特高压污秽直流电压发生器制造技术

技术编号:10471652 阅读:152 留言:0更新日期:2014-09-25 10:16
本实用新型专利技术涉及一种污秽直流电压发生器。包括间隔设置的高压电容,相邻高压电容之间设置绝缘支柱,高压电容之间设通过绝缘支柱串联的硅堆,所述高压电容、绝缘支柱依次前后交错设置形成S形排列;所述硅堆成侧V形设置在高压电容和绝缘支柱上。本实用新型专利技术的优点是:能使电场分布为整体的椭圆形,使电场分布均匀,降低放电的可能;同时此种结构形式在同样电压等级下减小体积、占用空间小、成本低,并且保证特高压污秽直流电压发生器的性能;进一步的本实用新型专利技术采用半月形屏蔽,屏蔽效果好。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种污秽直流电压发生器,特别是涉及一种整体场强设计的污秽 直流电压发生器。 特高压污秽直流电压发生器
技术介绍
特高压污秽直流电压发生器为一种高压试验设备,在试验过程中,常常应为屏蔽 设施的屏蔽效果较差而引起放电,目前有的是增大屏蔽设施的体积来改善,其整体的体积 也相应增大,占用空间大。
技术实现思路
本技术的目的就是在于提供一种解决上述问题,能有效的减小整体的体积、 占用空间,且不引起放电的高压污秽直流电压发生器。 为此本技术采用的技术方案是:本技术包括间隔设置的高压电容,相邻 高压电容之间设置绝缘支柱,高压电容之间设通过绝缘支柱串联的硅堆,所述高压电容、绝 缘支柱依次前后交错设置形成S形排列;所述硅堆成侧V形设置在高压电容和绝缘支柱上。 所述绝缘支柱上端设屏蔽罩,所述屏蔽罩呈半月形。 所述高压电容由两列坚立排布的多级高压电容组成。 所述绝缘支柱由三列坚立排布的绝缘支柱组成。 本技术的优点是:能使电场分布为整体的椭圆形,使电场分布均匀,降低放电 的可能;同时此种结构形式在同样电压等级下减小体积、占用空间小、成本低,并且保证特 高压污秽直流电压发生器的性能;进一步的本技术采用半月形屏蔽,屏蔽效果好。 【附图说明】 图1为本技术的结构示意图。 图2为图1的俯视图。 图3为屏蔽罩的结构示意图。 图中1为高压电容、2为绝缘支柱、3为娃堆、4为屏蔽罩。 【具体实施方式】 本技术包括间隔设置的商压电容1,相邻商压电容1之间设置绝缘支柱2,商 压电容1之间设通过绝缘支柱2串联的硅堆3,所述高压电容1、绝缘支柱2依次前后交错 设置形成S形排列;所述硅堆3成侧V形设置在高压电容1和绝缘支柱2上。 所述绝缘支柱2上端设屏蔽罩4,所述屏蔽罩4呈半月形。 所述高压电容1由两列坚立排布的多级高压电容1组成。 所述绝缘支柱2由三列坚立排布的绝缘支柱2组成。 [〇〇17] 本技术的高压电容1、绝缘支柱2的具体个数可根据具体情况作出灵活的变 化,彼此之间的距离也可作出相应的变化。本文档来自技高网...

【技术保护点】
特高压污秽直流电压发生器,包括间隔设置的高压电容,相邻高压电容之间设置绝缘支柱,高压电容之间设通过绝缘支柱串联的硅堆,其特征在于,所述高压电容、绝缘支柱依次前后交错设置形成S形排列;所述硅堆成侧V形设置在高压电容和绝缘支柱上。

【技术特征摘要】
1. 特高压污秽直流电压发生器,包括间隔设置的高压电容,相邻高压电容之间设置绝 缘支柱,高压电容之间设通过绝缘支柱串联的硅堆,其特征在于,所述高压电容、绝缘支柱 依次前后交错设置形成S形排列;所述硅堆成侧V形设置在高压电容和绝缘支柱上。2. 根据权利要求1所述的特高压污秽直流电压发生...

【专利技术属性】
技术研发人员:张旗张生林王俭辛张旭张礼刚
申请(专利权)人:江苏启源雷宇电气科技有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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