【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种测量装置及方法，尤其是涉及。
技术介绍
比表面积是指单位质量的物质的总表面积之和，国际单位是:m2/g，比表面积是衡量物质特性的重要参量。目前测量多孔/纳米材料和粉末的比表面积的专门仪器都是基于BET (三位科学家Brunauer、Emmett和Teller)理论来进行数据处理，即检测原理是著名的BET气体吸附理论。此类仪器通常通过探测待测样品质量的变化、容器压强的变化或与标准样品作比较来确定吸附质气体的吸附量，进而根据BET理论而计算出比表面积。 基于气体吸附理论的比表面积测量技术目前比较成熟，应用广泛，能测量任意形状的多孔/纳米材料和粉末，但其缺点是测量时需要将待测样单独放入到特定环境的固定容器中。无论对于通过自上而下法还是自下而上法生长得到的一维纳米结构阵列而言，所得纳米材料都是立于基底上的。为了利用纳米材料阵列的结构特点，通常不能将纳米材料从基底上分离出来。然而，当基底体积较大时(通常情况下，基底相对纳米材料和粉末而言是很大的)，与基体为一个整体的纳米结构阵列无法直接放入到当前主流比表面积测量仪器当中，即使通过切片减小的办法而勉强放进去，在测量过程中的吹气和振荡等处理也会破坏直立于基底上的纳米线阵列的完整性，且包含基底的测量会影响结果准确性，即当前主流测量技术无法实现无损地测量一维纳米结构阵列的比表面积。 测量一维纳米结构阵列的密集度，即单位面积上一维纳米结构的数量，通常是先借助电子显微镜拍摄出纳米结构阵列的顶端形貌图，再通过图像分析软件根据色差而算出一维结构的数量，且图片中纳米线与背景的色差对软件分...
【技术保护点】
一种无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置，所述纳米线阵列垂直设于导电基底层顶面，其特征在于，该装置包括电解池，设于所述导电基底层底面的背电极，设于所述纳米线阵列对应侧的对电极，以及覆盖于所述导电基底层顶面未生长纳米线区域的绝缘层；所述纳米线阵列和所述对电极浸入所述电解池中的电解液内，同时所述导电基底层和所述背电极与所述电解液绝缘设置，最后在所述背电极和所述对电极之间加上偏压U形成电解池回路结构。
【技术特征摘要】
1.一种无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置，所述纳米线阵列垂直设于导电基底层顶面，其特征在于，该装置包括电解池，设于所述导电基底层底面的背电极，设于所述纳米线阵列对应侧的对电极，以及覆盖于所述导电基底层顶面未生长纳米线区域的绝缘层；所述纳米线阵列和所述对电极浸入所述电解池中的电解液内，同时所述导电基底层和所述背电极与所述电解液绝缘设置，最后在所述背电极和所述对电极之间加上偏压U形成电解池回路结构。2.根据权利要求1所述的无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置，其特征在于，在所述导电基底层的侧面、所述背电极的侧面及其下表面均设有绝缘密封层。3.根据权利要求1所述的无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置，其特征在于，在所述电解池底部或侧壁上设有用于放置导电基底层的基底安装孔，且在所述基底安装孔和所述导电基底层之间设有绝缘密封圈。4.根据权利要求1所述的无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置，其特征在于，所述绝缘层选自氧化硅无机绝缘膜、氮化硅无机绝缘膜、氧化铝无机绝缘膜、氮化铝无机绝缘膜、聚酰亚胺有机绝缘膜、聚乙烯有机绝缘膜、聚偏二氟乙烯有机绝缘膜、聚四氟乙烯有机绝缘膜中的一种。5.一种无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的方法，其特征在于，包括以下步骤: 1)采用导电基底层作为纳米线阵列的基底，并在该导电基底层的底面制作背电极； 2)在上述导电基底层顶面未生长纳米线区域沉积一层绝缘层，将所述纳米线阵列和其对应侧的对...
【专利技术属性】
技术研发人员：李孝峰，吴绍龙，程国安，詹耀辉，杨阵海，曹国洋，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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