测试结构的断路定位方法技术

本发明专利技术提供了一种测试结构的断路定位方法，包括：首先进行步骤一：提供一测试结构，所述测试结构包括阴极端以及阳极端；然后进行步骤二：将所述阴极端接地，并分别对所述阴极端和所述阳极端进行电压衬度检查，如果所述阴极端的电压衬度为亮，所述阳极端的电压衬度为暗，则进行步骤三：对所述阴极端和阳极端之间所述测试结构分段制备剖面，分别对所述测试结构的分段剖面进行电压衬度检查，根据所述测试结构的分段剖面的电压衬度，判断所述测试结构的断路位置。该方法可以精确、快速地定位测试结构中断路位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造业中的可靠性(Reliability)领域，特别涉及一种。
技术介绍
电迁移(electromigrat1n,简称EM)是一种由于导体中离子的逐步运动而导致的物质(material)转移现象，其内在机理是导电电子与扩散的金属原子之间的动量(momentum)转移。对于存在高直流电流密度(high directcurrent densities)的场合，例如微电子领域中，电迁移效应非常关键。随着集成电路产品的尺寸不断减小，电迁移效应的现实意义不断增加。电迁移发生时，一个运动电子的部分动量转移到邻近的激活离子(activated 1n)，这会导致该离子离开它的原始位置。随着时间推移，这种力量会引起庞大数量的原子远离它们的原始位置。电迁移会导致导体(尤其是狭窄的导线)中出现断裂(break)或缺口(gap)阻止电的流动,这种缺陷被称为空洞(void)或内部失效(internalfailure)，即开路。电迁移还会导致一个导体中的原子堆积(pile up)并向邻近导体漂移(drift)形成意料之外的电连接,这种缺陷被称为小丘失效(hillock failure)或晶须失效(whisker failure),即断路。上述两类缺陷都会引起电路故障。 通过测试一定的测试结构来评估制程抗电迁移的能力，电迁移的测试结构有很多种，其中有一种是下层互连线通过通孔连接到上层互连线，经过一定长度的上层互连线之后再由通孔连接到下层互连线。测试的电流就是经历了一个从下层互连线到上层互连线再由通孔流到下层互连线的过程，根据电流的流向，这种结构称为Upstream结构，即上游结构。与Upstream结构对应的还有Downstream结构，即下游结构，顾名思义,Downstream结构的电流流向就是从上层互连线到下层互连线再回到上层互连线的一个通路。 目前，为了定位电迁移的测试结构中缺陷，一般采用扫描电子显微镜放大观察，扫描电子显微镜的分辨率达到几个纳米。然而，由于电迁移的测试结构的面积也往往在100微米乘100微米以上，要从中找到小于I微米的缺陷，需要很长时间。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，可以精确、快速地定位测试结构中断路位置。 为解决上述技术问题，本专利技术提供一种，包括: 步骤一:提供一测试结构，所述测试结构包括阴极端以及阳极端； 步骤二:将所述阴极端接地，并分别对所述阴极端和所述阳极端进行电压衬度检查，如果所述阴极端的电压衬度为亮，所述阳极端的电压衬度为暗，则进行步骤三； 步骤三:对所述阴极端和阳极端之间所述测试结构分段制备剖面，分别对所述测试结构的分段剖面进行电压衬度检查，根据所述测试结构的分段剖面的电压衬度，判断所述测试结构的断路位置。 可选的，所述测试结构包括: 第一连接线； 第一通孔结构，所述第一通孔结构的一端连接所述第一连接线的一端； 第二连接线，所述第一通孔结构的另一端连接所述第二连接线的一端； 第二通孔结构，所述第二通孔结构的一端连接所述第二连接线的另一端； 第三连接线，所述第二通孔结构的另一端连接所述第三连接线的一端； 阳极垫片，所述阳极垫片与所述第一连接线电性连接，所述阳极垫片为所述阳极端；以及 阴极垫片，所述阴极垫片与所述第三连接线电性连接，所述阴极垫片为所述阴极端。 可选的，所述步骤三包括: 将第一通孔结构、第一连接线的一端和第二连接线的一端分为第一段，对所述第一段制备剖面，并对所述第一段的剖面进行电压衬度检查。 可选的， 如整个所述第一段的电压衬度均为亮，则所述断路位置位于所述第一段与所述阳极垫片之间； 如整个所述第一段的电压衬度均为暗，则所述断路位置位于所述第一段与所述阴极垫片之间； 如所述第一通孔结构和所述第一连接线的电压衬度不同，则所述断路位置位于所述第一通孔结构与所述第一连接线的一端之间； 如所述第一通孔结构和所述第二连接线的电压衬度不同，则所述断路位置位于所述第一通孔结构与所述第二连接线的一端之间。 可选的，所述步骤三包括: 将第二通孔结构、第二连接线的另一端和第三连接线的一端分为第二段，对所述第二段制备剖面，并对所述第二段的剖面进行电压衬度检查。 可选的， 如整个所述第二段的电压衬度均为亮，则所述断路位置位于所述第二段与所述阳极垫片之间； 如整个所述第二段的电压衬度均为暗，则所述断路位置位于所述第二段与所述阴极垫片之间； 如所述第二通孔结构和所述第二连接线的电压衬度不同，则所述断路位置位于所述第二通孔结构与所述第二连接线的另一端之间； 如所述第二通孔结构和所述第三连接线的电压衬度不同，则所述断路位置位于所述第二通孔结构与所述第三连接线的一端之间。 可选的，所述还包括: 步骤四:再次分别对所述阴极端和所述阳极端进行电压衬度检查，如果所述阴极端的电压衬度为亮，所述阳极端的电压衬度为暗，则进行步骤三中的所述断路位置可信。 可选的，在所述步骤三中，如果其中一所述测试结构的分段的剖面的电压衬度具有两种亮度，则所述断路位置位于所述其中一测试结构的分段内。 可选的，采用高性能聚焦离子束制备剖面。 可选的，采用扫描电子显微镜进行扫描进行电压衬度检查。 与现有技术相比，本专利技术提供的具有以下优点: 在本专利技术提供的中，首先进行步骤一:提供一测试结构，所述测试结构包括阴极端以及阳极端；然后进行步骤二:将所述阴极端接地，并分别对所述阴极端和所述阳极端进行电压衬度检查，如果所述阴极端的电压衬度为亮，所述阳极端的电压衬度为暗，则进行步骤三:对所述阴极端和阳极端之间所述测试结构分段制备剖面，分别对所述测试结构的分段剖面进行电压衬度检查，根据所述测试结构的分段剖面的电压衬度，判断所述测试结构的断路位置。该方法可以精确、快速地定位测试结构中断路位置。 【附图说明】 图1是本专利技术一实施例的的流程图； 图2是本专利技术一实施例的测试结构的示意图； 图3是本专利技术一实施例的第一段以及第二段的示意图； 图4-图7是本专利技术一实施例的第一段的剖面的电压衬度示意图； 图8-图11是本专利技术一实施例的第二段的剖面的电压衬度示意图。 【具体实施方式】 下面将结合示意图对本专利技术的进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。 为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本专利技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。 在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。 本专利技术的核心思想在于，提供一种，包括: 步骤S本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测试结构的断路定位方法，其特征在于，包括：步骤一：提供一测试结构，所述测试结构包括阴极端以及阳极端；步骤二：将所述阴极端接地，并分别对所述阴极端和所述阳极端进行电压衬度检查，如果所述阴极端的电压衬度为亮，所述阳极端的电压衬度为暗，则进行步骤三；步骤三：对所述阴极端和阳极端之间所述测试结构分段制备剖面，分别对所述测试结构的分段剖面进行电压衬度检查，根据所述测试结构的分段剖面的电压衬度，判断所述测试结构的断路位置。

【技术特征摘要】
1.一种测试结构的断路定位方法，其特征在于，包括: 步骤一:提供一测试结构，所述测试结构包括阴极端以及阳极端； 步骤二:将所述阴极端接地，并分别对所述阴极端和所述阳极端进行电压衬度检查，如果所述阴极端的电压衬度为亮，所述阳极端的电压衬度为暗，则进行步骤三； 步骤三:对所述阴极端和阳极端之间所述测试结构分段制备剖面，分别对所述测试结构的分段剖面进行电压衬度检查，根据所述测试结构的分段剖面的电压衬度，判断所述测试结构的断路位置。2.如权利要求1所述的测试结构的断路定位方法，其特征在于，所述测试结构包括: 第一连接线； 第一通孔结构，所述第一通孔结构的一端连接所述第一连接线的一端； 第二连接线，所述第一通孔结构的另一端连接所述第二连接线的一端； 第二通孔结构，所述第二通孔结构的一端连接所述第二连接线的另一端； 第三连接线，所述第二通孔结构的另一端连接所述第三连接线的一端； 阳极垫片，所述阳极垫片与所述第一连接线电性连接，所述阳极垫片为所述阳极端；以及 阴极垫片，所述阴极垫片与所述第三连接线电性连接，所述阴极垫片为所述阴极端。3.如权利要求2所述的测试结构的断路定位方法，其特征在于，所述步骤三包括: 将第一通孔结构、第一连接线的一端和第二连接线的一端分为第一段，对所述第一段制备剖面，并对所述第一段的剖面进行电压衬度检查。4.如权利要求3所述的测试结构的断路定位方法，其特征在于， 如整个所述第一段的电压衬度均为亮，则所述断路位置位于所述第一段与所述阳极垫片之间； 如整个所述第一段的电压衬度均为暗，则所述断路位置位于所述第一段与所述阴极垫片之间； 如所述第一通孔结构和所述第一连接线的电压衬度不同，则所述断路位置位于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈强，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31