用于修复的线路结构和具有这种线路结构的平板显示设备制造技术

本发明专利技术涉及一种用于修复的线路结构和具有这种线路结构的平板显示设备。一种用于修复的线路结构可包括：第一线路，位于第一方向上；第二线路，平行于第一线路，第二线路具有从相应的端部沿着第二方向延伸的侧部并连接至第一线；以及第三线路，与第一线路和第二线路交叉，其中第二线路的至少一部分由未掺杂的多晶硅制成。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种用于修复的线路结构和具有这种线路结构的平板显示设备。一种用于修复的线路结构可包括：第一线路，位于第一方向上；第二线路，平行于第一线路，第二线路具有从相应的端部沿着第二方向延伸的侧部并连接至第一线；以及第三线路，与第一线路和第二线路交叉，其中第二线路的至少一部分由未掺杂的多晶硅制成。【专利说明】用于修复的线路结构和具有这种线路结构的平板显示设备相关专利申请的交叉引用本申请要求于2013年3月14日提交给韩国知识产权局的第10-2013-0027563号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的全部内容通过引用整体地并入本文。
本专利技术的实施方式涉及线路结构和具有这种线路结构的平板显示设备。
技术介绍
通常，通过半导体设备制造过程来制造诸如液晶显示器(IXD)、等离子显示面板(PDP)或有机发光显示器(OLED)的平板显示设备。在半导体设备制造过程中，连接薄膜晶体管、电容器以及电路的线路被形成为具有极小宽度和间隔的图案，这些图案被布置为中间设置有层间绝缘层的多层结构。 这些图案以极小间隔布置，并且层间绝缘层的厚度也很小。因此，在出现缺陷(诸如在形成图案的光刻过程中出现颗粒或污染物)的情况下，中间设置有层间绝缘层的相邻线路或彼此交叉的线路可能彼此短路。 由短路引起的线路故障可通过作为制造过程中的最后步骤的检查过程中的测试来检测，被检测出的故障通过修复过程来消除，从而减小了制造成本。
技术实现思路
本专利技术的实施方式涉及提供一种根据本专利技术的一个方面的用于修复的线路结构，其可包括第一线路；第二线路，第二线路的端部耦合至第一线路；以及第三线路，与第一线路和第二线路交叉，其中第二线路的至少一部分由未掺杂的多晶硅制成。 第一线路和第三线路可通过绝缘层彼此绝缘，第二线路的两个侧部均可通过绝缘层中的接触孔电连接至第一线路。位于包括接触孔的预定部分处的第二线路可由掺杂的多晶硅制成。 位于与第三线路交叉的部分处的第二线路可由未掺杂的多晶硅制成。在第一线与第三线的交点处出现短路的情况下，第一线路在第二线路的端部与出现短路的点之间的部分中可出现断开，并且位于与第三线路交叉的部分处的第二线路可掺杂有杂质离子，从而通过所述第二线路使得所述断开的第一线路电连接在一起。 本专利技术的实施方式涉及提供一种平板显示设备，其可包括:多个第一线路；至少一个第二线路，每个第二线路都具有连接至第一线路的端部；被布置为与第一线路交叉的多个第三线路；被布置为与第一线路和第二线路交叉的多个第四线路；以及连接在第一线路与第三线路之间的多个像素，其中每个第二线路的至少一部分由未掺杂的多晶硅制成。 第一线路和第四线路可通过绝缘层彼此绝缘，第二线路的两个侧部均可通过绝缘层中的接触孔电连接至第一线路。位于包括接触孔的预定部分处的第二线路可由掺杂的多晶硅制成。 位于与第四线路交叉的部分处的第二线路可由未掺杂的多晶硅制成。在第一线与第三线的交点处出现短路的情况下，第一线路在第二线路的端部与出现短路的点之间的部分中可出现断开，并且位于与第四线路交叉的部分处的第二线路可掺杂有杂质离子，从而通过所述第二线路使得所述断开的第一线路电连接在一起。 修复线可连接至两个线路中的任意一个以防止两个线路在其交叉处彼此电连接的情况。修复线的两个侧部均电连接至一个线路，而修复线的至少一部分不具有导电性。因此，该一个线路的固有电阻不增加。 【专利附图】【附图说明】 图1是示出根据一个实施方式的线路结构的平面图。 图2是示出根据该实施方式的线路结构的剖面图。 图3是示出根据该实施方式的线路结构的修复过程的平面图。 图4是示出根据一个实施方式的平板显示设备的平面图。 图5是示出根据该实施方式的平板显示设备的剖面图。 图6是示出根据该实施方式的平板显示设备的修复过程的平面图。 【具体实施方式】 在下文中，将参照附图详细描述示例性实施方式。 图1和2分别是示出根据一个实施方式的线路结构的平面图和剖视图。参照图1，第一线路10被形成为在一个方向上延伸。第一线路10可以是将设备与设备相连的信号线或供电的电源线。 第二线路60被形成为与第一线路10平行。第二线路60作为修复线路设置在第一线路10的预定部分处。第二线路60的两个侧部均电连接至第一线路10。 第三线路30被形成为与第一线路10和第二线路60交叉。第三线路30可以是将设备与设备相连的信号线或供电的电源线。 参照图1和2，第二线路60可以通过绝缘层20和40与第一线路10电绝缘，第二线路60的两个侧部均通过形成于绝缘层20和40中的接触孔50电连接至第一线路10。 第二线路60可由多晶硅形成，并且第二线路60的至少一部分可由未掺杂杂质的未掺杂的多晶硅60a制成。第二线路60在包括接触孔50的预定部分处可由掺杂杂质离子的掺杂的多晶硅60b制成。 如果第二线路60在与第三线路30交叉的部分处由未掺杂的多晶硅60a形成，则即便第二线路60在包括接触孔50的预定部分处由掺杂的多晶硅60b形成，第二线路60也不具有导电性。因此，第一线路10的固有电阻不增加。 第一线路10和第三线路30可由导电材料(诸如掺杂的多晶硅或金属)形成。 图3是示出根据该实施方式的线路结构的修复过程的平面图。 参照图3，在第一线路10与第三线路30的交叉处出现短路(S)的情况下，在第三线路30的两个侧部处的相应的第一线路10中出现断开10a，从而第一线路10和第三线路30彼此电分离。随后，第二线路60在与第三线路30交叉的部分处掺杂杂质离子。 未掺杂的多晶硅60a通过掺杂杂质离子而变为掺杂的多晶硅60c，从而第二线路60完全具有导电性。因此，断开的第一线路10通过具有导电性的第二线路60彼此电连接以得到修复。 第二线路60可设置在线路结构的最上部处以允许未掺杂的多晶硅60a容易地掺杂杂质离子。例如，绝缘层20形成在第一线路10上，第三线路30设置在绝缘层20上。随后，绝缘层40形成在包括第三线路30的绝缘层20上，第二线路60设置在绝缘层40上。第二线路60的两个侧部均通过形成于绝缘层20和40中的接触孔50电连接至第一线路10。 第二线路60设置在线路结构的最上部，从而未掺杂的多晶硅60a能够在不使用单独掩模的情况下容易地掺杂杂质离子，从而容易地执行修复过程。 由于难以或甚至不可能使用激光或其它手段断开厚度很厚的线路，故第一线路10可以比第三线路30薄。 根据本实施方式的线路结构可应用于平板显示设备等。 图4是示出具有根据一个实施方式的线路结构的平板显示设备的平面图。参照图4，平板显示设备包括显示图像的像素单元100、以及提供信号以显示图像的扫描驱动器200和数据驱动器300。 像素单元100包括被布置为彼此交叉的多个扫描线110和多个数据线130、连接至扫描线110和数据线130中的至少一个的至少一个修复线120、连接在扫描线110与数据线130之间的多个像素150、以及向像素150提供电源电压ELVDD和ELVSS的电源线140和 160。 多个扫描线110作为第一线路被平行布置为在一个方向上延伸。 修复线120作为第二线路被形成为与扫描线110平行本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于修复的线路结构，包括：第一线路；第二线路，所述第二线路的端部耦合至所述第一线路；以及第三线路，与所述第一线路和所述第二线路交叉，其中所述第二线路的至少一部分包括未掺杂的多晶硅。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金炯秀，郑根兑，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR