基板处理装置及基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及处理基板的基板处理装置及基板处理方法，实现在适当进行基板的清洗的同时抑制基板带电。该装置具有：基板支撑部，支撑水平状态的基板；上部喷嘴，向基板的上表面的中央部喷射作为清洗液的纯水；基板旋转机构，使基板支撑部与基板一起以朝向上下方向的中心轴为中心旋转。在上部喷嘴的底面设置有喷射纯水的多个喷射口。多个喷射口包括：中心喷射口，配置在中央；多个周边喷射口，在中心喷射口的周围以等角度间隔地配置在以中心轴为中心的圆周上。在该装置中，在上部喷嘴设置有多个喷射口，减小从各喷射口喷射的纯水的流量，确保从上部喷嘴向基板的中央部供给的纯水的流量。由此，能够抑制在基板的中央部的带电并适当清洗基板的上表面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及处理基板的技术。
技术介绍
以往，在半导体基板(以下，简称为“基板”。)的制造工序中，利用多种基板处理装置对基板进行各种处理。例如，通过向在表面上形成有抗蚀剂的图案的基板供给药液，来对基板的表面进行蚀刻等处理。另外，在蚀刻处理结束后，还进行去除基板上的抗蚀剂或者清洗基板的处理。 例如，在日本特开2004 — 158588号公报中，公开有利用去除液去除附着在基板上的有机物的基板处理装置。在该基板处理装置中，从纯水喷嘴向旋转的基板上供给纯水，从而进行基板的清洗。 但是，公知有以下情况，即，在利用纯水进行的基板的清洗处理中，由于在表面形成有绝缘膜的基板与电阻率大的纯水之间的接触等，而使基板带电。当基板的带电量增大时，可能产生在清洗过程中或清洗后的颗粒的再次附着或由放电导致的配线的损伤等。 作为抑制基板的带电的方法，公知有以下方法:即，利用通过将二氧化碳溶解在纯水中而使电阻率减小的二氧化碳水溶液来清洗基板。但是，当在基板上形成有铜配线时，在利用二氧化碳水溶液进行的清洗中，铜配线可能被二氧化碳水溶液腐蚀。另外，与利用纯水进行的清洗相比，清洗处理所需要的成本增大。
技术实现思路
本专利技术涉及用于处理基板的基板处理装置，其目的在于实现在适当地进行基板的清洗的同时抑制基板的带电。 本专利技术的基板处理装置具有:基板支撑部，支撑水平状态的基板；喷嘴，从多个喷射口向所述基板的上表面的中央部喷射作为清洗液的纯水；基板旋转机构，使所述基板支撑部与所述基板一起以朝向上下方向的中心轴为中心旋转。根据本专利技术，能够在适当地进行基板的清洗的同时抑制基板的带电。 在本专利技术的一个优选的实施方式中，所述多个喷射口包含:中心喷射口，配置在中央；以及多个周边喷射口，以等角度间隔地配置在以所述中心轴为中心的圆周上。 在本专利技术的其他的优选的实施方式中，所述多个喷射口配置在以所述中心轴为中心的半径小于等于60_的圆内。 在本专利技术的其他的优选的实施方式中，所述多个喷射口配置在以所述中心轴为中心且半径小于等于所述基板的半径的40%的圆内。 [0011 ] 在本专利技术的其他的优选的实施方式中，从所述多个喷射口中的每一个喷射口喷射的所述清洗液的流量小于等于每分钟I升。 在本专利技术的其他的优选的实施方式中，从所述多个喷射口中的至少一个喷射口喷射的所述清洗液的喷射方向与所述中心轴所成的角度大于等于30度。 在本专利技术的其他的优选的实施方式中，还具有用于形成被密闭的内部空间的密闭空间形成部，在该内部空间中，利用所述清洗液对所述基板进行清洗处理。 在本专利技术的其他的优选的实施方式中，从所述多个喷射口中的每一个喷射口连续地呈液柱状地喷射所述清洗液。 本专利技术也用于处理基板的基板处理方法。 上述目的和其他目的、特征、形态以及优点，通过参照附图来进行的本专利技术的详细说明变得清楚。 【附图说明】 图1是一个实施方式的基板处理装置的剖视图。 图2是上部喷嘴的仰视图。 图3是示出气液供给部和气液排出部的框图。 图4是示出基板处理装置中的处理的流程的图。 图5和图6是基板处理装置的剖视图。 图7是示出基板的电位的图。 图8是示出比较例的基板处理装置中的纯水的流量与基板的电位之间的关系的图。 图9是示出基板上的纯水的膜厚分布的图。 图10是示出上部喷嘴的其他例子的仰视图。 图11和图12是示出喷射方向的倾斜角与基板的电位之间的关系的图。 附图标记的说明 1:基板处理装置； 9:基板； 12:腔室； 15:基板旋转机构； 91:(基板的)上表面； 120:腔室空间； 121:腔室主体； 122:腔室盖部； 141:基板支撑部； 181:181b:上部喷嘴； 188:喷射口； 188a:中心喷射口； 188b:周边喷射口； Jl:中心轴； Sll ?S16:步骤。 【具体实施方式】 图1是示出本专利技术的一个实施方式的基板处理装置I的剖视图。基板处理装置I是一种通过向大体圆板状的半导体基板9 (以下，简称作“基板9”)供给处理液，来逐个处理基板9的单张式装置。在本实施方式中，在基板处理装置I中，对直径为300mm的大体圆板状的基板9进行处理。在图1中，在基板处理装置I的一部分结构的截面上没有标出剖面线(在其他剖面图中也同样)。 基板处理装置I具有:腔室12、顶板123、腔室开闭机构131、基板保持部14、基板旋转机构15、盛液(接受液体)部16以及罩17。罩17覆盖腔室12的上方和侧方。 腔室12具有腔室主体121和腔室盖部122。腔室12呈以朝向上下方向的中心轴Jl为中心的大体圆筒状。腔室主体121具有腔室底部210和腔室侧壁部214。腔室底部210具有:大体圆板状的中央部211、从中央部211的外缘部向下方扩展的大体圆筒状的内侧壁部212、从内侧壁部212的下端向径向外侧扩展的大体圆环板状的环状底部213、从环状底部213的外缘部向上方扩展的大体圆筒状的外侧壁部215以及从外侧壁部215的上端部向径向外侧扩展的大体圆环板状的基部216。 腔室侧壁部214呈以中心轴Jl为中心的环状。腔室侧壁部214从基部216的内缘部向上方突出。用于形成腔室侧壁部214的构件如后所述，兼作盛液部16的一部分。在以下的说明中，将由腔室侧壁部214、外侧壁部215、环状底部213、内侧壁部212以及中央部211的外缘部包围的空间称作下部环状空间217。 在基板保持部14的基板支撑部141 (后述)上支撑有基板9的情况下，基板9的下表面92与腔室底部210的中央部211的上表面相对置。在以下的说明中，将腔室底部210的中央部211称作“下表面对置部211”。 腔室盖部122呈垂直于中心轴Jl的大体圆板状，包括腔室12的上部。腔室盖部122堵塞腔室主体121的上部开口。在图1中，示出腔室盖部122已从腔室主体121离开的状态。在腔室盖部122堵塞腔室主体121的上部开口时，腔室盖部122的外缘部与腔室侧壁部214的上部相接触。 腔室开闭机构131使作为腔室12的可动部的腔室盖部122在上下方向上，相对于作为腔室12的其他部位的腔室主体121移动。腔室开闭机构131是用于升降腔室盖部122的盖部升降机构。在腔室盖部122通过腔室开闭机构131在上下方向上移动时，顶板123也与腔室盖部122 —同在上下方向上移动。腔室盖部122与腔室主体121相接触而堵塞上部开口，此外，朝向腔室主体121按压腔室盖部122，由此在腔室12内形成作为密闭的内部空间的腔室空间120 (参照图6)。换言之，由腔室盖部122堵塞腔室主体121的上部开口，由此使腔室空间120密闭。腔室盖部122和腔室主体121是形成腔室空间120的密闭空间形成部。 基板保持部14配置在腔室空间120内，使基板9保持在水平状态。S卩，基板9以形成有微细图案的一个主表面91 (以下,称作“上表面91”)朝上且垂直于中心轴Jl的状态，被基板保持部14保持。基板保持部14具有:上述基板支撑部141，从下侧支撑基板9的外缘部(即，包含外周缘的外周缘附近的部位)；以及基板按压部142，从上侧按压基板支撑部141所支撑的基板9的外缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于，具有:基板支撑部，支撑水平状态的基板；喷嘴，从多个喷射口向所述基板的上表面的中央部喷射作为清洗液的纯水；基板旋转机构，使所述基板支撑部与所述基板一起以朝向上下方向的中心轴为中心旋转。

【技术特征摘要】
2013.03.28 JP 2013-0699901.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于，具有: 基板支撑部，支撑水平状态的基板； 喷嘴，从多个喷射口向所述基板的上表面的中央部喷射作为清洗液的纯水； 基板旋转机构，使所述基板支撑部与所述基板一起以朝向上下方向的中心轴为中心旋转。2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 所述多个喷射口包含: 中心喷射口，配置在中央； 多个周边喷射口，以等角度间隔地配置在以所述中心轴为中心的圆周上。3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于， 所述多个喷射口配置在以所述中心轴为中心的半径小于等于60_的圆内。4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于， 所述多个喷射口配置在以所述中心轴为中心且半径小于等于所述基板的半径的40%的圆内。5.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于， 从所述多个喷射口中的每一个喷射口喷射的所述清洗液的流量小于等于每分钟I升。6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于， 从所述多个喷射口中的至少一个喷射口喷射的所述清洗液的喷射方向与所述中心轴所成的角度大于等于30度。7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于， 还具有用于形成被密闭的内部空间的密闭空间形成部，在该内部空间中，利用所述清洗液对所述基板进行清洗处理。8.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 所述多个喷射口配置在以所述中心轴为中心的半径小于等于60_的圆内。9.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于， 所述多个喷射口配置在以所述中心轴为中心且半径小于等于所述基板的半径的40%的圆内。10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于， 从所述多个喷射口中的每一个喷射口喷射的所述清洗液的流量小于等于每分钟I升。11.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于， 从所述多个喷射口中的至少一个喷射口喷射的所述清洗液的喷射方向与所述中心轴所成的角度大于等于30度。12.如权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于， 还具有用于形成被密闭的内部空间的密闭空间形成部，在该内部空间中中，利用所述清洗液对所述基板进行清洗处理。13.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 所述多个喷射口配置在以所述中心轴为中心且半径小于等于所述基板的半径的40%的圆内。14.如权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，从所述多个喷射口中的每一个喷射口喷射的所述清洗液的流量小于等于每分钟I升。15.如权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于， 从所述多个喷射口中的至少一个喷射口喷射的所述清洗液的喷射方向与所述中心轴所成的角度大于等于30度。16.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于， 还具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林健司，泉本贤治，岩﨑晃久，三浦丈苗，西东和英，
申请(专利权)人：大日本网屏制造株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP