【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有彩色陷波滤波器的模拟IMOD
[0001 ] 本专利技术涉及用于有源地显示图像的机电系统和显示装置。
技术介绍
机电系统(EMS)包含具有电气和机械元件、激活器、换能器、传感器、光学组件(包含镜)和电子器件的装置。EMS可在多种尺度下制造,包含(但不限于)微尺度和纳米尺度。举例来说,微机电系统(MEMS)装置可包含具有范围从约一微米到数百微米或更大的大小的机构。纳米机电系统(NEMS)装置可包含具有小于一微米的大小的结构,包含(例如)小于数百纳米的大小。可使用沉积、蚀刻、光刻和/或其它蚀刻掉衬底和/或已沉积材料层的部分或者添加层以形成电装置和机电装置的微加工工艺来产生机电元件。 一种类型的EMS装置被称为干涉式调制器(MOD)。如本文中所使用,术语MOD或干涉式光调制器是指使用光学干涉的原理来选择性地吸收和/或反射光的装置。在一些实施例中,IMOD可包含一对导电板,所述对导电板中的一者或两者可为整体或部分透明和/或反射性的,且能够在施加适当电信号时相对运动。在一实施方案中,一个板可包含沉积于衬底上的静止层,且另一板可包含通过气隙与所述静止层分开的反射膜。一个板相对于另一板的位置可改变入射于MOD上的光的光学干涉。MOD装置具有广泛范围的应用,且预期用于改善现有产品且创造新产品,尤其是具有显示能力的产品。
技术实现思路
本专利技术的系统、方法和装置各自具有若干创新方面,其中没有单个一者单独地负责本文中所揭示的所需属性。 本专利技术中所描述的标的物的一个创新方面可在包含模拟干涉式调制器(AIMOD)的装置中实施。AIMO ...
【技术保护点】
一种装置,其包括:模拟干涉式调制器AIMOD,其包含衬底,所述衬底具有经暴露以接收入射光的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧;固定的第一电极,其安置于所述衬底的所述第二侧上;光学堆叠,其安置于所述衬底的所述第二侧上,所述光学堆叠包含宽频带吸收层;第二电极,其在所述第一电极和所述光学堆叠上方,使得在所述第二电极与第一电极之间存在腔;宽频带反射式可移动层,其耦合到所述第二电极,所述可移动层经配置以响应于跨所述第一电极和所述第二电极而施加的电压而相对于所述光学堆叠移动到至少三个不同位置;及陷波滤波器,其位于所述可移动层的与所述光学堆叠和所述衬底相同的侧上,所述陷波滤波器与所述可移动层间隔开且具有波长相依透射特性,所述波长相依透射特性选择性地至少部分吸收在400nm与600nm之间的波长区内的波长频带中的光。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.01.26 US 13/358,7691.一种装置,其包括: 模拟干涉式调制器AIMOD,其包含 衬底,所述衬底具有经暴露以接收入射光的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧; 固定的第一电极,其安置于所述衬底的所述第二侧上; 光学堆叠,其安置于所述衬底的所述第二侧上,所述光学堆叠包含宽频带吸收层; 第二电极,其在所述第一电极和所述光学堆叠上方,使得在所述第二电极与第一电极之间存在腔; 宽频带反射式可移动层,其耦合到所述第二电极,所述可移动层经配置以响应于跨所述第一电极和所述第二电极而施加的电压而相对于所述光学堆叠移动到至少三个不同位置;及 陷波滤波器,其位于所述可移动层的与所述光学堆叠和所述衬底相同的侧上,所述陷波滤波器与所述可移动层间隔开且具有波长相依透射特性,所述波长相依透射特性选择性地至少部分吸收在400nm与600nm之间的波长区内的波长频带中的光。2.根据权利要求1所述的装置,其中所述可移动层包含金属反射器及一或多个电介质层,所述一或多个电介质层安置于所述金属反射器的最接近所述宽频带吸收层的表面上。3.根据权利要 求1或2所述的装置,其中所述陷波滤波器安置于所述第一电极与所述衬底之间。4.根据权利要求1或2所述的装置,其中所述陷波滤波器安置于所述第一电极与所述腔之间。5.根据权利要求1或2所述的装置,其进一步包括覆盖玻璃,所述覆盖玻璃经安置以使得所述衬底在所述覆盖玻璃与所述可移动层之间,其中所述覆盖玻璃包含所述陷波滤波器。6.根据任一前述权利要求所述的装置,其中所述陷波滤波器包含以下各者中的至少一者:薄膜染料、多个金属纳米颗粒、Rugate滤波器及全息滤波器。7.根据任一前述权利要求所述的装置,其中所述波长频带从450nm延伸到600nm。8.根据任一前述权利要求所述的装置,其中所述可移动层被配置成可定位在距所述光学堆叠第一距离处,使得由所述可移动层和所述光学反射的光看似大体上白色的,且其中所述陷波滤波器经定位以接收入射光且接收从所述可移动层反射的所述光。9.根据任一前述权利要求所述的装置,其中当所述可移动层定位在距所述光学堆叠产生具有大体上白色外观的光的宽频带反射的第一距离处时,所述陷波滤波器经配置以减小所述AIMOD的反射色彩与发光体D65的反射色彩之间的色度差异。10.根据权利要求9所述的装置,其中所述第一距离在约Onm与约20nm之间。11.根据任一前述权利要求所述的装置,其中所述宽频带吸收层包含所述固定的第一电极。12.根据任一前述权利要求所述的装置,其中所述反射式可移动层包含所述第二电极。13.根据任一前述权利要求所述的装置,其进一步包括: 显示器,其包含所述AIMOD ; ...
【专利技术属性】
技术研发人员:吉安·J·马,塔利斯·Y·张,约翰·H·洪,约恩·比塔,
申请(专利权)人:高通MEMS科技公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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