摄像装置和摄像显示系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供了摄像装置和摄像显示系统。所述摄像装置包括：像素部，所述像素部包括多个像素，各所述像素分别被配置为产生与放射线对应的信号电荷；设置在所述像素部中的场效应型的第一晶体管；以及设置在所述像素部的周边电路部中的场效应型的第二晶体管。所述第一晶体管的阈值电压与所述第二晶体管的阈值电压彼此不同。所述摄像显示系统设置有上述摄像装置和显示器，所述显示器被配置为进行与由上述摄像装置获得的摄像信号对应的图像显示。本发明专利技术可以通过减轻由晶体管的阈值电压的漂移造成的影响而实现高可靠性。

【技术实现步骤摘要】
摄像装直和摄像显不系统
本专利技术涉及包括光电转换元件的摄像装置和包括这种摄像装置的摄像显示系统。
技术介绍
近年来，已经提出了在各个像素(摄像像素)中都内置有光电转换元件这一类型的各种摄像装置。这类摄像装置的一个示例例如可包括所谓的光学式触摸面板和放射线摄像装置等(例如，参见日本未审查的专利申请公开公报N0.2011-135561 )。 虽然在上述的这类摄像装置中使用了薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)作为适用于从各个像素读出信号电荷的开关元件，但由于TFT的阈值电压的漂移，因而可能产生可靠性降低的缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种摄像装置，该摄像装置可以通过减轻由晶体管的阈值电压的漂移造成的影响而实现高可靠性，本专利技术的目的还在于提供包括这种摄像装置的摄像显示系统。 根据本专利技术的实施例，提供了一种摄像装置，它包括:像素部，所述像素部包括多个像素，各个所述像素分别被配置为产生与放射线对应的信号电荷；设置在所述像素部中的场效应型的第一晶体管；以及设置在所述像素部的周边电路部中的场效应型的第二晶体管。所述第一晶体管的阈值电压与所述第二晶体管的阈值电压彼此不同。 根据本专利技术的实施例，提供了一种摄像显示系统，所述摄像显示系统设有摄像装置和显示器，所述显示器被配置为进行与由所述摄像装置获得的摄像信号对应的图像显示。所述摄像装置包括:像素部，所述像素部包括多个像素，各个所述像素分别被配置为产生与放射线对应的信号电荷；设置在所述像素部中的场效应型的第一晶体管；以及设置在所述像素部的周边电路部中的场效应型的第二晶体管。所述第一晶体管的阈值电压与所述第二晶体管的阈值电压彼此不同。 在根据本专利技术上述各实施例的摄像装置和摄像显示系统中，使设置于像素部(该像素部包括多个像素，且各个像素产生与放射线对应的信号电荷)中的第一晶体管的阈值电压不同于设置于该像素部的周边电路部中的第二晶体管的阈值电压。因此，可以当预知例如在像素部中比在周边电路部中将会更易于发生晶体管的阈值电压漂移时设定第一晶体管和第二晶体管各自的阈值电压，且因此提高了晶体管的寿命特性。 根据本专利技术上述各实施例中的摄像装置和摄像显示系统，使设置于像素部(该像素部包括多个像素，且各个像素产生与放射线对应的信号电荷)中的第一晶体管的阈值电压不同于设置于该像素部的周边电路部中的第二晶体管的阈值电压。因此，可以当预知例如在像素部中比在周边电路部中将会更易于发生晶体管的阈值电压漂移时设定第一晶体管和第二晶体管各自的阈值电压，且可以提高晶体管的寿命特性。所以，通过减轻由晶体管的阈值电压的漂移造成的影响，可以实现高可靠性。 应当理解的是，前面的总体说明和后面的详细说明都是示例性的，旨在为本专利技术要求保护的技术提供进一步的解释。 【附图说明】 本专利技术所包含的附图为本技术的内容提供了进一步的理解，这些附图并入在本说明书中并构成本说明书的一部分。附图中图示了各实施例，并与说明书一起用于解释本技术的原理。 图1是图示了本专利技术一个实施例的摄像装置的一个总体结构示例的框图。 图2是图示了图1所示的像素等的一个具体结构示例的电路图。 图3是图示了图2所示的光电转换元件和晶体管的一个示意性结构示例的剖面图。 图4是图示了图1所示的行扫描部的一个具体结构示例的框图。 图5是图示了图1所示的列选择部的一个具体结构示例的框图。 图6A是图示了像素部中的晶体管和周边电路部中的晶体管的电流-电压特性的一个示例的特性图。 图6B是说明了 P沟道型晶体管的操作点的一个示例的特性图。 图7A是说明了像素部中的晶体管和周边电路部中的晶体管的操作点的设定方法的一个示例的剖面图。 图7B是说明了跟在图7A所示步骤后面的步骤的一个示例的剖面图。 图7C是说明了跟在图7B所示步骤后面的步骤的一个示例的剖面图。 图7D是说明了跟在图7C所示步骤后面的步骤的一个示例的剖面图。 图7E是说明了跟在图7D所示步骤后面的步骤的一个示例的剖面图。 图7F是说明了跟在图7E所示步骤后面的步骤的一个示例的剖面图。 图7G是说明了跟在图7F所示步骤后面的步骤的一个示例的剖面图。 图8是说明了由X射线照射引起的阈值电压漂移的一个示例的电流-电压特性图。 图9是图示了 X射线累积照射量(剂量)与阈值电压漂移量之间关系的一个示例的特性图。 图1OA是说明了本专利技术变形例I的晶体管的操作点的设定方法的一个示例的剖面图。 图1OB是说明了跟在图1OA所示步骤后面的步骤的一个示例的剖面图。 图1OC是说明了跟在图1OB所示步骤后面的步骤的一个示例的剖面图。 图1OD是说明了跟在图1OC所示步骤后面的步骤的一个示例的剖面图。 图1OE是说明了跟在图1OD所示步骤后面的步骤的一个示例的剖面图。 图11是图示了本专利技术变形例2的晶体管的一个结构示例的剖面图。 图12是图示了本专利技术变形例3的像素等的一个结构示例的电路图。 图13是图示了本专利技术变形例4-1的像素等的一个结构示例的电路图。 图14是图示了本专利技术变形例4-2的像素等的一个结构示例的电路图。 图15A是说明了变形例5-1的摄像装置的一个示例的示意图。 图15B是说明了变形例5-2的摄像装置的一个示例的示意图。 图16A是说明了另一变形例的晶体管的优点的一个示例的剖面图。 图16B是说明了上述另一变形例的晶体管的优点的一个示例的剖面图。 图16C是说明了上述另一变形例的晶体管的优点的一个示例的剖面图。 图16D是说明了上述另一变形例的晶体管的优点的一个示例的剖面图。 图16E是说明了上述另一变形例的晶体管的优点的一个示例的剖面图。 图17是图示了本专利技术应用例的摄像显示系统的一个示意性结构示例的示意图。 【具体实施方式】 下面将参照附图来详细说明本专利技术的一些实施例。应当注意的是，将按照下列顺序进行说明: 1、实施例(摄像装置的一个示例，该摄像装置中，像素部的晶体管的阈值电压被设定为相对于周边电路部的晶体管的阈值电压的值向正侧漂移的值) 2、变形例I (阈值电压设定方法的另一个示例) 3、变形例2 (双栅极型晶体管的一个结构示例) 4、变形例3 (另一种无源型像素电路的一个示例) 5、变形例4-1和4-2 (有源型像素电路的示例) 6、变形例5-1和5-2 (间接转换型和直接转换型放射线摄像装置的示例) 7、应用例(摄像显示系统的一个示例) 实施例 [摄像装置I的总体结构] 图1是图示了本专利技术一个实施例的摄像装置(摄像装置I)的一个总体结构示例的框图。摄像装置I可适用于根据诸如放射线等入射光(摄像光)来读出被摄物体的信息(摄取被摄物体的图像)。摄像装置I包括像素部11A，并且还包括作为像素部IlA的周边电路部IlB的行扫描部13、A/D转换部14、列扫描部15和系统控制部16。在摄像装置I中，可以在与周边电路部IlB对应的区域(例如,边框区域(bezel reg1n))中设置用于遮断放射线的遮蔽层，亦即可以由例如铅(Pb)和/或钨(W)等制成的金属遮蔽层。 (像素部11A) 像素部IIA适用于产生与入射光(摄像光)对应的电信本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种摄像装置，其包括：像素部，它包括多个像素，各所述像素分别被配置为产生与放射线对应的信号电荷；场效应型的第一晶体管，它设置在所述像素部中；以及场效应型的第二晶体管，它设置在所述像素部的周边电路部中，其中，所述第一晶体管的阈值电压与所述第二晶体管的阈值电压彼此不同。

【技术特征摘要】
2013.03.27 JP 2013-0662201.一种摄像装置，其包括: 像素部，它包括多个像素，各所述像素分别被配置为产生与放射线对应的信号电荷； 场效应型的第一晶体管，它设置在所述像素部中；以及 场效应型的第二晶体管，它设置在所述像素部的周边电路部中， 其中，所述第一晶体管的阈值电压与所述第二晶体管的阈值电压彼此不同。2.如权利要求1所述的摄像装置，其中所述第一晶体管的所述阈值电压是以所述第二晶体管的所述阈值电压的值为基准向正侧或负侧漂移的值。3.如权利要求2所述的摄像装置，其中所述第一晶体管的所述阈值电压被设定为比所述第二晶体管的所述阈值电压的值更加向所述正侧漂移的值。4.如权利要求1所述的摄像装置，其中， 所述第一晶体管包括形成沟道的第一半导体层， 所述第二晶体管包括形成沟道的第二半导体层，并且 所述第一半导体层的杂质浓度与所述第二半导体层的杂质浓度彼此不同。5.如权利要求4所述的摄像装置，其中所述第一半导体层的所述杂质浓度高于所述第二半导体层的所述杂质浓度。6.如权利要求1至5中任一项所述的摄像装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田泰弘，高徳真人，桥本诚，桑原康人，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP