半导体发光装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于，提供一种即使对半导体发光元件进行倒装芯片式安装也容易制造的两面发光型的半导体发光装置及其制造方法。半导体发光装置具有：多个引线框架；多个半导体发光元件，其与多个引线框架连接；覆盖构件，其覆盖多个半导体发光元件，多个引线框架之中的一个引线框架的端部与其他的引线框架的端部接近并形成间隙，多个半导体发光元件以跨过间隙的方式被倒装芯片式安装在一个引线框架及其他的引线框架的表面和背面上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在引线框架的两面上倒装芯片式安装有半导体发光元件的两面 发光型的。
技术介绍
将从晶圆切出的半导体发光元件（以后，在没有特别说明的情况下称为LED芯片） 安装于引线框架或电路板，用树脂或玻璃等覆盖来进行封装的半导体发光装置（以后，在 没有特别说明的情况下称为LED装置）得到了普及。这样的LED装置根据用途采用各种 形态，但有时为了补偿LED芯片具有的强指向性并扩大LED装置的发射角，同时使发光量增 力口，会在引线框架和电路板的两面上安装LED芯片。 引线框架的两面上安装有LED芯片的LED装置从过去就被知晓（例如，参照专利 文献1)。图25是示出专利文献1的图2的图。此外，为方便起见，改变表示构件的编号的 一部分。 在图25中，两个发光元件421 (LED芯片）被安装于引线框架422a的顶端部处左 右的面。又，各发光元件421通过电线与引线框架422b电连接。引线框架422a、422b分别 是共同的正接头、负接头。用环氧树脂423密封发光元件421，在环氧树脂423的左右形成 聚光部404。图25所不的半导体发光装置具有图中表不为404a、404b的那样的指向性。 用电线连接LED芯片的话，由于电线的影响，LED装置的发光效率会降低。又，由 于需要用于伸展电线的区域，所以LED装置会大型化。对此，有时将仅在一个面（今后称为 底面）上具备阳极和阴极的LED芯片与引线框架和电路板上的电极直接连接（下面称为倒 装芯片式安装）。已知倒装芯片式安装的发光效率良好、安装面积较小。其主要的理由是因 为LED芯片的阳极和阴极与引线框架和电路板的电极层积，并不需要上述的电线。 像这样在电路板的两面上倒装芯片式安装有LED芯片的LED装置被知晓（例如， 参照专利文献2)。图26是示出专利文献2的图2的图。此外，为方便起见，改变表示构件 的编号的一部分。 在图26中，在电路板502的大致中央部形成有收纳LED芯片504c的反射杯505， 反射杯505的表面侧与背面侧对称。又，反射杯505包含底面505a及斜面部505b，在电路 板502的表面或背面上形成的电极图案507a、507b与反射杯505的底面505a有间隙地相 对。又，在反射杯505的底面505a上，以跨过电极图案507a、507b的间隙的方式倒装芯片 式安装有LED芯片504c。反射杯505中填充有透光性树脂508。 作为使LED装置的亮度提高的其他的方法，有时增加 LED芯片的数量。在此，已知 在电路板的两面上安装四个以上的LED芯片（例如，参照专利文献3的图1)。图27是示出 专利文献3的图1的图。此外，为方便起见，改变表示构件的编号的一部分。 图27是具备发光元件（LED芯片）安装用搪瓷基板601a的光源装置605A (LED装 置）的截面图。光源装置605A将发光元件606分别安装到被设置于发光元件安装用搪瓷 基板601a的两面J、K的反射凹部604d上，并将透明树脂609填充到各反射凹部604d，密 封发光元件606。发光元件安装用搪瓷基板601a是用搪瓷层603覆盖核心金属602的搪 瓷基板，其两面J、K上设有安装了发光元件606的六个反射凹部604d。进一步地，搪瓷层 603上设有发光兀件606的供电用的电极607c。电极607c的一部分被延伸设置于反射凹 部604d的底面，在其上通过芯片键合及引线键合安装有发光元件606。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本专利实开昭56-149477号公报（2图） 专利文献2 :日本专利公开2003-229603号公报（图2) 专利文献3 :日本专利公开2006-310584号公报（图1)
技术实现思路
如前所述，图25示出的LED装置（半导体发光装置）因为使用电线，所以与倒装 芯片式安装相比发光效率较差。 图26所示的LED装置虽然变为倒装芯片式安装，但因为将LED芯片（LED芯片 504c)倒装芯片式安装到电路板502的凹部中，所以制造并不容易。此外，由于专利文献2 中LED芯片的安装工序所涉及的记载较少，所以详细部分不清楚。作为假定的制造方法考 虑到：例如，拾取一个LED芯片并在电路板上配置后，就对LED芯片加压并加热，使其与电路 板连接。然而，这种简单的手法的话，因为每次搭载LED芯片时都要进行加压和加热，所以 生产量不佳。 作为其他的方法，在量产中屡次被采用的集合工法也可适用。首先，准备切断的话 就能制得各个的电路板502的集合基板。然后，将焊膏涂抹到LED芯片504c的电极或集合 基板的电极上，用焊膏临时连接LED芯片504c的电极和集合基板的电极，在回流焊炉中溶 化焊膏并使大量LED芯片504c总括地连接。然后，填充透明树脂509并密封发光元件506。 最后，切断集合基板得到LED装置。上述的总括连接工序中，首先执行表面侧的LED芯片 504c的连接，随后执行背面侧的LED芯片504的连接。即，该制造方法不仅通过回流焊炉两 次，制造工序变长，而且制造条件也复杂化。进一步地，图26的LED装置1因为只安装两个 LED芯片504c，所以亮度不足的可能性较高。 图27的LED装置（光源装置605A)因为安装有六个LED芯片（发光元件606)，所 以可增大亮度。然而，该LED装置因为与图26所示的LED装置同样地将LED芯片606安装 到电路板（发光元件安装用搪瓷基板601a)的反射凹部604d中，所以制造并不容易。进一 步地，因为用电线连接LED芯片606和电路板601a的电极607c，所以发光效率降低。 本专利技术的目的在于，提供一种即使倒装芯片式安装半导体发光元件也容易制造的 两面发光型的。 又，本专利技术的目的在于，提供一种为了增大亮度，即使倒装芯片式安装四个以上的 半导体发光元件也容易制造的两面发光型的半导体发光装置。 一种半导体发光装置，具有：多个引线框架；多个半导体发光元件，多个半导体发 光元件与多个引线框架连接；以及覆盖构件，覆盖构件覆盖多个半导体发光元件，多个引线 框架之中的一个引线框架的端部与其他的引线框架的端部接近并形成间隙,多个半导体发 光元件以跨过间隙的方式被倒装芯片式安装在一个引线框架及其他的引线框架的表面和 背面上。 优选地，半导体发光装置中，多个引线框架包含第一引线框架及第二引线框架，多 个半导体发光元件包含第一半导体发光元件及第二半导体发光元件，第一引线框架及第 二引线框架的端部接近并形成间隙，第一半导体发光元件以跨过间隙的方式被倒装芯片式 安装在第一引线框架及第二引线框架的一个面上，第二半导体发光元件以跨过间隙的方式 被倒装芯片式安装在第一引线框架及第二引线框架的另一个面上，第一半导体发光元件的 一部分与第二半导体发光元件的一部分被相对地配置。 优选地，半导体发光装置中，多个引线框架包含三个引线框架，多个半导体发光元 件构成串并联电路。 优选地，半导体发光装置中，所述多个半导体发光元件包含四个半导体发光元件， 四个半导体发光元件构成并联电路。 优选地，半导体发光装置中，覆盖构件包含：包含反射性微粒的反射构件；以及 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光装置，其特征在于，在所述半导体发光装置中，具有：多个引线框架；多个半导体发光元件，所述多个半导体发光元件与所述多个引线框架连接；以及覆盖构件，所述覆盖构件覆盖所述多个半导体发光元件，所述多个引线框架之中的一个引线框架的端部与其他的引线框架的端部接近并形成间隙，所述多个半导体发光元件以跨过所述间隙的方式被倒装芯片式安装在所述一个引线框架及所述其他的引线框架的表面和背面上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.02.02 JP 2012-020708;2012.02.13 JP 2012-028261. 一种半导体发光装置，其特征在于，在所述半导体发光装置中，具有： 多个引线框架； 多个半导体发光元件，所述多个半导体发光元件与所述多个引线框架连接；以及 覆盖构件，所述覆盖构件覆盖所述多个半导体发光元件， 所述多个引线框架之中的一个引线框架的端部与其他的引线框架的端部接近并形成 间隙， 所述多个半导体发光元件以跨过所述间隙的方式被倒装芯片式安装在所述一个引线 框架及所述其他的引线框架的表面和背面上。2. 如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于， 所述多个引线框架包含第一引线框架及第二引线框架， 所述多个半导体发光元件包含第一半导体发光元件及第二半导体发光元件， 所述第一引线框架及所述第二引线框架的端部接近并形成间隙， 所述第一半导体发光元件以跨过所述间隙的方式被倒装芯片式安装在所述第一引线 框架及所述第二引线框架的一个面上， 所述第二半导体发光元件以跨过所述间隙的方式被倒装芯片式安装在所述第一引线 框架及所述第二引线框架的另一个面上， 所述第一半导体发光元件的一部分与所述第二半导体发光元件的一部分被相对地配 置。3. 如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于， 所述多个引线框架包含三个引线框架， 所述多个半导体发光元件构成串并联电路。4. 如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于， 所述多个半导体发光元件包含四个半导体发光元件，所述四个半导体发光元件构成并 联电路。5. 如权利要求1?4中任一项所述的半导体发光装置，其特征在于，所述覆盖构件包 含： 包含反射性微粒的反射构件；以及 包含荧光体的荧光构件。6. 如权利要求5所述的半导体发光装置，其特征在于， 所述反射构件被配置在所述多个引线框架的外周部并覆盖所述荧光构件的侧面， 所述荧光构件覆盖所述多个半导体发光元件的上表面， 荧光树脂被填充到所述反射构件与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：今津健二，和田让，
申请(专利权)人：西铁城控股株式会社，西铁城电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP