采用场效应功率管的机载天线发射机制造技术

技术编号:10478557 阅读:213 留言:0更新日期:2014-09-25 16:40
本发明专利技术公开了一种采用场效应功率管的机载天线发射机,包括变压器、三端稳压器、第一二极管、第二二极管、时基集成芯片、第一非门至第三非门、压电陶瓷片、三端线路接头、第一电容至第八电容、按钮开关、第一电阻至第五电阻、第一电感、第二电感、场效应管和天线。本发明专利技术主要采用场效应管为核心元件,电路结构简单,采用元件较少,因此,成本低廉、体积小、能够降低功耗,信号强,在室内使用时没有除的方向性,抗干扰能力也较强,有利于推广。

【技术实现步骤摘要】
采用场效应功率管的机载天线发射机
本专利技术涉及一种机载天线发射机,尤其涉及一种采用场效应功率管的机载天线发 射机。
技术介绍
现有技术中的微波信号信号发射机电路结构复杂、采用集成芯片较多,因此造成 成本较高、体积大,且功耗高,不利于推广。
技术实现思路
本专利技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种采用场效应功率管的机载天 线发射机。 本专利技术通过以下技术方案来实现上述目的: 本专利技术包括变压器、三端稳压器、第一二极管、第二二极管、时基集成芯片、第一非 门至第三非门、压电陶瓷片、三端线路接头、第一电容至第八电容、按钮开关、第一电阻至第 五电阻、第一电感、第二电感、场效应管和天线,所述变压器的初级与交流电源连接,所述变 压器次级的第一端与所述第一二极管的正极连接,所述变压器次级的第二端与所述第二二 极管的正极连接,所述变压器次级的抽头同时与所述第七电容的第一端和所述第八电容的 第一端连接,所述第一二极管的负极同时与所述第二二极管的负极、所述第七电容的第二 端、所述第二电容的第二端、所述三端线路接头插头的中端、所述第三电容的第一端和所述 三端稳压器的输入端连接,所述三端线路接头插头的第一端和第二端之间通过所述按钮开 关连接,所述三端稳压器的负极同时与所述第三电容的第二端和所述第四电容的第一端连 接,所述三端稳压器的输出端同时与所述第四电容的第二端、所述第一非门的控制端和所 述时基集成电路的正极连接,所述第一非门的第一输入端同时与所述第一电容的第一端和 所述第二电容的第一端连接,所述第一非门的第二输入端同时与所述第一电容的第二端、 所述压电陶瓷片的第一端和所述第一电阻的第一端连接,所述第一非门的输出端同时与所 述第一电阻的第二端、所述第二电阻的第一端和所述第二非门的两个输入端连接,所述第 二电阻的第二端同时与所述压电陶瓷片的第二端和所述第二电容的第二端连接,所述第二 非门的输出端与所述时基集成电路的输入端连接,所述时基集成芯片的输出端与所述第三 非门的两个输入端连接,所述第三非门的输出端与所述第四电阻的第一端连接,所述时基 集成芯片的控制端同时与所述三端线路接头插座的第一端和所述第三电阻的第一端连接, 所述三端线路接头的第二端同时与所述第五电容的第一端、所述第一电感的第一端和所述 第六电容的第一端连接,所述三端线路接头的中端同时与所述第五电容的第二端和所述第 二电感的第一端连接,所述第一电感的第二端同时与所述第六电容的第二端和所述天线连 接,所述第二电感的第二端与所述场效应管的漏极连接,所述场效应管的源极与所述第五 电阻的第一端连接,所述场效应管的栅极同时与所述第五电阻的第二端和所述第四电阻的 第二端连接。所述第二电容和所述第六电容均为可变电容。 本专利技术的有益效果在于: 本专利技术主要采用场效应管为核心元件,电路结构简单,采用元件较少,因此,成本 低廉、体积小、能够降低功耗,信号强,在室内使用时没有除的方向性,抗干扰能力也较强, 有利于推广。 【附图说明】 图1是本专利技术的电路结构原理图。 【具体实施方式】 下面结合附图对本专利技术作进一步说明: 如图1所示:本专利技术包括变压器T、三端稳压器IC3、第一二极管VD1、第二二极管 VD2、时基集成芯片IC2、第一非门IC1-1至第三非门IC1-3、压电陶瓷片XT、三端线路接头 PL、第一电容C1至第八电容C8、按钮开关ST、第一电阻R1至第五电阻R5、第一电感L1、第 二电感L2、场效应管VT1和天线TX,变压器T的初级与交流电源连接,变压器T次级的第一 端与第一二极管VD1的正极连接,变压器T次级的第二端与第二二极管VD2的正极连接,变 压器T次级的抽头同时与第七电容C7的第一端和第八电容C8的第一端连接,第一二极管 VD1的负极同时与第二二极管VD2的负极、第七电容C7的第二端、第二电容C2的第二端、 三端线路接头PL插头的中端、第三电容C3的第一端和三端稳压器IC3的输入端连接,三端 线路接头PL插头的第一端和第二端之间通过按钮开关ST连接,三端稳压器IC3的负极同 时与第三电容C3的第二端和第四电容C4的第一端连接,三端稳压器IC3的输出端同时与 第四电容C4的第二端、第一非门IC1-1的控制端和时基集成电路IC2的正极连接,第一非 门IC1-1的第一输入端同时与第一电容C1的第一端和第二电容C2的第一端连接,第一非 门IC1-1的第二输入端同时与第一电容C1的第二端、压电陶瓷片XT的第一端和第一电阻 R1的第一端连接,第一非门IC1-1的输出端同时与第一电阻R1的第二端、第二电阻R2的第 一端和第二非门IC1-2的两个输入端连接,第二电阻R2的第二端同时与压电陶瓷片XT的 第二端和第二电容C2的第二端连接,第二非门IC1-2的输出端与时基集成电路IC2的输入 端连接,时基集成芯片IC2的输出端与第三非门IC1-3的两个输入端连接,第三非门IC1-3 的输出端与第四电阻R4的第一端连接,时基集成芯片IC2的控制端同时与三端线路接头PL 插座的第一端和第三电阻R3的第一端连接,三端线路接头PL的第二端同时与第五电容C5 的第一端、第一电感L1的第一端和第六电容C6的第一端连接,三端线路接头PL的中端同 时与第五电容C5的第二端和第二电感L2的第一端连接,第一电感L1的第二端同时与第六 电容C6的第二端和天线TX连接,第二电感L2的第二端与场效应管VT1的漏极连接,场效 应管VT1的源极与第五电阻R5的第一端连接,场效应管VT1的栅极同时与第五电阻R5的 第二端和第四电阻R4的第二端连接。第二电容C2和第六电容C6均为可变电容。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用场效应功率管的机载天线发射机,其特征在于:包括变压器、三端稳压器、第一二极管、第二二极管、时基集成芯片、第一非门至第三非门、压电陶瓷片、三端线路接头、第一电容至第八电容、按钮开关、第一电阻至第五电阻、第一电感、第二电感、场效应管和天线,所述变压器的初级与交流电源连接,所述变压器次级的第一端与所述第一二极管的正极连接,所述变压器次级的第二端与所述第二二极管的正极连接,所述变压器次级的抽头同时与所述第七电容的第一端和所述第八电容的第一端连接,所述第一二极管的负极同时与所述第二二极管的负极、所述第七电容的第二端、所述第二电容的第二端、所述三端线路接头插头的中端、所述第三电容的第一端和所述三端稳压器的输入端连接,所述三端线路接头插头的第一端和第二端之间通过所述按钮开关连接,所述三端稳压器的负极同时与所述第三电容的第二端和所述第四电容的第一端连接,所述三端稳压器的输出端同时与所述第四电容的第二端、所述第一非门的控制端和所述时基集成电路的正极连接,所述第一非门的第一输入端同时与所述第一电容的第一端和所述第二电容的第一端连接,所述第一非门的第二输入端同时与所述第一电容的第二端、所述压电陶瓷片的第一端和所述第一电阻的第一端连接,所述第一非门的输出端同时与所述第一电阻的第二端、所述第二电阻的第一端和所述第二非门的两个输入端连接,所述第二电阻的第二端同时与所述压电陶瓷片的第二端和所述第二电容的第二端连接,所述第二非门的输出端与所述时基集成电路的输入端连接,所述时基集成芯片的输出端与所述第三非门的两个输入端连接,所述第三非门的输出端与所述第四电阻的第一端连接,所述时基集成芯片的控制端同时与所述三端线路接头插座的第一端和所述第三电阻的第一端连接,所述三端线路接头的第二端同时与所述第五电容的第一端、所述第一电感的第一端和所述第六电容的第一端连接,所述三端线路接头的中端同时与所述第五电容的第二端和所述第二电感的第一端连接,所述第一电感的第二端同时与所述第六电容的第二端和所述天线连接,所述第二电感的第二端与所述场效应管的漏极连接,所述场效应管的源极与所述第五电阻的第一端连接,所述场效应管的栅极同时与所述第五电阻的第二端和所述第四电阻的第二端连接。...

