具有防腐蚀功效的去除剂制造技术

技术编号:10443105 阅读:175 留言:0更新日期:2014-09-17 19:10
本发明专利技术提供了一种具有防腐蚀功效的光刻胶去除剂,其原料包括防腐剂、有机胺化合物、有机溶剂、去离子水和C2~C15一元醇。该去除剂能够提供剥离性优异、安全,且不会腐蚀导电体的防腐蚀性优异。

【技术实现步骤摘要】
具有防腐蚀功效的去除剂
本专利技术涉及光刻
,尤其涉及一种光刻胶去除剂,其剥离性能优异,安全, 不会腐蚀导电体的防腐蚀性。
技术介绍
1C、LSI等集成电路,IXD、EL兀件等显不机器,打印基板等使用热刻蚀技术制造。 在该热刻蚀工序中,不需要的光刻胶使用光刻胶去除剂进行除去。 在该光刻胶剥离工序中,之前使用各种光刻胶去除剂。但是,近年来对应液晶显示 面板或半导体元件的工艺微细化或短时间处理的能力低,期待进一步的性能。目前,含有剥 离性优异的胺系化合物的光刻胶去除剂成为主力。 该胺系去除剂可以分为溶剂系和水系。例如,作为溶剂系去除剂使用二甲基亚砜 (约30重量%) +单乙醇胺(约70重量%)或者单乙醇胺+N-甲基吡咯烷酮等。另一方面, 作为水系去除剂使用水(约20?30重量% ) +二甘醇单丁基醚(约20?30重量% ) +单 乙醇胺(约30?40重量% )、烷基苯磺酸+功能水(臭氧水)、酸系(硫酸+过氧化氢)+ 功能水(臭氧水)等。 近年来,能够进行水淋洗的水系去除剂的使用有所扩大。其理由在于水系去除剂 的剥离性优异、而且没有可燃性,是不是危险品。然而,水系去除剂添加有单乙醇胺。因此, 水系去除剂具有会引起对配线等导电体的腐蚀的缺点。因而,实际上有必要考虑剥离性能 和腐蚀性调整单乙醇胺的含量。而且,以光刻胶剥离性能和防止对导电体的破坏(腐蚀) 为目的,开发了各种光刻胶去除剂。
技术实现思路
现有技术以提高光刻胶剥离性能和导电体(包含铜(Cu)、铝(A1)等的配线等)的 防腐蚀为目的而开发。但是这些技术仍然具有无法完全满足两个目的的问题。本专利技术鉴于 上述问题而完成,其目的在于提供剥离性优异、安全,且不会腐蚀导电体的防腐蚀性优异的 光刻胶去除剂。 为解决上述技术问题,本专利技术提供了一种光刻胶去除剂,其原料包括防腐剂、有机 胺化合物、有机溶剂、去离子水和C2?c15 -元醇。 其中,所述光刻胶去除剂中各原料的重量分别为防腐剂3g?5g、有机胺化合物 8g?12g、有机溶剂10g?20g、去离子水50g?70g和C2?C15 一元醇3g?6g。 其中,所述光刻胶去除剂中各原料的重量分别为防腐剂4g、有机胺化合物10g、有 机溶剂15g、去离子水60g和C2?C15 -元醇5g。 其中,所述c2?c15-元醇进一步优选为丁醇、乙醇、异丙醇、丙醇、庚醇、辛醇。 其中,所述防腐剂由苯并噻唑化合物和苯并喹啉化合物按照质量比3 : 1的比例 混合获得。 其中,所述苯并噻唑化合物具体结构为式1所示:本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻胶去除剂,其特征在于:原料包括防腐剂、有机胺化合物、有机溶剂、去离子水和C2~C15一元醇。

【技术特征摘要】
1. 一种光刻胶去除剂,其特征在于:原料包括防腐剂、有机胺化合物、有机溶剂、去离 子水和c2?c15 -兀醇。2.如权利要求1所述的去除剂,其特征在于:各原料的重量分别为防腐剂3g?5g、有 机胺化合物8g?12g、有机溶剂10g?20g、去离子水50g?70g和C2?C15 -元醇3g? 6g。3.如权利要求1或2所述的去除剂,其特征在于:各原料的重量分别为防腐剂4g、有机 胺化合物10g、有机溶剂15g、去离子水60g和C2?C15 -元醇5g。4.如权利要求1至3所述的去除剂,其特征在于:所述C2?C15 -元醇为丁醇、乙醇、异 丙醇、丙醇、庚醇、辛醇。5.如权利要求1至4所述的去除剂,其特征在于:所述防腐剂由苯并噻唑化合物和苯 并喹啉化合物按照质量比1:1的比例混合获得。6.如权利要求1至5所述的去除剂,其特征在于:所述苯并噻唑化合物的制备方法具 体为, 第一步,在250mL的三口烧瓶中,称取4-苯二甲酰亚胺环己醇15g,溶解于160mL的乙 酸乙酯和5mL的水中,搅拌溶解。冰浴降温至0°C,依次加入TEMPOO. 05g,溴化钠 0. 8g于 反应体系中,机械搅拌15min,原料完全溶解。分批加入漂白粉18. 5g(l. 2eq),控制反应体 系的温度不高于5°C,0. 5h内加完,移去冰浴,在室温下反应,TLC检测反应的进度,5h后显 示原料转化完毕,过滤去固体,有机相用饱和氯化钠洗涤,经无水硫酸钠干燥,过滤、减压除 去有机溶剂得到白色固体粗品14. lg,经甲苯重结晶得到13. 6g,获得4-苯二甲酰亚胺环己 酮; 第二步,100mL的三口烧瓶中,称量第一步制备的4-苯二甲酰亚胺环己酮5. 0g溶解于 40mL的乙酸乙酯中,加入2. 6mL浓度为30%的H202于反应体系中,升温至50°C,缓慢滴加 1. 6mL浓度为42%的氢溴酸,0. 5h滴加完毕,升温至回流,在此温度下反应2h。TLC显示原 料反应完毕,碳酸氢钠调节pH = 7,析出大量白色固体,继续搅拌15min,过滤得到白色固 体。用15mLX 3冷的甲醇洗涤滤饼,滤饼干燥至恒重,得到白色固体5. 4g,获得2-溴-4-苯 二甲酰亚胺环己酮; 第三步,100mL的三口瓶中,称量第二步制备的2-溴4-苯二甲酰亚胺环己酮5. 0g,然 后加入甲醇50mL, 二氯甲烧15mL,碳酸氢钠 2. 0g,升温至回流后,加入硫脲2. 5g于反应体 系中。在此温度下回流反应液逐渐变澄清,TLC检测,4h后原料反应完毕。减压除去有机溶 剂甲醇和二氯甲烷,过滤得到白色滤饼,滤饼用40mL热水洗涤,甲醇重结晶,得到4. 2g2-氨 基-6苯二甲酰亚氨基-4,5,6,7-四氢苯并噻唑; 第四步,100mL的三口瓶中,称量第三步制备的2. 5g悬浮于30mL的甲醇中,依次加入 水合肼0. 8mL,三乙胺0. 2mL,氮气保护条件下,升温至回流,4h后TLC检测反应完毕,冷却至 5°C,得到白色固状物质,将白色固状物过滤,滤饼用10mL...

【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人
申请(专利权)人:青岛华仁技术孵化器有限公司
类型:发明
国别省市:山东;37

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