人工抗体型二氧化钛/掺硼金刚石膜电极及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种人工抗体型二氧化钛/掺硼金刚石膜电极及其制备方法，该电极为p-n异质结构，电极以掺硼金刚石(BDD)为基底，BDD表面上均匀密集着纺锤状的TiO2粒子，TiO2粒子的粒径为50～100nm，TiO2粒子密布形成厚度为5～10μm的修饰层，该电极的制备方法为：以掺硼金刚石为基底，在基底表面上低温液相沉积具有目标污染物分子印迹的二氧化钛，再去除目标污染物分子，即获得人工抗体型二氧化钛/掺硼金刚石膜电极。与现有技术相比，本发明专利技术制备的电极兼具p-n异质结结构和目标污染物分子识别能力，具有优良的光电催化一体化性能和高的选择性降解能力，该电极制备工艺简单，能有效应用于低浓度难生化高毒性的有机污染物去除，具有广泛的经济和社会效益。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种人工抗体型二氧化钛/掺硼金刚石膜电极，其特征在于，该电极为p‑n异质结构，所述的电极以掺硼金刚石(BDD)为基底，BDD表面上均匀密集着纺锤状的TiO2粒子，TiO2粒子的粒径为50～100nm，TiO2粒子密布形成厚度为5～101μm的修饰层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵国华，金烨飞，柴守宁，王宇晶，张亚男，
申请(专利权)人：同济大学，
类型：发明
国别省市：上海;31