发光层、再通过有机物旋涂、封装、隔离工艺制备出原位生长量子点光学膜。
【技术特征摘要】
1. 一种原位生长量子点光学膜的制备方法，其特征在于：利用溶胶-凝胶和旋涂工艺 技术，制备出以ITO玻璃为衬底，以原位生长量子点有机膜层作为光致发光层、再通过有机 物旋涂、封装、隔离工艺制备出原位生长量子点光学膜。2. 根据权利要求1所述的一种原位生长量子点光学膜的制备方法，其特征在于：包括 以下步骤： (1) 前驱体溶液的配制：分别配制聚酰胺酸溶液、Na2SeS03溶液、Cd(CH2COO) 2溶液、 N (CH2COONa) 3溶液；然后将Cd (CH2COO) 2溶液、N (CH2COONa) 3溶液与Na2SeS03溶液混合，搅拌 均匀，再缓慢加入聚酰胺酸溶液至混合均匀，制得前驱体溶液； (2) ITO玻璃衬底的预处理：将该ITO玻璃衬底在碱性食人鱼溶液中清洗1-3分钟，并 用去离子水清洗2-3次； (3 )有机物旋涂：将步骤（1)制得的前驱体溶液在3500-4000rmp转速下旋涂至步骤（2 ) 处理过的ITO玻璃衬底，然后放入到24°C干燥箱中恒温处理2-6h，得到镀有量子点有机膜 层的ITO玻璃衬底样品； (4) 除杂：将步骤（3)得到的ITO玻璃衬底样品置入装有1000-2000ml去离子水烧杯 中，封口，置入24°C干燥箱中恒温处理24-48h，以清洗去除有机膜层中的杂质离子和未反 应的前驱物离子； (5) 量子点光学膜的制备：将聚酰胺酸在2000-3000...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨尊先，郭太良，胡海龙，徐胜，严文焕，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：福建;35
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