具有窄激光发射角度的多模垂直腔面发射激光器制造技术

本发明专利技术的上分布式布拉格反射镜上的保护膜具有一中心区及一边缘区。所述中心区具有相对所述边缘区向激光发射的方向突出的一凸起。其中，垂直腔面发射半导体激光器满足下列关系式：dp×n=(N/2)×λ,及dc×n=dp×n+(1/4+M/2)×λ其中，λ为真空中所述激光的波长；dc为所述保护膜的中心区的膜厚度；dp为所述保护膜的边缘区的膜厚度；n为所述保护膜的折射率（其中空气折射率<所述保护膜的折射率n<所述上分布式布拉格反射镜的折射率）；及N为自然数，M为零或自然数。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种垂直腔面发射半导体激光器，包括：一半导体多层膜，所述半导体包括一下分布式布拉格反射镜、一上分布式布拉格反射镜以及位于所述下分布式布拉格反射镜和所述上分布式布拉格反射镜之间的用以产生激光的活性层，所述激光从所述上分布式布拉格反射镜发出；以及一保护膜，所述保护膜覆盖于所述上分布式布拉格反射镜之上以允许由所述上分布式布拉格反射镜发出的所述激光穿过；所述保护膜具有一中心区和一边缘区，所述中心区包括位于所述保护膜的一凸点，所述凸点通过所述活性层的中点沿所述半导体多层膜的层体层叠方向向所述保护膜突出而形成，所述边缘区环绕所述中心区，所述中心区具有相对所述边缘区向所述激光发射的方向突出的一凸起，其特征在于，所述垂直腔面发射半导体激光器满足下列关系式：dp×n=(N/2)×λ,及dc×n=dp×n+(1/4+M/2)×λ，其中，λ为真空中所述激光的波长；dc为所述保护膜的中心区的膜厚度；dp为所述保护膜的边缘区的膜厚度；n为所述保护膜的折射率（其中空气折射率<所述保护膜的折射率n<所述上分布式布拉格反射镜的折射率）；及N为自然数，M为零或自然数。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：玉贯岳正，
申请(专利权)人：新科实业有限公司，
类型：发明
国别省市：中国香港;81