粘合片制造技术

本发明专利技术提供一种粘合片，其在贴附于半导体晶圆并供于半导体晶圆的背面磨削工序时，能够防止磨削水和/或磨削屑侵入粘合片和半导体晶圆之间。本发明专利技术的粘合片具备包含2种以上树脂的粘合剂层，该粘合剂层中，由利用原子力显微镜测定的与被粘物相接触侧的表面的相位图像获得的、以相位差为纵轴（y轴）、以测定距离为横轴（x轴）的第1方向和垂直于该第1方向的第2方向的线轮廓中，第1方向上的相位差的大小（P1-avg）与第2方向上的相位差的大小（P2-avg）之比（P1-avg/P2-avg）为0.94～1.06。

【技术实现步骤摘要】
粘合片
本专利技术涉及粘合片。
技术介绍
由硅、镓、砷等形成的半导体晶圆以大直径状态制造，在表面形成图案后磨削背 面，通常将晶圆的厚度磨薄至100?600μπι左右，进而切割分离（dicing)为元件小片，进 一步转移至安装工序。 在磨削半导体晶圆背面的工序(背面磨削工序）中，为了保护半导体晶圆的图案面 而使用粘合片。该粘合片通常在背面磨削工序后被剥离。出于这种目的而使用的粘合片需 要在背面磨削工序中不会发生剥离的程度的粘合力，另一方面，要求在背面磨削工序后能 够容易地剥离，以及不损坏半导体晶圆的程度的低粘合力。为了如此调节粘合力，提出了具 有将2种以上的树脂(例如，粘合性树脂和非粘合性树脂）共混而形成的粘合剂层的粘合片 (专利文献1)。 但是，将具有由2种以上的树脂形成的粘合剂层的粘合片贴附于半导体晶圆，并 将半导体晶圆供于背面磨削工序时，有这样的问题：磨削水和/或磨削屑容易侵入粘合片 和半导体晶圆之间，存在污染半导体晶圆的担心。 现有抟术f献 专利f献 专利文献1 :日本特开2012-62406号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问是页 本专利技术是为了解决上述现有问题而作出的，其目的在于提供一种粘合片，其在贴 附于半导体晶圆并供于半导体晶圆的背面磨削工序时，能够防止磨削水和/或磨削屑侵入 粘合片和半导体晶圆之间。 用于解决问题的方案 本专利技术的粘合片具备包含2种以上树脂的粘合剂层，该粘合剂层中，由利用原子 力显微镜测定的与被粘物相接触侧的表面的相位图像获得的、以相位差为纵轴（y轴)、以测 定距离为横轴（X轴）的第1方向和垂直于该第1方向的第2方向的线轮廓中，第1方向上 的相位差的大小（Ph Vg)与第2方向上的相位差的大小（P2_avg)之比为0. 94? 1. 06。 优选的实施方式中，构成上述粘合剂层的2种以上的树脂分别具有共通的构成单 元作为主要构成单元。 专利技术的效果 根据本专利技术，能够提供一种粘合片，其在贴附于半导体晶圆并供于半导体晶圆的 背面磨削工序时，能够防止磨削水和/或磨削屑侵入粘合片和半导体晶圆之间。 【附图说明】 图1是本专利技术的粘合剂层的由基于原子力显微镜的相位图像而得到的线轮廓。 图2是本专利技术的一个实施方式的粘合片的截面示意图。 附图标记说明 10 粘合剂层 20 中间层 30 基材层 100粘合片 【具体实施方式】 A.粘合剂层 本专利技术的粘合片具备粘合剂层。该粘合剂层包含2种以上的树脂，优选的是包含 至少1种以上的粘合性树脂和至少1种以上的非粘合性树脂。若粘合剂层如此包含2种 以上的树脂，则变得容易调节树脂的种类和树脂的含有比例来适当控制粘合力和储能模量 (G，）。 上述粘合剂层在50°C下熟化2天后，将半导体镜面晶圆(硅制）作为试验板，利用 以JIS Z0237 (2000)为基准的方法(贴合条件：2kg辊往复1次、剥离速度：300mm/min、剥 离角度180° )测定的粘合力优选为0· lN/20mm?3. 0N/20mm，进一步优选为0· 2N/20mm? 2. 5N/20mm，特别优选为0. 2N/20mm?2. 0N/20mm。如果为这种范围，则能够兼顾粘合力和剥 离性，能够得到例如在半导体晶圆的背面磨削工序中的磨削加工中不剥离，而在磨削加工 后能够各易地剥尚的粘合片。 上述粘合剂层的储能模量（G'）优选为0. 5X106Pa?1.0X108Pa，进一步优选为 0. 8X 106Pa?3. OX 107Pa。如果上述粘合剂层的储能模量（G'）为这样的范围，则能够获得 可以兼顾对表面具有凹凸的被粘物的充分的粘合力和适度的剥离性的粘合片。另外，具备 这种储能模量（G'）的上述粘合剂层的粘合片在用于半导体晶圆加工用时，能够有助于达成 晶圆的背面磨削中的优异的磨削精度。需要说明的是，本专利技术中的储能模量（G'）可以通过 动态粘弹性光谱测定来测定。 上述粘合剂层中，由利用原子力显微镜测定的与被粘物相接触侧的表面的相位图 像得到的、以相位差(基于原子力显微镜测定的输入信号和输出信号的相位差（° ))为纵轴 (y轴)、以测定距离为横轴（X轴）的第1方向和垂直于该第1方向的第2方向的线轮廓中， 第1方向上的相位差的大小（Pn)与第2方向上的相位差的大小（p 2_avg)之比 为0.94?1.06。此处，第1方向上的相位差的大小（P^g)是指，在上述第1方向的线轮廓 中，将以第1方向的规定距离L上的相位差平均线为基准的波形面积除以该距离L而得到 的值设为Pi (° )，由随机抽取的128条线得到的Pi的平均值。另外，第2方向上的相位差 的大小（P2_avg)是指，上述第2方向的线轮廓中，将以第2方向的规定距离L上的相位差平均 线为基准的波形面积除以该距离L而得到的值设为P 2 (° )，由随机抽取的128条线得到的 己的平均值。图1中示出由上述相位图像得到的线轮廓的一例。另外，Pi (° )和己（° ) 用下式（1)表不。上述L例如设定为1 μ m?10 μ m，优选为2 μ m?5 μ m，更优选为2. 5 μ m。 相位图像的测定方法随后进行说明。在一个实施方式中，上述第2方向为平行于制造粘合 片时的运送方向的方向（MD)，上述第1方向为垂直于MD的方向（TD)。 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种粘合片，其具备包含2种以上树脂的粘合剂层，该粘合剂层中，由利用原子力显微镜测定的与被粘物相接触侧的表面的相位图像获得的、以相位差为纵轴（y轴）、以测定距离为横轴（x轴）的第1方向和垂直于该第1方向的第2方向的线轮廓中，第1方向上的相位差的大小（P1‑avg）与第2方向上的相位差的大小（P2‑avg）之比（P1‑avg/P2‑avg）为0.94～1.06。

【技术特征摘要】
2013.03.11 JP 2013-0478571. 一种粘合片，其具备包含2种以上树脂的粘合剂层， 该粘合剂层中，由利用原子力显微镜测定的与被粘物相接触侧的表面的相位图像获得 的、以相位差为纵轴（y轴)、以测定距离为横轴（X轴)的第1方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：本田哲士，龟井胜利，盛田美希，高桥智一，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP