放射线固化型切割用粘合带制造技术

本发明专利技术提供一种放射线固化型切割用粘合带，其即使对设置有贯通电极的半导体芯片等也能在拾取工序时容易地进行拾取而不会产生残胶。本发明专利技术的放射线固化型切割用粘合带(1)，其特征在于，其是在基材片(2)上设置有放射线固化型粘合剂层(3)的放射线固化型粘合带(1)，其在放射线固化后的杨氏模量相对于其在放射线固化前的杨氏模量的比即放射线固化后的杨氏模量/放射线固化前的杨氏模量为1.0～1.8。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】放射线固化型切割用粘合带
本专利技术涉及在为了使半导体晶片等实现元件小片化而对其进行切割(dicing)时用于固定该半导体晶片等被切断体的粘合带。
技术介绍
以往的半导体装置通过使设置于基板上的半导体芯片通过引线接合(wirebonding)进行导电连接而制造。近年来，对应于使机器进一步小型化、薄型化、轻量化的要求，对以这些机器内部所使用的半导体装置为代表的电子部件也有同样的要求。为了实现电子部件的小型化，提出了例如层叠半导体芯片以实现高密度安装的三维安装技术(例如参照专利文献I)。此外，作为进行三维安装技术的方法，例如提出了形成贯通芯片的电极(贯通电极)、并经由该电极层叠有称为插入物(interposer)的安装用芯片的半导体封装结构(例如参照专利文献2)。 目前正在研究如下技术:使形成有贯通电极的晶片切断分离成元件小片(半导体芯片)(切割(dicing)工序)，并且在对这些半导体芯片进行拾取的工序(拾取(pick-up)工序)中使用具有放射线固化型粘合层的晶片切割加工用粘合带。 在使用具有放射线固化型粘合层的切割用粘合带时，在切割工序中必须充分地保持晶片。然而，设置有贯通电极的晶片通常在一面或两面具有高度为3?几十ym的贯通电极的突起部。因此，即便贴合以往的切割加工用粘合带，大多也无法追随该突起部而无法保持晶片。另外，该结果会导致在贯通电极的突起周边部产生空隙。通常，在切割工序中利用被称为刀片(blade)的旋转刀刃对芯片进行单片化。在粘合剂层与贯通电极的突起周边部之间具有空隙而无法充分地保持晶片时，因切削时的冲击而使芯片振动，引起刀片与芯片的冲撞，产生芯片缺损(破裂(chipping))而降低芯片的成品率。 为了消除切割工序时的不良情况，提出了使粘合剂层的凝胶分率及10°C的储存弹性模量在特定范围内的放射线固化型切割用粘合带(例如参照专利文献3)。对于专利文献3的放射线固化型切割用粘合带而言，通过使其具有使凝胶分率和储存弹性模量在特定范围内的粘合剂层，从而消除了切割工序时的上述不良情况。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开2002-50738号公报 专利文献2:日本特开2005-236245号公报 专利文献3:日本特开2006-202926号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 然而，对于上述专利文献3的放射线固化型切割用粘合带而言，在进行切割后，对粘合剂层照射放射线而使其固化，由此使粘合力降低，此时，由于粘合剂层固化收缩，因此使粘合剂层包住(日文原文:嚙> 二 ti.)贯通电极等的晶片表面的突起，导致产生无法良好地拾取经切割后的半导体芯片的问题。在上述专利文献3的放射线固化型切割用粘合带中，使用含有因刺激而产生气体的气体产生剂的粘合剂。然而，在粘合剂中产生气体的机制中，由于粘合剂变脆，因此可能产生粘合剂碎屑对芯片的附着(残胶)、使成品率降低。 因此，本专利技术的目的在于提供一种放射线固化型切割用粘合带，其即使对设置有贯通电极的半导体芯片等也能在拾取工序中容易地进行拾取而不会产生残胶。 用于解决上述课题的手段 为了解决上述课题，本专利技术的放射线固化型切割用粘合带，其特征在于，其是在基材片上设置有放射线固化型粘合剂层的放射线固化型粘合带，其在放射线固化后的杨氏模量相对于其在放射线固化前的杨氏模量的比为1.0?1.8。 上述放射线固化型切割用粘合带优选使上述粘合剂层在放射线固化前的储存弹性模量 G’ 为 1.8 X 14 ?4.7 X 14Pa0 此外，上述放射线固化型切割用粘合带优选使上述粘合剂层在放射线固化前的损失系数tan δ为0.20?0.35。 此外，上述放射线固化型切割用粘合带适合在切割半导体晶片时使用。 