本发明专利技术提供了一种超高分辨率的AMOLED显示器件。该器件包括单晶硅衬底及其半导体工艺形成的MOS管电路，2T1C像素电路，通过多个子像素共用OLED图形或采用白光OLED加彩膜的方式，可以解决AMOLED蒸镀造成的分辨率的瓶颈。能有效提高AMOLED显示器件的分辨率。
【技术实现步骤摘要】
-种超高分辨率AMOLED显示器件
本专利技术提供了一种超高分辨率AMOLED显示器件。
技术介绍
AMOLED显示技术因其高色度域，高响应速度，更轻薄等特点，目前正取代IXD技术 而逐渐成为下一代显示
有力的竞争者。 目前采用LTPS器件驱动的AMOLED显示技术已经量产。 0LED是电流器件，同样的显示信号，如果驱动晶体管的特性如阈值或迁移率等有 差异，则在显示上会体现出来。 LTPS的ELA (准分子激光退火)工艺由于设备基台移动速度等的不均一性，退火后 的多晶硅的特性随之出现不均一性，在显示的时候会出现不均一。 当前LTPS ELA不均问题的解决方法是在像素内做阈值电压补偿电路，以降低不均 一性的程度。请参考图1。 当前的像素内做阈值电压补偿没有办法做到电流完全一致的效果。 单晶硅半导体器件特性一致性好，阀值电压稳定。
技术实现思路
本专利技术基于单晶硅衬底，由于单晶硅的TFT特性一致性好，阀值电压稳定，不需要 复杂的补偿电路，因此能解决像素电路部份PPI的瓶颈。 通过多个子像素共用0LED图形或采用白光0LED加彩膜的方式，可以解决AMOLED 蒸镀造成的分辨率的瓶颈。 【附图说明】： 附图1为当前主流的LTPS AMOLED 7T1C阈值电压补偿电路原理图。 附图2为本专利技术一实施例的器件结构图。 附图3为本专利技术一实施例的像素电路原理图。 附图4为本专利技术一实施例的子像素共用0LED蒸镀图形的示意图。 附图5为本专利技术一实施例的W0LED与彩膜方式的盖板玻璃封装方式的示意图。 【具体实施方式】 下面介绍的是本专利技术的多个实施例中的一部份，旨在提供对本专利技术的基本了解，并不 旨在确认本专利技术的关键或决定性要素或限定所要保护的范围。根据本专利技术的技术方案，在 不变更本专利技术的实质精神下，可以相互替换而得到其他的实现方式。在附图中，为了清楚起 见，夸大了层与区域的厚度。也没有对图中所示的所有多个部件进行描述。附图中的多个 部件为本领域普通技术人员能够实现的公开内容。实施例中的奇偶的定义旨在为了对显示 内容的像素进行分类，奇偶的定义可相互调换。另外，方向性术语(如上，下，横向， 纵向等）用来描述各种实施例表示附图中示出的方向，用于相对性的描述，而不是要将任 何实施例的方向限定到具体的方向。如源漏极只是作为电极的区分，物理上是对称结构，可 调换。 本专利技术的一实施例，请参考图2,在单晶硅衬底201上通过半导体工艺形成M0S管， 包括源漏电极202,栅绝缘层203,栅极204。通过多次半导体沉积与刻蚀工艺形成多层导线 205, 206对M0S管各电极进行互连形成M0S管电路，金属层之间可形成像素显示状态存储 电容212,在像素电路上方为0LED器件，其阳极207通过通孔连接到下方的M0S管电路，阳 极金属可为Μο/ITO/Ag/ITO多层结构，阳极金属上有像素定义层TOL 208,通过曝光工艺进 行图形化定义出像素发光区域。在PDL工艺后进行0LED器件209的蒸镀和阴极210的蒸 镀。0LED器件上方为薄膜封装层211。像素电路可为2T1C结构，如图3。数据信号301在 栅信号302到来时通过开关M0S管303写入存储电容304,存储的状态电压控制驱动M0S管 306的电流大小，从而控制该像素0LED器件307电流的大小形成显示。子像素电路与周边 像相同颜色子像素可共用0LED像素图形，如图4所示，像素401包括子像素 R 402, G 403, B 404,子像素 B 404与相邻像素408的子像素 B 405共用一个RGB蒸镀图形B，子像素 G 403 与像素409的G子像素407,像素410的子像素 G 411，像素412的子像素 G 413共用一个G 蒸镀图形。子像素 R 402与G 403的共用方式类似，不再赘述。 本专利技术的另一实施例，请参考图2,在单晶硅衬底501上通过半导体工艺形成M0S 管，包括源漏电极502,栅绝缘层503,栅极504。通过多次半导体沉积与刻蚀工艺形成多层 导线505, 506对M0S管各电极进行互连形成M0S管电路，金属层之间可形成像素显示状态 存储电容512,在像素电路上方为白光0LED器件，其阳极507通过通孔连接到下方的M0S管 电路，阳极金属可为Μο/ITO/Ag/ITO多层结构，阳极金属上有像素定义层PDL 508,通过曝光 工艺进行图形化定义出像素发光区域。在TOL层上通过曝光工艺形成有机材料村垫PS 512， 用于支持盖板玻璃，在PS工艺后进行白光0LED器件509的蒸镀和阴极510的蒸镀。0LED 器件上方为盖板玻璃511，其内表面有彩色滤光层513，用于过滤0LED的白光形成RGB三原 色的光。像素电路可为2T1C结构，如图3。数据信号301在栅信号302到来时通过开关M0S 管303写入存储电容304,存储的状态电压控制驱动M0S管306的电流大小，从而控制该像 素0LED器件307电流的大小形成显示。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种AMOLED显示器件，包括：单晶硅衬底基板，基于MOS器件的有源驱动像素电路和周边驱动电路，OLED发光器件及封装结构。
【技术特征摘要】
1. 一种AMOLED显示器件，包括：单晶硅衬底基板，基于MOS器件的有源驱动像素电路 和周边驱动电路，0LED发光器件及封装结构。2. 权利要求一所述的像素电路，其特征在于，像素电路驱动M0S管为PM0S管。3. 权利要求一所述的0LED发光器件，其特征在于，白光0LED加彩色滤光膜的方式形成 彩色。4. 权利要求一所述的0LED发光器件，其特征在于，0LED发光器件为RGB三原色发光器 件。5. 权利要求四所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：何东阳，
申请(专利权)人：何东阳，
类型：发明
国别省市：上海;31
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