【技术实现步骤摘要】
: 本专利技术属于半导体材料制备领域，具体涉及。
技术介绍
磷化铟(InP)晶体是重要的化合物半导体材料，与砷化镓(GaAs)相比，其优越性主要在于高的饱和电场飘移速度、导热性好以及较强的抗辐射能力等，因此磷化铟晶片通常用于新型微电子、光电子元器件制造。在军事上应用于电子对抗、电子战、精确制导、预警探测、卫星通讯、雷达领域。在民事上应用于是无线通讯、光通讯、光信息处理、工业自动控制、医疗器械、激光技术、电子计算机、电子通信、电视广播、红外线科技以及更为先进的微波传导，激光开关，医疗诊断和治疗，及航天事业，生物及数据处理及许多其它领域。 美国贝尔实验室的Monberg等人在1980年代中期首先将VGF-垂直温度梯度结晶生长法(温梯法)技术应用于II1-V化合物半导体单晶的生长。该方法因为生长速度较慢，生长过程能保证InP单晶的化学配比，温度梯度很小，晶体所受应力较小，可以生长出位错密度非常低的单晶材料。 采用多温场加热控温技术，使得加热炉形成适合晶体生长的温度梯度，从而使得熔化在竖立坩埚中磷化铟多晶材料由经置于坩埚底部子晶，缓慢地由下向上结晶放大成所需要的晶体尺寸，因而过程中需要加入磷化铟多晶碎料。但在空气中，磷化铟(InP)材料表面容易被氧化、又有碳等的沾污，这些直接影响由它制作的器件的寿命和其他特性。
技术实现思路
根据以上情况，本专利技术的目的在于提供，可去除磷化铟(InP)材料表面的氧、碳沾污，保证InP单晶的生成质量。 为实现上述目的，本方法包括: I)先将磷化铟生长的多晶碎料放入双氧水中浸泡10-30分...
【技术保护点】
一种磷化铟生长的多晶碎料清洗方法，其特征在于：1)先将磷化铟生长的多晶碎料放入双氧水中浸泡10‑30分钟，再放入乙醇溶液中浸泡2‑5分钟，然后取出放入超声波清水洗5‑10分钟；2)取出后置入真空烘烤炉中，然后，用抽真空设备将烘烤炉的本底真空度抽至10‑5Pa数量级及以上，温度100℃‑150℃，持续10‑40分钟；3)冷却后取出放置于真空干燥器中待用。
【技术特征摘要】
1.一种磷化铟生长的多晶碎料清洗方法，其特征在于: 1)先将磷化铟生长的多晶碎料放入双氧水中浸泡10-30分钟，再放入乙醇溶液中浸泡2-5分钟，然后取出放入超声波清水洗5-10分钟； ...
【专利技术属性】
技术研发人员：关活明，
申请(专利权)人：台山市华兴光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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