此外，上述放射线固化型切割用粘合带适合使用在上述半导体晶片在与上述粘合剂层贴合的面具有突起物或段差的情况。 专利技术效果 根据本专利技术，可减少切割工序中的破裂，且即使对设置有贯通电极的半导体芯片也能在拾取工序中容易地进行拾取而不会产生残胶。 【附图说明】 图1是表示本专利技术的实施方式的放射线固化型切割用粘合带的结构的示意性剖面图。 图2是表示使用本专利技术的实施例的放射线固化型切割用粘合带所切断的芯片的结构的示意性俯视图平面图。 【具体实施方式】 以下对本专利技术的实施方式进行详细说明。 本专利技术的实施方式的放射线固化型切割用粘合带I在基材片2的至少一侧形成至少I层粘合剂层3。图1是表示本专利技术的放射线固化型切割用粘合带I的优选实施方式的示意性剖面图，放射线固化型切割用粘合带I具有基材片2，并且在基材片2上形成粘合剂层3。 对本专利技术的实施方式的放射线固化型切割用粘合带I而言，其在放射线固化后的杨氏模量相对于其在放射线固化前的杨氏模量的比(放射线固化后的杨氏模量/放射线固化前的杨氏模量)为1.0?L 8。 在放射线固化型切割用粘合带I的贴合粘合剂层3的面将具有突起物(bump)或段差的晶片贴合于放射线固化型切割用粘合带I时，优选使突起物或段差大致完全埋入粘合剂层3中。在突起物或段差与放射线固化型切割用粘合带I之间具有空隙时，因切割工序中的旋转刀刃(刀片)的振动而使芯片大幅振动，引起芯片与刀片或相邻的芯片接触，产生芯片缺损。 另一方面，在突起物或段差大致完全埋入粘合剂层3的情况下，可减低旋因转刀刃振动的影响，在构成粘合剂层3的粘合剂中使用放射线固化型粘合剂组成的情况下，由于粘合剂层3在密接于突起物或段差的状态下固化，因此在拾取工序时粘合剂层3会覆盖突起物或段差而产生无法拾取的不良情况。 此处，放射线固化型粘合剂是指:至少含有在分子内末端具有碳-碳不饱和键的化合物(a)及接受放射线而产生自由基的称为引发剂的化合物的粘合组合物。通过照射放射线，使引发剂活化，并利用所产生的自由基使末端的碳-碳不饱和键连续活化，由此化合物(a)逐渐键合而使化合物(a)彼此间形成交联。 在形成交联前，由于通过使分散于粘合剂中的多个化合物(a)交联而使其聚集并键合，因此粘合剂在交联后较交联前变得更硬。在密接于突起物或段差的状态下引起该交联反应时，由于变硬的粘合剂覆盖突起物或段差而阻害平顺地剥离。特别是在具有贯通电极的晶片中，由于贯通晶片内部而形成突起物，因此使芯片强度显著减弱，在阻碍剥离时，容易引起芯片破损。通过调整粘合剂的固化程度，可以使因该粘合剂固化而引起的对突起物或段差的覆盖得到抑制。 作为粘合剂的固化程度的指标，有放射线固化型切割用粘合带I的拉伸弹性模量。放射线固化前的拉伸弹性模量与固化后的拉伸弹性模量之比(放射线固化后的拉伸弹性/固化前的拉伸弹性模量)越接近1，意味着与交联形成前相比硬度变化越小。如上所述，放射线固化型的粘合剂层3通过照射放射线而发生固化反应，因此上述的比例通常大于I。该比例为1.8以下时，对突起物或段差的覆盖较小，可容易地进行拾取。该比例大于 1.8时，产生对突起物或段差的覆盖，在拾取工序的上顶(日文原文:突t上(f )时施加于芯片的应力变大，无法进行拾取或产生芯片破损。 另外，此处的拉伸弹性模量是依照JIS K 7127:1999所得的值。此外，一般而言基材片2较粘合剂层3的厚度更厚，且刚性更高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种放射线固化型切割用粘合带，其特征在于，其是在基材片上设置有放射线固化型粘合剂层的放射线固化型粘合带，其在放射线固化后的杨氏模量相对于其在放射线固化前的杨氏模量的比例即放射线固化后的杨氏模量/放射线固化前的杨氏模量为1.0～1.8。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.09.27 JP 2012-2147761.一种放射线固化型切割用粘合带，其特征在于，其是在基材片上设置有放射线固化型粘合剂层的放射线固化型粘合带， 其在放射线固化后的杨氏模量相对于其在放射线固化前的杨氏模量的比例即放射线固化后的杨氏模量/放射线固化前的杨氏模量为1.0?1.8。2.根据权利要求1所述的放射线固化型切割用粘合带，其特征在于，所述粘合剂层在...

【专利技术属性】
技术研发人员：大田乡史，玉川有理，矢吹朗，服部聪，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP