【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
TiO2/SnO2半导体双层复合膜光阳极的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)以不锈钢作为基体试样，基体试样表面打磨成镜面，然后清洗；2)将SnCl2·2H2O溶解在水中，再加入NaNO3和硝酸，配制成电解质溶液，然后加水定容至1000mL，以铂作为对电极，饱和甘汞作为参比电极，基体试样作为工作电极，在电解质溶液中，电沉积后烘干，即在基体试样表面电沉积一层SnO2膜层；3)在步骤2)得到的SnO2膜层表面溅射TiO2膜，再热处理，即得TiO2/SnO2半导体双层复合膜光阳极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杜荣归，漆海清，朱燕峰，胡娟，林昌健，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：福建;35
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