【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有若干隔离层，相邻隔离层之间形成开口，所述开口底部具有阈值电压调节层，所述阈值电压调节层内具有掺杂离子；在所述阈值电压调节层表面形成阻挡层、以及位于所述阻挡层表面的沟道层，所述沟道层为本征态，所述阻挡层用于阻止阈值电压调节层内的掺杂离子穿透；在所述沟道层表面形成栅极结构，所述栅极结构的表面与隔离层表面齐平；去除所述隔离层直至暴露出半导体衬底为止；在去除所述隔离层之后，在所述阈值电压调节层、阻挡层、沟道层和栅极结构两侧的半导体衬底表面形成掺杂层，所述掺杂层的表面不低于沟道层表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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