双频率感应加热电源及其逆变电路的控制方法技术

本发明专利技术公开了一种双频率感应加热电源，包括二极管箝位全桥多电平逆变电路，二极管箝位全桥多电平逆变电路分别与直流电源和单感应线圈负载电路连接。本发明专利技术双频率感应加热电源，利用二极管箝位全桥逆变电路实现非叠加式多电平信号输出，增加逆变器输出电压基波调制范围，扩大输出电压三次谐波可调节范围，实现双频功率信号的产生；采用单感应线圈负载电路同步输出双频功率信号实现对双频信号的准确选择，解决了现有技术中存在的逆变器输出电压基波调制范围及谐波可调节范围小、谐振电路结构复杂、谐振电路选频性能降低的问题，结构简单，提高了感应加热电源双频率功率信号的可调节特性及能量利用率。

【技术实现步骤摘要】

[0001 ] 本专利技术属于感应加热电源
，具体涉及一种基于多电平技术的双频率感应 加热电源，本专利技术还涉及二极管箝位全桥多电平逆变电路的控制方法。
技术介绍
感应加热是利用电磁感应原理，使处于感应线圈交变磁场中的金属材料内部迅速 感应出很大的电涡流，从而使材料加热升温，将电能转换成热能，完成对被加工工件进行加 热的任务。根据感应加热透入深度与频率的关系，在加热过程中被加热工件的加热厚度受 感应线圈电流频率的控制。因此，在处理表面不规则几何形状的加热工件时，仅用单一频率 的感应电流对不同部分的处理效果将不一致，严重影响工件的处理质量。对此类复杂几何 表面工件的热处理问题研究表明，双频率输出的感应加热方式是目前国内外采取的解决问 题的途径。 感应加热装置是利用电磁感应原理把电能转化为热能的设备，通常感应加热技术 是通过正负交替的方波为负载回路提供能量，采用半桥或全桥逆变电路产生正负交替的方 波。当感应加热电源应用于双频率输出领域时，逆变电路输出的方波电压中传递能量的是 占主要成分的基波和较低次谐波，应根据不同的加热工艺需要实现对逆变电路输出电压的 谐波调节，但正负交替的方波无法调节其基波和谐波含量。基于多电平逆变器输出电压谐 波可调节功能，级联型多电平逆变器电路被引入双频感应加热电源，但级联型多电平逆变 器需要多个直流输入电源，而且逆变器输出电压的基波含量高，即谐波能量较低，谐波的调 节范围有限。 感应加热电源采用电感、电容串联谐振或并联谐振的负载电路向被加热工件传递 能量，为实现双频率能量的传递，目前采取的负载电路结构有双感应线圈的两谐振支路并 联结构，单感应线圈的多元件复合谐振电路。双感应线圈存在两个线圈如何设计、相对位置 如何安置、线圈中存在磁耦合等不可避免的重要问题。目前的单感应线圈结构存在电路拓 扑复杂、电路选频特性受限等问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种双频率感应加热电源，解决了现有技术中存在的逆变 器输出电压基波调制范围及谐波可调节范围小、谐振电路结构复杂、谐振电路选频性能降 低的问题。 本专利技术的另一个目的是提供用于双频率感应加热电源的二极管箝位全桥多电平 逆变电路的控制方法。 本专利技术所采用的技术方案是：双频率感应加热电源，包括二极管箝位全桥多电平 逆变电路，二极管箝位全桥多电平逆变电路分别与直流电源和单感应线圈负载电路连接； 二极管箝位全桥多电平逆变电路由三个串联支路并联而成，串联支路一由分压电 容心和分压电容C 2串联组成，串联支路二由功率开关管MOSFET Gal、功率开关管MOSFET Ga2、 功率开关管MOSFET Ga3、功率开关管MOSFET Ga4串联组成，串联支路三由功率开关管MOSFET Gbl、功率开关管MOSFET Gb2、功率开关管MOSFET Gb3、功率开关管MOSFET Gb4串联组成；分压 电容Q、功率开关管MOSFET Gal的漏极、功率开关管MOSFET Gb4的漏极分别与直流电源的正 极连接，分压电容C2、功率开关管MOSFET Ga4的源极、功率开关管MOSFET Gbl的源极分别与 直流电源的负极连接；功率开关管MOSFET Ga2和功率开关管MOSFET Ga3还并联有箝位支路 一，箝位支路一由二极管乂01和二极管VD2串联组成，功率开关管MOSFET Gb3和功率开关管 MOSFET Gb2之间还并联有箝位支路二，箝位支路二由二极管VD3和二极管VD4串联组成；分 压电容Q和分压电容C 2之间的节点、二极管VDi和二极管VD2之间的节点、二极管VD3和二 极管VD 4之间的节点均接地。 本专利技术的特点还在于， 单感应线圈负载电路由感应线圈L和辅助谐振电路连接组成，辅助谐振电路由谐 振电感U和谐振电容c 3串联后再与谐振电容c4并联而成。 辅助谐振电路连接至功率开关管MOSFET Ga2和功率开关管MOSFET Ga3之间的节点， 感应线圈L连接至功率开关管MOSFET Gb2和功率开关管MOSFET Gb3之间的节点。 本专利技术所采取的另一技术方案是：用于双频率感应加热电源的二极管箝位全桥多 电平逆变电路的控制方法，具体包括以下步骤： 步骤1 Θ i?Θ i区间，功率开关管MOSFET Gb3、功率开关管MOSFET Ga3与二极管 VD2、二极管VD3导通，二极管箝位全桥多电平逆变电路输出零电压； 步骤2 : Θ i?θ 1+α区间，二极管箝位全桥多电平逆变电路输出电流通过功率开 关管MOSFET Gbl、功率开关管MOSFET Gb2、功率开关管MOSFET Ga2、功率开关管MOSFET Gal的极 间反并二极管续流，二极管箝位全桥多电平逆变电路输出电压E，此时输出电压已换相，输 出电流未换相； 步骤3 : θ 1+ α?Θ 2区间，功率开关管MOSFET Gal、功率开关管MOSFET Ga2、功率开 关管MOSFET Gb2、功率开关管MOSFET Gbl导通，二极管箝位全桥多电平逆变电路输出电压E， 输出电流换相； 步骤4 : Θ 2?ji - Θ 2区间，功率开关管MOSFET Gal、功率开关管MOSFET Ga2、功率开 关管MOSFET Gb2与二极管VD4导通，分压电容Q放电，分压电容C2充电，二极管箝位全桥多 电平逆变电路输出电压E/2 ;分压电容(^的电压降低，其变化量为AUa，分压电容C2的电 压增加，其变化量为AU C2, AUC2 = - AUa ; 步骤5 : π - θ 2?π - Θ i区间，重复步骤3二极管箝位全桥多电平逆变电路的运行 状态，二极管箝位全桥多电平逆变电路输出电压E ; 步骤6 : π - Θ i?ji + Θ i区间，功率开关管MOSFET Ga2、功率开关管MOSFET Gb2和二 极管VD4、二极管VDi导通，二极管箝位全桥多电平逆变电路输出零电压； 步骤7 : π + Θ i?π + θ 1+α区间，二极管箝位全桥多电平逆变电路输出电流通过 功率开关管MOSFET Ga4、功率开关管M0SFETGa3、功率开关管M0SFETGb3、功率开关管M0SFETG b4 的极间反并二极管续流，二极管箝位全桥多电平逆变电路输出电压-E，输出电压已换相，输 出电流未换相； 步骤8:31 + 0^0?π + θ2区间，功率开关管MOSFET Gb4、功率开关管M0SFETGb3、 功率开关管M0SFETGa3、功率开关管M0SFETG a4导通，二极管箝位全桥多电平逆变电路输出电 压-E，输出电流换相； 步骤9:3ι + Θ2?23ι-Θ2区间，二极管VD3与功率开关管MOSFET Gb3、功率开关管 MOSFET Ga3、功率开关管MOSFET Ga4导通，分压电容Q充电，分压电容C2放电，二极管箝位全 桥多电平逆变电路输出电压-E/2 ;分压电容Q的电压增加△ Ua，分压电容C2的电压降低 Δ UC2, Δ UC2 - _ Δ UC1 ; 步骤10 :2 π - θ 2?2 π - Θ i区间，重复步骤8二极管箝位全桥多电平逆变电路的 运行状态，二本文档来自技高网...

【技术保护点】
双频率感应加热电源，其特征在于，包括二极管箝位全桥多电平逆变电路(2)，所述二极管箝位全桥多电平逆变电路(2)分别与直流电源(1)和单感应线圈负载电路(3)连接；所述二极管箝位全桥多电平逆变电路(2)由三个串联支路并联而成，串联支路一由分压电容C1和分压电容C2串联组成，串联支路二由功率开关管MOSFET Ga1、功率开关管MOSFET Ga2、功率开关管MOSFET Ga3、功率开关管MOSFET Ga4串联组成，串联支路三由功率开关管MOSFET Gb1、功率开关管MOSFET Gb2、功率开关管MOSFET Gb3、功率开关管MOSFET Gb4串联组成；所述分压电容C1、功率开关管MOSFET Ga1的漏极、功率开关管MOSFET Gb4的漏极分别与直流电源(1)的正极连接，所述分压电容C2、功率开关管MOSFET Ga4的源极、功率开关管MOSFET Gb1的源极分别与直流电源(1)的负极连接；所述功率开关管MOSFET Ga2和功率开关管MOSFET Ga3还并联有箝位支路一，箝位支路一由二极管VD1和二极管VD2串联组成，所述功率开关管MOSFET Gb3和功率开关管MOSFET Gb2之间还并联有箝位支路二，箝位支路二由二极管VD3和二极管VD4串联组成；所述分压电容C1和分压电容C2之间的节点、二极管VD1和二极管VD2之间的节点、二极管VD3和二极管VD4之间的节点均接地。...

【技术特征摘要】
1. 双频率感应加热电源，其特征在于，包括二极管箝位全桥多电平逆变电路（2)，所述 二极管箝位全桥多电平逆变电路（2)分别与直流电源（1)和单感应线圈负载电路（3)连 接； 所述二极管箝位全桥多电平逆变电路（2)由三个串联支路并联而成，串联支路一由 分压电容(^和分压电容C2串联组成，串联支路二由功率开关管MOSFET Gal、功率开关管 MOSFET Ga2、功率开关管MOSFET Ga3、功率开关管MOSFET Ga4串联组成，串联支路三由功率开 关管MOSFET Gbl、功率开关管MOSFET Gb2、功率开关管MOSFET Gb3、功率开关管MOSFET Gb4串联 组成；所述分压电容Q、功率开关管MOSFET Gal的漏极、功率开关管MOSFET Gb4的漏极分别 与直流电源（1)的正极连接，所述分压电容(：2、功率开关管MOSFET Ga4的源极、功率开关管 MOSFET Gbl的源极分别与直流电源（1)的负极连接；所述功率开关管MOSFET Ga2和功率开关 管MOSFET Ga3还并联有箝位支路一，箝位支路一由二极管乂01和二极管VD2串联组成，所述 功率开关管MOSFET Gb3和功率开关管MOSFET Gb2之间还并联有箝位支路二，箝位支路二由二 极管VD3和二极管VD4串联组成；所述分压电容Q和分压电容C 2之间的节点、二极管VDi和 二极管VD2之间的节点、二极管VD3和二极管VD 4之间的节点均接地。2. 如权利要求1所述的双频率感应加热电源，其特征在于，所述单感应线圈负载电路 (3)由感应线圈L和辅助谐振电路连接组成，所述辅助谐振电路由谐振电感Q和谐振电容 C3串联后再与谐振电容C4并联而成。3. 如权利要求1所述的双频率感应加热电源，其特征在于，所述辅助谐振电路连接至 功率开关管MOSFET Ga2和功率开关管MOSFET Ga3之间的节点，所述感应线圈L连接至功率开 关管MOSFET Gb2和功率开关管MOSFET Gb3之间的节点。4. 用于双频率感应加热电源的二极管箝位全桥多电平逆变电路的控制方法，具体包括 以下步骤： 步骤1 Θ i?Θ i区间，功率开关管MOSFET Gb3、功率开关管MOSFET Ga3与二极管VD2、 二极管VD3导通，二极管箝位全桥多电平逆变电路（2)输出零电压； 步骤2 : Θ i?θ 1+α区间，二极管箝位全桥多电平逆变电路（2)输出电流通过功率开 关管MOSFET Gbl、功率开关管MOSFET Gb2、功率开关管MOSFET Ga2、功率开关管MOSFET Gal的 极间反并二极管续流，二极管箝位全桥多电平逆变电路（2)输出电压E...

【专利技术属性】
技术研发人员：冷朝霞，刘庆丰，尚麦霞，田地，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61