显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种显示装置，该显示装置包括：第一基底；接地电极，设置在第一基底上；薄膜晶体管，设置在第一基底上；第一钝化层，设置在薄膜晶体管上；光阻挡构件和滤色器，设置在第一钝化层上。场产生电极设置在光阻挡构件和滤色器上。接地电极以矩阵布置在第一基底上并连接到接地端子。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
本专利技术的示例性实施例涉及一种显示装置。
技术介绍
液晶显示器是目前使用的最为常见的平板显示器类型中的一种，液晶显示器包括显示装置，显示装置将电压施加到诸如像素电极和共电极的场产生电极以使液晶层的液晶分子重新排列，从而可以控制穿过液晶层的光的量。 光阻挡构件被形成以防止在液晶显示器的非显示区域中漏光。如果光阻挡构件形成在面对其上形成有像素电极的基底的另一基底上，则由于两块基底未对准，而可能不能防止非显示区域中的漏光并可能使显示区域的透射率减小。 因此，光阻挡构件可以形成在其上形成有像素电极的基底上。 然而，当诸如光阻挡构件的组成元件形成在单个基底上时，基底中产生的静电受到限制而没有正常放电，这可能导致诸如信号失真的缺陷。 在该
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用于提高对本专利技术的背景的理解，因此，其可能包含未形成对本领域普通技术人员来讲在本国中已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的示例性实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括通过其可以释放静电的接地电极。 本专利技术的附加特征将在下面的描述中阐述，部分通过描述将是明显的，或者可以通过本专利技术的实践而明了。 本专利技术的示例性实施例公开了一种显示装置，该显示装置包括:第一基底；接地电极，设置在第一基底上；薄膜晶体管，设置在第一基底上；第一钝化层，设置在薄膜晶体管上；光阻挡构件和滤色器，设置在第一钝化层上；场产生电极，设置在光阻挡构件和滤色器上。接地电极以矩阵形状布置在第一基底上并连接到接地端子。 将理解的是，前面的总体描述和下面的详细描述都是示例性的和说明性的，并且意图提供对所要求保护的本专利技术的进一步解释。 【附图说明】 附图示出了本专利技术的示例性实施例并与描述一起用于解释本专利技术的原理，包括附图以提供对本专利技术的进一步的理解，附图被包含在本说明书中并构成本说明书的一部分: 图1是示出根据本专利技术示例性实施例的显示装置的示意性布局视图。 图2是示出根据本专利技术示例性实施例的液晶显示器的俯视图。 图3是沿图2中的线II1-1II截取的剖视图。 图4是示出根据本专利技术另一示例性实施例的液晶显示器的俯视图。 图5是沿图4中的线V-V截取的剖视图。 【具体实施方式】 在下文中参照附图更加充分地描述本专利技术，附图中示出了本专利技术的示例性实施例。然而，本专利技术可以以许多不同的形式实施，并且不应该被解释为局限于这里阐述的示例性实施例。相反，提供这些示例性实施例使得本公开是完全的，这些示例性实施例将把本专利技术的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为清晰起见，可能夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。在附图中，相似的附图标记表示相似的元件。 将理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”或“连接到”另一元件或层时，它可以直接在所述另一元件或层上或直接连接到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”或者“直接连接到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。将理解的是，为了本公开的目的，“x、Y和Z中的至少一个(种)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两项或多于两个项中的任意组合(例如，ΧΥΖ、ΧΥΥ、ΥΖ、ΖΖ)。 图1是示出根据本专利技术示例性实施例的显示装置的示意性布局视图。 参照图1，显示装置包括在第一基底110上的沿水平方向延伸的栅极线121和与栅极线121交叉并沿竖直方向延伸的数据线171。多个像素PX设置在第一基底110上，多个像素PX中的每个像素可以由栅极线121和数据线171形成，接地电极128也设置在第一基底110上。 接地电极128在显示区域DP中以矩阵布置。接地电极128包括沿着与栅极线121平行的方向延伸的第一接地电极128a和沿着与数据线171平行的方向延伸的第二接地电极128b。根据本专利技术的示例性实施例，接地电极128可以设置在设置有栅极线的水平处或下面。 第一接地电极128a和第二接地电极128b中的每个布置在显示区域DP中并延伸到非显示区域NDP以连接到接地端子GRD。因此，在第一基底110的表面上产生的静电被释放到接地端子GRD，从而减小由静电导致的任何缺陷。 在下文中，将更详细地描述根据本示例性实施例的接地电极128的特征。 图2是示出根据本专利技术示例性实施例的液晶显示器的俯视图。图3是沿图2中的线II1-1II截取的剖视图。图2是图1中的区域A的放大视图。 参照图2和图3,液晶显示器包括设置有第一基底110的下面板100、设置有第二基底210的相对的上面板200以及注入到它们之间的液晶层3。 由透明材料或不透明材料制成的接地电极128和剩余接地电极(residual groundelectrode)120设置在由透明玻璃或塑料制成的第一基底110上。包括栅电极124的栅极线121设置在剩余接地电极120上。剩余接地电极120和栅极线121可以具有基本上相同的平面形状。 栅极线121不仅包括栅电极124，而且还包括用于与另一层或外部驱动电路连接的宽的端部(未示出)。栅极线121可以由诸如铝(Al)或铝合金的铝基金属、诸如银(Ag)或银合金的银基金属、诸如铜(Cu)或铜合金的铜基金属、诸如钥(Mo)或钥合金的钥基金属、铬(Cr)、钽(Ta)或者钛(Ti)制成。然而，栅极线121可以具有包括物理性质不同的至少两层导电层的多层结构。 接地电极128包括第一接地电极128a和第二接地电极128b，第一接地电极128a从与栅极线121相邻的位置沿着与栅极线121平行的方向延伸，第二接地电极128b连接到第一接地电极128a并沿着与数据线171平行的方向延伸。第一接地电极128a设置在与剩余接地电极120相同的层上，不连接到剩余接地电极120和栅极线121并与剩余接地电极120和栅极线121绝缘。第二接地电极128b仅连接到两个相邻的第一接地电极128a中的一个。这容许第二接地电极128b不与栅极线121交叉并与其绝缘的结构。 在平面视图中，第二接地电极128b设置在与数据线171相邻的位置处，但是也可以设置成与数据线171叠置。然而，第二接地电极128b形成为不与包括在栅极线121中的栅电极124交叉。 这里，接地电极128和栅极线121可以通过一个工艺形成。在第一基底110上形成诸如ITO的透明电极材料和金属材料之后，涂覆感光膜，并使用半色调工艺来形成包括其处形成有栅极线121的第一部分、其处形成有接地电极128的第二部分以及栅极线121和接地电极128被从其处除去的第三部分的感光膜图案。通过使用形成为掩模的感光膜图案图案化金属材料和透明电极材料来形成接地电极128和栅极线121。在这种情况下，设置在栅极线121下面的透明电极材料保留以形成剩余接地电极120。 由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(S1x)制成的栅绝缘层140设置在接地电极128和栅极线121上。栅绝缘层140可以具有包括物理性质不同的至少两层绝缘层的多层结构。 由非晶硅或多晶硅制成的半导体层154设置在栅绝缘层140上。半导体层154可以包括氧化物半导体。 欧姆接触163和165形成在半导体层154上。欧姆接触163和165可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，包括：第一基底；接地电极，设置在第一基底上；薄膜晶体管，设置在第一基底上；第一钝化层，设置在薄膜晶体管上；光阻挡构件和滤色器，设置在第一钝化层上；以及场产生电极，设置在光阻挡构件和滤色器上，其中，接地电极以矩阵布置并连接到接地端子。

【技术特征摘要】
2013.03.25 KR 10-2013-00316071.一种显示装置，包括: 第一基底; 接地电极，设置在第一基底上； 薄膜晶体管，设置在第一基底上； 第一钝化层，设置在薄膜晶体管上； 光阻挡构件和滤色器，设置在第一钝化层上；以及 场产生电极，设置在光阻挡构件和滤色器上， 其中，接地电极以矩阵布置并连接到接地端子。2.如权利要求1所述的显示装置，其中，接地电极设置在设置有连接到薄膜晶体管的栅极线的水平处或下面。3.如权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在场产生电极与光阻挡构件或滤色器之间的有机层。4.如权利要求3所述的显示装置，其中，接地电极包括: 第一接地电极，沿着与栅极线平行的方向延伸；以及 第二接地电极，沿着与连接到薄膜晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙玉秀，姜玲求，金贤昱，宋溱镐，张殷齐，洪性珍，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR