透明导电元件及其制造方法、输入装置、电子设备以及透明导电层的加工方法制造方法及图纸

容易大面积地形成微小图案的透明导电元件，具备：具有表面的基体材料，以及在表面平面地交替设置的透明导电部及透明绝缘部。在透明导电部及透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】容易大面积地形成微小图案的透明导电元件，具备：具有表面的基体材料，以及在表面平面地交替设置的透明导电部及透明绝缘部。在透明导电部及透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。【专利说明】透明导电元件及其制造方法、输入装置、电子设备以及透明 导电层的加工方法
本技术涉及透明导电元件及其制造方法、输入装置、电子设备以及透明导电层的 加工方法。详细而言，涉及透明导电部及透明绝缘部在基体材料表面平面地交替设置的透 明导电元件。
技术介绍
近年来，静电电容式的触摸面板搭载于便携电话和便携音乐终端等的移动设备的 情况不断增加。静电电容式的触摸面板中，使用在基体材料膜表面设有被构图的透明导电 层的透明导电膜。 在专利文献1中，提出了如下构成的透明导电片。透明导电片具备：在基体片上形 成的导电图案层；以及在基体片的未形成导电图案层的部分形成的绝缘图案层。而且，导电 图案层具有多个微小小孔，绝缘图案层由狭小槽形成为多个岛状。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2010-157400号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的课题 近年来，期望大面积地制作如上所述具有微小图案的透明导电层。为了顺应这样的要 求，优选微小图案也容易大面积地形成的透明导电层。 因此，本技术的目的在于，提供大面积微小图案的形成容易的透明导电元件及其 制造方法、输入装置、电子设备以及透明导电层的加工方法。 用于解决课题的方案 为了解决上述课题，第1技术是一种透明导电元件，具备： 具有表面的基体材料；以及 在表面平面地交替设置的透明导电部及透明绝缘部， 在透明导电部及透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。 第2技术是一种输入装置，具备： 具有第1表面及第2表面的基体材料；以及 平面地交替设在第1表面及第2表面的发透明导电部及透明绝缘部， 在透明导电部及透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。 第3技术是一种输入装置，具备： 第1透明导电元件；以及 设在第1透明导电元件的表面的第2透明导电元件， 第1透明导电元件及第2透明导电元件具备： 具有表面的基体材料；以及 在表面平面地交替设置的透明导电部及透明绝缘部， 在透明导电部及透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。 第4技术是一种电子设备，具备： 透明导电元件，包括具有第1表面及第2表面的基体材料以及平面地交替设在第1表 面及第2表面的透明导电部及透明绝缘部， 在透明导电部及透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。 第5技术是一种电子设备，具备： 第1透明导电元件；以及 设在第1透明导电元件的表面的第2透明导电元件， 第1透明导电元件及第2透明导电元件具备： 具有第1表面及第2表面的基体材料；以及 平面地交替设在第1表面及第2表面的透明导电部及透明绝缘部， 在透明导电部及透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。 第6技术是一种透明导电元件的制造方法， 经由具有随机图案的至少1种掩模对基体材料表面的透明导电层照射光，来反复形成 单位区段，从而在基体材料表面平面地交替形成透明导电部及透明绝缘部。 第7技术是一种透明导电层的加工方法， 通过将具有图案的至少1种掩模对基体材料表面的透明导电层照射光，反复形成单位 区段，从而在基体材料表面平面地交替形成透明导电部及透明绝缘部。 本技术中，在透明导电部及透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1 种单位区段，因此能够容易大面积地形成随机图案。 本技术中，在基体材料表面平面地交替设有透明导电部及透明绝缘部，因此能够 降低设有透明导电部的区域与未设有透明导电部的区域的反射率差。因此，能够抑制透明 导电部的图案的视觉辨认。 专利技术的效果 如以上说明的那样，依据本技术，能够提供大面积微小图案的形成容易的透明导电元 件。 【专利附图】【附图说明】 图1是示出本技术的第1实施方式所涉及的信息输入装置的一构成例的截面图。 图2A是示出本技术的第1实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平 面图。图2B是沿图2A所示的A-A线的截面图。 图3A是示出第1透明导电元件的透明电极部的一构成例的平面图。图3B是示出 第1透明导电元件的透明绝缘部的一构成例的平面图。 图4A是示出第1透明导电元件的透明电极部的单位区段的一构成例的平面图。图 4B是沿图4A所示的A-A线的截面图。图4C是示出第1透明导电元件的透明绝缘部的单位 区段的一构成例的平面图。图4D是沿图4C所示的A-A线的截面图。 图5是示出边界部的形状图案的一个例子的平面图。 图6A是示出本技术的第1实施方式所涉及的第2透明导电元件的一构成例的平 面图。图6B是沿图6A所示的A-A线的截面图。 图7是示出用于制作透明电极部及透明绝缘部的激光加工装置的一构成例的示 意图。 图8A是示出用于制作透明电极部13的第1掩模的一构成例的平面图。图8B是 示出用于制作透明绝缘部14的第2掩模的一构成例的平面图。 图9A?图9C是用于说明本技术的第1实施方式所涉及的第1透明导电元件的制 造方法的一个例子的工序图。 图10A是示出透明电极部的单位区段的变形例的平面图。图10B是沿图10A所示 的A-A线的截面图。图10C是示出透明绝缘部的单位区段的变形例的平面图。图10D是沿 图10C所示的A-A线的截面图。 图11A?图11D是示出本技术的第1实施方式所涉及的第1透明导电元件的变形 例的截面图。 图12A、图12B是示出本技术的第1实施方式所涉及的第1透明导电元件的变形例 的截面图。 图13A是示出本技术的第2实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平 面图。图13B是用于在透明电极部及透明绝缘部的边界部制作边界图案的第3掩模的一构 成例的平面图。 图14A是示出本技术的第3实施方式所涉及的第1透明导电元件的透明电极部的 一构成例的平面图。图14B是示出本技术的第3实施方式所涉及的第1透明导电元件的透 明绝缘部的一构成例的平面图。 图15A是示出透明电极部的单位区段的一构成例的平面图。图15B是沿图15A所 示的A-A线的截面图。图15C是示出透明绝缘部的单位区段的一构成例的平面图。图15D 是沿图15C所示的A-A线的截面图。 图16是示出边界部的形状图案的一个例子的平面图。 图17A是示出本技术的第4实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平 面图。图17B是示出用于在透明电极部及透明绝缘部的边界部制作边界图案的第3掩模的 一构成例的平面图。 图18是示出本技术的第5实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平 面图。 图19A是示出本技术的第6实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平 面图。图19B是用于在透明电极部及透明绝缘部的边界部制作边界图案的第3掩模的一构 成例的平面图。 图20A是示出本技术的第7实施方式所涉及的第1透明导电元件的一构成例的平 面图。图20B是示出本技术的第7实施方式所涉及的第1透明导电元本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电元件，具备：具有表面的基体材料，以及在所述表面平面地交替设置的透明导电部及透明绝缘部，在所述透明导电部及所述透明绝缘部的至少一个，重复具有随机图案的至少1种单位区段。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上纯一，水野干久，
申请(专利权)人：迪睿合电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP