本发明专利技术提供一种可以测量薄板状且高矫顽力的磁性体试样的微小区域的矫顽力和矫顽力分布的磁场测量装置。其中，对磁性体试样(5)施加第1方向的磁场并使其大致饱和磁化。接着，在施加了与第1磁场相反的方向的第2磁场之后，由测量部(2)扫描磁性体试样(5)的表面，由此检测磁性体试样(5)的起因于剩磁的泄漏磁通。在一边使施加于磁性体试样(5)的第2磁场强度渐增一边重复由测量部(2)进行的测定，并得到从磁性体试样(5)泄漏的磁场强度变为最大的第2磁场，并对磁性体试样(5)施加相当于矫顽力的磁场而大致一半量的磁化反转的情况下，基于退磁场(Hd)为最小且泄漏至外部的磁通为最大的判断来得到磁性体试样(5)的矫顽力。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁测量装置
本专利技术涉及用于经由泄漏磁通的测量来测量磁性体试样的磁特性特别是矫顽力的磁场测量装置。
技术介绍
近年来，出于节省能量的观点，在混合动力汽车(HEV)或家电产品中所使用的各种电机所用的永久磁体中，要求高性能的磁体。特别是为了应对高温下的使用环境，要求在耐热性上优异且具有高矫顽力。作为具有高的矫顽力的高性能永久磁体，已知的有在Nd-Fe-B系磁体中添加了 Dy或Tb的永久磁体,但是Dy或Tb的使用出于节省资源的观点并不优选。 因此，为了极力抑制上述Dy或Tb的使用量，提出了提高仅大的退磁场所作用的部分的矫顽力的所谓矫顽力在磁性体内分布的结构的磁体的方案(专利文献I)。 为了这样地评价矫顽力在磁性体内分布的试样，要求可以测量亚毫米以下微小区域中的矫顽力的测量装置。 以往,在磁性体试样的磁特性测量中，使用B-H曲线示踪器(B-H curve tracer)或振动样品磁强计(VSM:Vibrating Sample Magneto-meter)。然而，在这些测量装置中，只不过是测量成为测量对象的磁性体的平均的磁特性，并不能测量磁特性的分布即微小区域的磁特性。 通过由切割加工等来分割成为测量对象的磁性体并用VSM等来进行测定从而测量微小区域的磁特性的方法也得到考虑。然而，由于加工所引起的对磁性体表面层的损伤而造成不能测量磁性体试样的本质性的磁特性的情形仍被担忧。 为了不伴着磁性体试样的加工来测量磁性体试样的微小区域的磁特性，使用了磁力显微镜(MFM:Magnetic Force Microscopy)。 为了使用MFM来测量试样的微小区域中的矫顽力，有必要在磁场中测量磁性体试样。但是，由于在高磁场中测量头受到磁场的影响，因此不能够进行测量，难以评价添加前述Dy或Tb而得到的那样的高矫顽力试样的矫顽力。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本再公表特许W02008/123251号公报 专利文献2:日本特开2006-17557号公报 在专利文献2中公开了利用了磁力显微镜的垂直磁记录介质中的矫顽力分布解析方法及其解析装置，其在大致垂直于试样地施加磁场的状态下检测对应于从试样表面的磁畴产生的泄漏磁通的磁通。然而，在对试样以及扫描其表面的测量头施加强磁场的情况下，由于测量头的磁化状态发生变化这样的问题而使强磁场中的测量困难，不能评价高矫顽力试样的矫顽力。
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题 本专利技术认识到这样的状况，其目的在于提供一种不对测量磁性体试样的泄漏磁通的测量部施加磁场便能够评价高矫顽力试样的矫顽力的磁场测量装置。 解决技术问题的手段 本专利技术是一种磁场测量装置，其特征在于:是测量磁性体试样的矫顽力的磁场测量装置，具备--第I磁场产生部，其对所述磁性体试样施加第I方向的外部磁场并进行大致饱和磁化；第2磁场产生部,其对所述磁性体试样施加与所述第I方向相反的反方向的磁场并进行退磁；测量部，其测量被所述第2磁场产生部退磁后的所述磁性体试样的泄漏磁通；矫顽力判定部，其控制所述第I和第2磁场产生部以及所述测量部的动作，得到依次变更所述反方向的磁场大小时的所述泄漏磁通，并将该泄漏磁通最大时的所述磁场的大小作为所述磁性体试样的矫顽力而输出。本专利技术通过具有这样的构造来测量退磁后的磁性体试样，因而如在测量中施加磁场的情况那样测量部不受所施加的磁场的影响。另外，由于以所述磁性体试样的泄漏磁通最大时的第2磁场产生部的磁场的大小为基础作为磁性体试样的矫顽力而输出，因此能够不受退磁场的影响地正确测量磁性体试样的剩磁。 另外，在本专利技术中，可选地，所述第I磁场产生部兼备所述第2磁场产生部的功能。 另外，在本专利技术中，可选地，所述第2磁场产生部对所述磁性体试样施加一样的磁场。 专利技术的效果 根据本专利技术，对于具有高的矫顽力的磁性体试样(例如在Nd-Fe-B系磁体中添加了 Dy或Tb的磁体)，不会有测量部被外部磁场磁化这样的问题且微小区域的矫顽力的测量变得可能。 【附图说明】 图1是表示本专利技术所涉及的磁场测量装置的概略立体图。 图2是表示磁性体试样的矫顽力分布测量动作的流程图。 图3是矫顽力分布测量例子中所使用的磁性体试样的磁化-磁场曲线。 图4是表示磁性体试样的矫顽力分布测量例子的泄漏磁通分布图。 符号的说明: I 基台 2测量部 4支架臂 5磁性体试样 6磁场产生装置 7 磁极 10 XYZ 工作台 11 X工作台 12 Y工作台 13 Z工作台 20 XYZ 臂 21 X 臂 22 Y 臂 23 Z 臂 [0041 ]30 Zm轴驱动系统 40控制部 【具体实施方式】 以下，一边参照附图一边详述本专利技术的优选实施方式。再有，对各附图所示的相同或同等的构成要素、构件、处理等赋予相同的符号，并适当省略重复的说明。另外，实施方式并不是限定专利技术的实施方式而是例示，实施方式中所记载的所有特征或其组合未必限制本专利技术的实质性的东西。 图1是表示本专利技术所涉及的磁场测量装置整体结构的概略立体图。在图1中，具有在Xt轴方向(平行于图示的XYZ正交3轴当中的X轴)上滑动自如的X工作台11、配置在X工作台11上并在Yt轴(平行于XYZ正交3轴当中的Y轴)方向上滑动自如的Y工作台12、以及配置在Y工作台12上并在Zt轴(平行于XYZ正交3轴当中的Z轴)方向上滑动自如的Z工作台13的XYZ工作台10设置在基台I上，在Z工作台13上定位并固定有具有薄板状的形态的磁性体试样5。另外，本专利技术所涉及的磁场测量装置包含控制部40，其控制测量装置各个部分，以所测量的泄漏磁通为基础来进行判断，并算出磁特性及其分布。 本专利技术的成为测量对象的磁性体试样是指包含=R-T-B系、R-T系那样的稀土类磁体；Ba铁氧体、Sr铁氧体那样的氧化物磁体；还有磁体那样的不具有高的矫顽力的软磁性体。另外，在磁性体试样的磁化方向相对于薄板状的试样的形状为法线方向的情况下，本专利技术可以利用容易的结构来实现，但是在磁化方向为面内(in-plane)的情况下,本专利技术也能有效地发挥功能。 XYZ工作台10的驱动方式可以是由电机驱动的方式，也可以是由压电致动器驱动的方式。XYZ工作台10的在XY方向上的移动行程只要以覆盖试样的测量区域的方式设定即可。由此，可以测量试样的全体测量区域。XYZ工作台10的在XY方向上的移动行程例如为IOX 10mm。XYZ工作台10的在Z方向上的移动行程只要设置得比试样的厚度足够大即可。由此，可以使磁性体试样5容易接近于测量部2、磁场产生部6。在本实施方式中,磁场产生部6是通过I个磁极7施加第I方向的磁场来进行大致饱和磁化，并施加与所述第I方向相反的方向的磁场并进行退磁。因此，在本实施方式中磁场产生部6兼备第I磁场产生部和第2磁场产生部，但是也可以分别设置第I磁场产生部和第2磁场产生部。XYZ工作台10的在XY方向上的定位分辨率只要设定得比磁性体试样5的磁畴的大小足够小即可。由此，微小区域的泄漏磁通分布测量变得可能。在XY方向上的定位分辨率例如为10nm。XYZ工作台10的在Z方向上的定位分辨率只要设定得比磁性体试样5的表面粗糙度足够小即可。由此，不本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种磁场测量装置，其特征在于：是一种测量磁性体试样的矫顽力的磁场测量装置，具备：第1磁场产生部，其对所述磁性体试样施加第1方向的外部磁场来进行大致饱和磁化；第2磁场产生部，其对所述磁性体试样施加与所述第1方向相反的反方向的磁场来进行退磁；测量部，其测量起因于被所述第2磁场产生部退磁后的所述磁性体试样的剩磁的泄漏磁通；以及矫顽力判定部，其控制所述第1和第2磁场产生部以及所述测量部的动作，得到依次变更所述反方向的磁场的大小时的所述泄漏磁通，并以该泄漏磁通最大时的所述磁场大小为基础作为所述磁性体试样的矫顽力而输出。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.01.26 JP 2012-0145511.一种磁场测量装置，其特征在于: 是一种测量磁性体试样的矫顽力的磁场测量装置， 具备: 第I磁场产生部，其对所述磁性体试样施加第I方向的外部磁场来进行大致饱和磁化； 第2磁场产生部，其对所述磁性体试样施加与所述第I方向相反的反方向的磁场来进行退磁； 测量部，其测量起因于被所述第2磁场产生部退磁后的所述磁性体试...
【专利技术属性】
技术研发人员：铃木健一，近松努，小川昭雄，崔京九，桥本龙司，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。