【技术特征摘要】
1. 一种采用场效应功率管的机载天线发射机,其特征在于:包括变压器、三端稳压器、 第一二极管、第二二极管、时基集成芯片、第一非门至第三非门、压电陶瓷片、三端线路接 头、第一电容至第八电容、按钮开关、第一电阻至第五电阻、第一电感、第二电感、场效应管 和天线,所述变压器的初级与交流电源连接,所述变压器次级的第一端与所述第一二极管 的正极连接,所述变压器次级的第二端与所述第二二极管的正极连接,所述变压器次级的 抽头同时与所述第七电容的第一端和所述第八电容的第一端连接,所述第一二极管的负极 同时与所述第二二极管的负极、所述第七电容的第二端、所述第二电容的第二端、所述三端 线路接头插头的中端、所述第三电容的第一端和所述三端稳压器的输入端连接,所述三端 线路接头插头的第一端和第二端之间通过所述按钮开关连接,所述三端稳压器的负极同时 与所述第三电容的第二端和所述第四电容的第一端连接,所述三端稳压器的输出端同时与 所述第四电容的第二端、所述第一非门的控制端和所述时基集成电路的正极连接,所述第 一非门的第一输入端同时与所述第一电容的第一端和所述第二电容的第一端连接,所述第 一非门的第二输入端同时与所述第一电容的第...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈伟孙国栋
申请(专利权)人:成都世旗电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:四川;51

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