光刻胶剥离剂制造技术
【技术实现步骤摘要】
光刻胶剥离剂
本专利技术涉及光刻
，尤其涉及一种光刻胶剥离剂，其剥离性能优异，安全， 不会腐蚀导电体的防腐蚀性。
技术介绍
1C、LSI等集成电路，IXD、EL兀件等显不机器，打印基板等使用热刻蚀技术制造。 在该热刻蚀工序中，不需要的光刻胶使用光刻胶剥离剂进行除去。 在该光刻胶剥离工序中，之前使用各种光刻胶剥离剂。但是，近年来对应液晶显示 面板或半导体元件的工艺微细化或短时间处理的能力低，期待进一步的性能。目前，含有剥 离性优异的胺系化合物的光刻胶剥离剂成为主力。 该胺系剥离剂可以分为溶剂系和水系。例如，作为溶剂系剥离剂使用二甲基亚砜 (约30重量％ ) +单乙醇胺（约70重量％ )或者单乙醇胺+N-甲基吡咯烷酮等。另一方面， 作为水系剥离剂使用水（约20?30重量％ ) +二甘醇单丁基醚（约20?30重量％ ) +单 乙醇胺（约30?40重量％ )、烷基苯磺酸+功能水（臭氧水）、酸系（硫酸+过氧化氢）+ 功能水（臭氧水）等。 近年来，能够进行水淋洗的水系剥离剂的使用有所扩大。其理由在于水系剥离剂 的剥离性优异、而且没有可燃性，是不是危险品。然而，水系剥离剂添加有单乙醇胺。因此， 水系剥离剂具有会引起对配线等导电体的腐蚀的缺点。因而，实际上有必要考虑剥离性能 和腐蚀性调整单乙醇胺的含量。而且，以光刻胶剥离性能和防止对导电体的破坏（腐蚀） 为目的，开发了各种光刻胶剥离剂。
技术实现思路
现有技术以提高光刻胶剥离性能和导电体（包含铜（Cu)、铝（A1)等的配线等）的 防腐蚀为目的而开发。但是这些技术仍...
【技术保护点】
一种光刻胶剥离剂，其特征在于：原料包括防腐剂、有机胺化合物、有机溶剂、去离子水和C2～C15一元醇。
【技术特征摘要】
1. 一种光刻胶剥离剂，其特征在于：原料包括防腐剂、有机胺化合物、有机溶剂、去离 子水和c2?c15 -兀醇。2. 如权利要求1所述的剥离剂，其特征在于：各原料的重量分别为防腐剂5g?8g、有 机胺化合物8g?12g、有机溶剂10g?20g、去离子水50g?70g和C2?C15 -元醇3g? 6g。3. 如权利要求1或2所述的剥离剂，其特征在于：各原料的重量分别为防腐剂6g、有机 胺化合物l〇g、有机溶剂15g、去离子水60g和C 2?C15 -元醇5g。4. 如权利要求1至3所述的剥离剂，其特征在于：所述C2?C15 -元醇为丁醇、乙醇、异 丙醇、丙醇、庚醇、辛醇。5. 如权利要求1至4所述的剥离剂，其特征在于：所述防腐剂由改性的壳聚糖和苯并 喹啉化合物按照质量比1:1的比例混合获得。6. 如权利要求1至5所述的剥离剂，其特征在于：所述改性的壳聚糖的制备方法具体 为， 第一步，称取2. Og壳聚糖于40mL蒸馏水中，搅拌溶胀过夜，用稀乙酸溶液调节体系pH 值至4?5,加入0. 60g的4-咪唑甲醛，95°C反应10h。用稀NaOH溶液调节pH值至中性， 用NaBH4还原，产物在丙酮溶液中析出，过滤后用90%乙醇洗至中性，再用无水乙醇索氏提 取48h，45°C真空干燥得，得中间产物； 第二步，称取1. 〇g的中间产物加入40mL的NMP溶液中，搅拌溶胀过夜。加入2. 4g Nal 和6mL15% NaOH溶液，60°C搅拌20min后加入6mL CH3I，反应2h。再加入3mL15% NaOH溶 液和3mLCH3I，继续反应2h。倒入乙醇/乙醚（体积比为=1 : 1)中，过滤，乙醚洗涤。分 别用NaCl溶液和蒸馏水透析（截留分子量8000?14000) 3天，离心后上清液冷冻干燥得 到产物，即为季胺化的壳聚糖。7. 如权利要求1至6所述的剥离剂，其特征在于：所述苯并喹啉化合物的制备方法具 体为第一步，对氯苯胺盐酸盐的制备，将对氯苯胺2. 0g加入到5ml蒸馏水和37%的浓盐酸 5ml中，室温下搅拌30min，过滤晶体并用乙醇洗3次，烘干，得1. 98g固体，即为对氯苯胺盐 酸盐； 第二步，重氮化，取对氯苯胺盐酸盐0. 72g在5ml蒸馏水和37 %的浓盐酸5ml中溶解， 冷却到0-5°C (冰水浴），缓慢滴加 NaN02水溶液（0. 5g NaN0...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：青岛华仁技术孵化器有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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