【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体材料
，尤其涉及一种新型PBN坩埚。 一种新型PBN坩埚
技术介绍
随着科技地高速发展，半导体材料（semiconductor material)由于其独特的半导 体性能，即导电能力介于导体与绝缘体之间，已经成为制作半导体器件和集成电路的电子 材料的中坚力量，尤其很多半导体材料，例如砷化镓GaAs、锗Ge材料等，需要进行单晶生长 之后应用于工业制造中。 目前的单晶生长技术，如图1所示，通常是使用体部位和籽晶部位相通的PBN (热 解氮化硼)坩埚结合VGF (垂直梯度凝固法）或是VB (垂直布里奇曼法）进行GaAs或Ge的 单晶生长，正是由于这样的PBN坩埚的体部位和籽晶部位相通的设计，当进行单晶时需要 对PBN坩埚内部的籽晶进行封堵，目前封堵通常使用BN (氮化硼）棒在PBN坩埚内部进行 封堵。 然而，上述的使用BN棒进行封堵的设计，当长期反复使用PBN坩埚单晶生长时，由 于热膨胀的原因不仅容易造成PBN坩埚籽晶部位开裂从而导致PBN坩埚报废，并且高温下 晶体生长时由于籽晶的膨胀使PBN坩埚的籽晶部位受热胀使BN圆棒在PBN籽晶内壁脱落， 不仅降低了 PBN坩埚的使用寿命，同时也影响了单晶的正常生长的技术问题。
技术实现思路
本技术实施例公开了一种新型PBN坩埚，不仅实现了在晶体生长时，对PBN坩 埚内部的籽晶进行封堵，同时，避免了使用BN棒进行内部封堵，以及在高温下晶体生长时 由于籽晶的热膨胀而导致的籽晶部位开裂的技术问题。 本技术实施例提供了一种新型PBN坩埚，包括：体部位和籽晶部位，还包...
【技术保护点】
一种新型PBN坩埚，包括：体部位（1）和籽晶部位（2），其特征在于，还包括：籽晶帽（3），套在所述籽晶部位（2）上，将所述籽晶部位（2）的外壁紧密嵌合在其内部。
【技术特征摘要】
1. 一种新型PBN坩埚，包括：体部位（1)和籽晶部位（2)，其特征在于，还包括： 籽晶帽（3)，套在所述籽晶部位（2)上，将所述籽晶部位（2)的外壁紧密嵌合在其内部。2. 根据权利要求1所述的新型PBN坩埚，其特征在于， 所述籽晶帽（3)为上开口，且中空圆柱体结构。3. 根据权利要求2所述的新型PBN坩埚，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱刘，刘留，
申请(专利权)人：广东先导半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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