一种半导体化学研磨剂制造技术

技术编号:10464713 阅读:163 留言:0更新日期:2014-09-24 17:18
本发明专利技术公开了一种半导体化学研磨剂,其特征在于,包括下列重量份数的物质:硅酸钠8-16份,羟乙基纤维素9-14份,苯甲酸甲酯9-14份,氧化铅1-2份,纯碱2-3份,甲基硅油10-17份,硬脂酸7-10份,硬脂酸盐7-16份,氧化锆5-8份,二氧化硅9-14份,硬脂酸5-7份,硬脂酸盐1-7份,氧化锌3-5份,酒石酸1-3份,液体石酯8-13份,硬脂酸钙1-3份,聚丙烯酯5-9份。本发明专利技术的有益效果是:腐蚀速度低,研磨效果好,对半导体损伤小。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体化学研磨剂
[0001 ] 本专利技术涉及一种半导体化学研磨剂。
技术介绍
近年来,伴随着半导体集成电路(以下记作LSI)的高集成化,高性能化,开发了新型的细微加工技术,化学研磨法就是其中一种,特别是在多层布线形成工序中的层间绝缘膜的平坦化,金属栓塞形成、埋入布线形成中频繁地应用。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种半导体化学研磨剂。 为解决上述技术问题,本专利技术采用的技术方案是:一种半导体化学研磨剂,其特征在于,包括下列重量份数的物质:硅酸钠8-16份,羟乙基纤维素9-14份,苯甲酸甲酯9-14份,氧化铅1-2份,纯碱2-3份,甲基硅油10-17份,硬脂酸7-10份,硬脂酸盐7-16份,氧化锆5-8份,二氧化硅9-14份,硬脂酸5-7份,硬脂酸盐1-7份,氧化锌3-5份,酒石酸1-3份,液体石酯8-13份,硬脂酸钙1-3份,聚丙烯酯5-9份。 本专利技术的有益效果是:腐蚀速度低,研磨效果好,对半导体损伤小。 【具体实施方式】 实施例1一种半导体化学研磨剂,其特征在于,包括下列重量份数的物质:硅酸钠8-16份,羟乙基纤维素9-14份,苯甲酸甲酯9-14份,氧化铅1-2份,纯碱2-3份,甲基硅油10-17份,硬脂酸7-10份,硬脂酸盐7-16份,氧化锆5-8份,二氧化硅9-14份,硬脂酸5-7份,硬脂酸盐1-7份,氧化锌3-5份,酒石酸1-3份,液体石酯8-13份,硬脂酸钙1-3份,聚丙烯酯5-9份。

【技术保护点】
一种半导体化学研磨剂,其特征在于,包括下列重量份数的物质:硅酸钠8‑16份,羟乙基纤维素9‑14份,苯甲酸甲酯9‑14份,氧化铅1‑2份,纯碱2‑3份,甲基硅油10‑17份,硬脂酸7‑10份,硬脂酸盐7‑16份,氧化锆5‑8份,二氧化硅9‑14份,硬脂酸5‑7份,硬脂酸盐1‑7份,氧化锌3‑5份,酒石酸1‑3份,液体石酯8‑13份,硬脂酸钙1‑3份,聚丙烯酯5‑9份。

【技术特征摘要】
1.一种半导体化学研磨剂,其特征在于,包括下列重量份数的物质:硅酸钠8-16份,羟乙基纤维素9-14份,苯甲酸甲酯9-14份,氧化铅1-2份,纯碱2-3份,甲基硅油10-17份,硬脂酸7-...

【专利技术属性】
技术研发人员:范向奎
申请(专利权)人:青岛宝泰新能源科技有限公司
类型:发明
国别省市:山东;37

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