本发明专利技术涉及半导体器件及其制造方法、显示单元及电子设备制造方法。一种半导体器件，包括：栅电极和布线；覆盖栅电极和布线的第一绝缘膜；与栅电极相对的半导体膜，第一绝缘膜在栅电极和半导体膜之间；位于与半导体膜相邻的位置的第一凹部；连接孔，连接孔设置在第一绝缘膜中，并且连接孔到达布线；以及第一导电膜，第一导电膜通过连接孔电连接至布线，并且第一导电膜埋入第一凹部中。
【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用 本申请要求于2013年3月4日提交的日本优先权专利申请JP2013-41728的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
本技术涉及电连接至诸如信号线的布线的半导体器件、半导体器件的制造方法、显示单元的制造方法、以及使用半导体器件的制造方法的电子设备的制造方法。
技术介绍
近年来，随着显示器尺寸的增大以及其高分辨率的实现，对于作为驱动元件的TFT(薄膜晶体管)已经要求高移动性，并且已经积极开发了具有由氧化物半导体形成的TFT的半导体装置，氧化物半导体诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、铝(Al)、钛(Ti)中的一种的氧化物以及其混合物的氧化物(例如，日本未审查专利申请公开N0.2010-182818、2010-182819、和2012-160679)。特别地，已经知道，在由Zn、In JPGa的复合氧化物形成的TFT中，电子迁移率大，并且相比于由一般用于液晶显示器等的非晶硅(a-Si:H)形成的TFT,显示出了优异的电气特性。此外，由有机半导体材料制成的TFT引起了注意。有机TFT允许以低成本制造，并且具有较高的灵活性。
技术实现思路
然而，上述氧化物半导体、上述有机半导体等容易受到湿气的影响，并且TFT特性因为侵入信道的湿气而改变。在使用诸如多晶硅和非晶硅的半导体材料的情况下，湿气侵入可能会影响TFT特性。为了应对这种不利，已经提出了一种其中半导体膜的侧面用源漏电极覆盖的方法，即，通过防止湿气浸入到半导体膜中来提高可靠性的方法(例如，日本未审查专利申请公开N0.2010-182818和2010-182819)。一直希望用较简单的方法制造这种高度可靠的TFT。理想的是提供一种能够抑制湿气侵入到半导体中且用较简单的方法制造的半导体器件及其制造方法、显示单元的制造方法、以及电子设备的制造方法。根据本技术的实施例，提供了一种半导体器件的制造方法，该方法包括:形成栅电极和布线；用第一绝缘膜覆盖栅电极和布线；在栅电极上形成半导体膜，第一绝缘膜在栅电极和半导体膜之间；用第二绝缘膜覆盖半导体膜和第一绝缘膜；通过一个步骤将第二绝缘膜和第一绝缘膜图案化，以形成连接孔和第一凹部，连接孔到达布线，并且第一凹部位于与半导体膜相邻的位置；以及在从连接孔到第一凹部的区域中形成第一导电膜，以通过连接孔将第一导电膜电连接至布线，并且将第一导电膜埋入第一凹部。根据本技术实施例,提供了一种显示单元的制造方法,该方法包括:形成显示元件和配置为驱动显示元件的半导体器件，形成显示元件和半导体器件包括:形成栅电极和布线；用第一绝缘膜覆盖栅电极和布线；在栅电极上形成半导体膜，第一绝缘膜在栅电极和半导体膜之间；用第二绝缘膜覆盖半导体膜和第一绝缘膜；通过一个步骤将第二绝缘膜和第一绝缘膜图案化，以形成连接孔和第一凹部，连接孔到达布线，并且第一凹部位于与半导体膜相邻的位置；以及在从连接孔到第一凹部的区域中形成第一导电膜，以通过连接孔将第一导电膜电连接至布线，并且将第一导电膜埋入第一凹部。根据本技术实施例，提供了一种电子设备的制造方法，该方法包括:形成显示单元，显示单元具有显示元件和配置为驱动显示元件的半导体器件，形成显示单元包括:形成栅电极和布线；用第一绝缘膜覆盖栅电极和布线；在栅电极上形成半导体膜，第一绝缘膜在栅电极和半导体膜之间；用第二绝缘膜覆盖半导体膜和第一绝缘膜；通过一个步骤将第二绝缘膜和第一绝缘膜图案化，以形成连接孔和第一凹部，连接孔到达布线，并且第一凹部位于与半导体膜相邻的位置；以及在从连接孔到第一凹部的区域中形成第一导电膜，以通过连接孔将第一导电膜电连接至布线，并且将第一导电膜埋入第一凹部。根据本技术实施例，提供另一种半导体器件，包括:栅电极和布线；覆盖栅电极和布线的第一绝缘膜；与栅电极相对的半导体膜，第一绝缘膜在栅电极和半导体膜之间；位于与半导体膜相邻的位置的第一凹部；连接孔，连接孔设置在第一绝缘膜中，并且连接孔到达布线；以及第一导电膜，第一导电膜通过连接孔电连接至布线，并且第一导电膜埋入第一凹部中。在根据本技术上述实施例的半导体器件中，第一导电膜埋在与半导体膜相对的位置第一凹部中，并且半导体膜的端部用第一导电膜覆盖。因此，抑制了湿气侵入到半导体膜中。例如使用多灰度级掩模，通过一个曝光步骤将第一凹部和连接孔一起图案化。根据本技术上述实施例的半导体器件及其制造方法、显示单元的制造方法、以及电子设备的制造方法，通过一个步骤将第一凹部和连接孔图案化。因此，允许通过更简单的方法获得高度可靠的薄膜晶体管。将会理解，上面的一般描述和下面的详细描述都是实例性的，旨在提供所要求的本技术的进一步解释。【附图说明】包括了附图以提供对本公开的进一步理解，附图并入并构成本说明书的一部分。附图示出了实施例，并且与说明书一起用于说明本技术的原理。图1的部分(A)和部分(B)示出了根据本技术第一实施例的显示单元的主要部分的配置。图2是示出图1的部分(A)和部分(B)中示出的显示单元的整个配置的示意图。图3是示出图2中示出的像素驱动电路的实例的示意图。图4是示出图1的部分(A)中示出的凹部的配置的平面图。图5是示出图1的部分(A)中示出的凹部和连接孔的布置的另一实例的横截面图。图6A是示出制造图1的部分(A)和部分(B)中示出的显示单元的步骤的横截面图。图6B是示出图6A的步骤之后的步骤的横截面图。图6C是示出图6B的步骤之后的步骤的横截面图。图7A示出图6C的步骤之后的步骤的横截面图。图7B示出图7A的步骤之后的步骤的横截面图。图8A示出图7B的步骤之后的步骤的横截面图。图8B示出图8A的步骤之后的步骤的横截面图。图9的部分(A)和部分(B)是示出根据比较例I的显示单元的主要部分的配置的视图。图1OA是示出制造图9的部分(A)和部分(B)中示出的显示单元的步骤的横截面图。图1OB是示出图1OA的步骤之后的步骤的横截面图。图11的部分(A)和部分(B)是示出根据比较例2的显示单元的主要部分的配置的视图。图12A是示出制造图11的部分(A)和部分(B)中示出的显示单元的步骤和横截面图。图12B是示出图12A的步骤之后的步骤的横截面图。图12C是示出图12B的步骤之后的步骤的横截面图。图12D是示出图12C的步骤之后的步骤的横截面图。图13是示出根据本技术第二实施例的显示单元的主要部分的配置的横截面图。图14A是示出制造图13中示出的显示单元的步骤的横截面图。图14B是示出图14A的步骤之后的步骤的横截面图。图14C是示出图14B的步骤之后的步骤的横截面图。图15A是示出图14C的步骤之后的步骤的横截面图。图15B是示出图15A的步骤之后的步骤的横截面图。图15C是示出图15B的步骤之后的步骤的横截面图。图16是示出根据本技术第三实施例的显示单元的主要部分的配置的横截面图。图17A是示出制造图16中示出的显示单元的步骤的横截面图。图17B是示出图17A的步骤之后的步骤的横截面图。图17C是示出图17B的步骤之后的步骤的横截面图。图18A是示出图17C的步骤之后的步骤的横截面图。图18B是示出图18A的步骤之后的步骤的横截面图。图18C是示出图18B的步骤之后的步骤的横截面图。图19A是示出图18C的步骤之后的步骤的横截本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：形成栅电极和布线；用第一绝缘膜覆盖所述栅电极和所述布线；在所述栅电极上形成半导体膜，所述第一绝缘膜在所述栅电极和所述半导体膜之间；用第二绝缘膜覆盖所述半导体膜和所述第一绝缘膜；通过一个步骤将所述第二绝缘膜和所述第一绝缘膜图案化，以形成连接孔和第一凹部，所述连接孔到达所述布线，并且所述第一凹部位于与所述半导体膜相邻的位置；以及在从所述连接孔到所述第一凹部的区域中形成第一导电膜，以通过所述连接孔将所述第一导电膜电连接至所述布线，并且将所述第一导电膜埋入所述第一凹部中。
【技术特征摘要】
2013.03.04 JP 2013-0417281.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括: 形成栅电极和布线； 用第一绝缘膜覆盖所述栅电极和所述布线； 在所述栅电极上形成半导体膜，所述第一绝缘膜在所述栅电极和所述半导体膜之间； 用第二绝缘膜覆盖所述半导体膜和所述第一绝缘膜； 通过一个步骤将所述第二绝缘膜和所述第一绝缘膜图案化，以形成连接孔和第一凹部，所述连接孔到达所述布线，并且所述第一凹部位于与所述半导体膜相邻的位置；以及在从所述连接孔到所述第一凹部的区域中形成第一导电膜，以通过所述连接孔将所述第一导电膜电连接至所述布线，并且将所述第一导电膜埋入所述第一凹部中。2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过一个光刻步骤将所述第二绝缘膜和所述第一绝缘膜图案化。3.根据权利要求1所述的方法，其中， 与所述第一凹部一起形成第二凹部，所述第二凹部在所述半导体膜的沟道长度方向上与所述第一凹部成对，以及 第二导电膜埋在所述第二凹部中。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一导电膜和所述第二导电膜电连接至所述半导体膜。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一凹部形成为比所述连接孔更浅。6.根据权利要求1所述的方法，其中，使用多灰度级掩模将所述第二绝缘膜和所述第一绝缘膜图案化。7.根据权利要求6所述的方法，其中，使用半色调掩模作为所述多灰度级膜。8.根据权利要求3所述的方法，其中， 与所述栅电极和所述布线一起设置电极，以及 所述电极在所述第二凹部中与所述第二导电膜相对，以形成保持电容器。9.根据权利要求8所述的方法，其中，第一区和第二区形成在所述第二凹部中，所述第一区更靠近所述半导体膜，且所述第二区比所述第一区更深，以及 所述保持电容器形成在所述第二区中。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一凹部形成在所述半导体膜的非相对区周围，所述非相对区不与所述栅电极相对。11.根据权利要求1所述的方法，其中，先于所述第一凹部形成所述连接孔。12.—种显示单元的制造方法,所述方法包括: 形成显示元件和被配置为驱动所述显示元件的半导体器件，形成所述显示元件和所述半导体器件包括: 形成栅电极和布线； 用第一绝缘膜覆盖所述栅电极和所述布线； 在所述栅电极上形成半导体膜，所述第一绝缘膜在所述栅电极和所述半导体膜之间； 用第二绝缘膜覆盖所述半导体膜和所述第一绝缘膜； 通过一个步骤将...
【专利技术属性】
技术研发人员：甘利浩一，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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