倒装LED芯片的制备方法及倒装LED芯片技术

本发明专利技术提供一种倒装LED芯片的制备方法及倒装LED芯片。本发明专利技术提供的方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、本征半导体层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，以形成外延层；去除部分P型半导体层和部分发光层，露出部分N型半导体层；在P型半导体层的表面依次形成透明导电层和DBR层；在DBR层的表面形成金属反射层，并在DBR层和金属反射层的相同位置形成通孔，以露出部分N型半导体层和部分透明导电层；在DBR层和金属反射层的通孔上形成金属导电层。本发明专利技术提供的方法解决了现有技术制备的倒装LED芯片，由于金属材料的性能限制，在制备金属反射层时无法兼顾反射率和导电性的要求而导致反射效率降低的问题。

【技术实现步骤摘要】
倒装LED芯片的制备方法及倒装LED芯片
本专利技术涉及芯片制造技术，尤其涉及一种倒装LED芯片的制备方法及倒装LED芯片。
技术介绍
随着发光二极管(Light Emitting D1de,简称:LED)技术的发展,LED芯片已广泛应用于照明、指示、显示和背光源中，由于倒装形式的LED芯片可以避免金属电极对光的遮挡，通过衬底作为透光面提高了发光区面积，并且可以兼顾透光率和方阻的均衡等优势，已逐步替代传统的正装LED芯片。目前的倒装LED芯片，通常在外延面形成反射层，可以将外延层的光反射到衬底并射出，反射层的材料可以是反射率较高的金属如银(Ag)、铝(Al)等，或者是由分布式布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflect1n,简称为:DBR)形成的非金属反射层，或者是DBR和金属材料的组合；以DBR和金属材料的组合形式为例予以说明，可充分利用DBR的绝缘性能和金属的导电性能进行芯片设计；通常地，金属反射层可以分别与透明导电层、夕卜延层形成欧姆接触，因此，在金属材料的选择上就受到了很大的局限性，具体地，金属反射层不但需要具备较高的反射率，还需要形成良好的欧姆接触，即需要较高的导电性，举例来说，通常利用铬(Cr)、钛(Ti)或镍(Ni)，以及铝(Al)或银(Ag)等金属形成的反射层，其中Cr、Ti或Ni用于电学接触及黏附，Al或Ag用于反射光，但是Cr、Ti或Ni的加入大幅降低了金属反射层的反射效果。现有技术制备的倒装LED芯片，由于金属材料的性能限制，在制备金属反射层时无法兼顾反射率和导电性的要求，通常需要牺牲部分反射率而导致反射效率降低。
技术实现思路
本专利技术提供一种倒装LED芯片的制备方法及倒装LED芯片，以解决现有技术制备的倒装LED芯片，由于金属材料的性能限制，在制备金属反射层时无法兼顾反射率和导电性的要求而导致反射效率降低的问题。本专利技术提供一种倒装LED芯片的制备方法，包括:在衬底上依次生长缓冲层、本征半导体层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，以形成外延层；去除部分P型半导体层和部分发光层，露出部分N型半导体层；在所述P型半导体层的表面依次形成透明导电层和分布式布拉格反射镜DBR层，其中，所述透明导电层覆盖所述P型半导体层，所述DBR层覆盖所述透明导电层、所述N型半导体层、所述发光层和所述P型半导体层；在所述DBR层的表面形成金属反射层，并在所述DBR层和所述金属反射层的相同位置形成通孔，以露出部分N型半导体层和部分透明导电层；在所述DBR层和所述金属反射层的通孔上形成金属导电层。如上所示的方法，其中，所述在所述DBR层的表面形成金属反射层，并在所述DBR层和所述金属反射层的相同位置形成通孔，包括:在所述DBR层的表面直接形成所述金属反射层；在所述DBR层和所述金属反射层上同时形成穿过所述金属反射层和穿过所述DBR层的通孔。如上所示的方法，其中，所述在所述DBR层的表面形成金属反射层，并在所述DBR层和所述金属反射层的相同位置形成通孔，包括:在所述DBR层上形成通孔；在所述DBR层的表面形成金属反射层，并在所述DBR层的通孔位置形成所述金属反射层上的通孔，其中，所述金属反射层的覆盖范围不超出所述DBR层的覆盖范围。如上所示的方法，其中，所述在所述DBR层的通孔位置形成所述金属反射层上的通孔，包括:在所述金属反射层上形成通孔，所述通孔包括与所述DBR层的通孔位置相同的用于形成所述金属导电层的通孔，以及用于将所述金属反射层隔离成相互独立的第一金属反射层和第二金属反射层的隔离孔；其中，所述第一金属反射层上的通孔位于所述N型半导体层之上，并使得部分N型半导体层露出，所述第二金属反射层上的通孔位于所述透明导电层之上，并使得部分透明导电层露出。如上所示的方法，其中，所述金属反射层由单一材料形成；或者，所述金属反射层由多种材料依次形成的反射层、过渡层和屏障层叠加组成。如上所示的方法，其中，所述在所述DBR层和所述金属反射层的通孔上形成金属导电层，包括:在所述DBR层和所述金属反射层的通孔上形成填充所述DBR层的通孔和填充所述金属反射层的通孔的金属导电层，所述金属导电层在所述通孔的位置形成相互独立的区域。如上所示的方法，其中，所述金属导电层包括第一金属导电层和第二金属导电层，所述第一金属导电层位于第一金属反射层上，所述第二金属导电层位于第二金属反射层上；则所述在所述DBR层和所述金属反射层的通孔上形成金属导电层，包括:去除部分金属反射层，使得所述第一金属反射层上的通孔和所述第二金属反射层上的通孔分别连通；在所述DBR层和所述金属反射层的通孔上形成分别连接所述第一金属导电层和所述第二金属导电层，其中，所述第一金属导电层与所述第二金属导电层相互独立。如上所示的方法，其中，还包括:在所述金属反射层和所述金属导电层上形成绝缘层，在所述绝缘层上形成露出部分金属导电层的通孔；在所述绝缘层的通孔上形成金属电极层。如上所示的方法，其中，所述绝缘层上的通孔至少包括两个，其中，一个通孔位于所述第一金属导电层上，另一个通孔位于所述第二金属导电层上，分别设置在所述倒装LED芯片的两端；所述金属电极层包括覆盖于所述第一金属导电层上的第一金属电极层和覆盖于所述第二金属导电层上的第二金属电极层。本专利技术提供还一种倒装LED芯片，所述倒装LED芯片采用本专利技术提供的倒装LED芯片的制备方法制得。本实施例所提供的倒装LED芯片的制备方法及倒装LED芯片，通过在衬底上形成由缓冲层、本征半导体层、N型半导体层、发光层和P型半导体层所构成的外延层，在去除部分P型半导体层和部分发光层，并露出部分N型半导体层后，在P型半导体层的表面依次形成透明导电层、DBR层和金属反射层，并在DBR层和金属反射层的相同位置形成通孔，以露出部分N型半导体层和部分透明导电层，进而在该通孔的上形成金属导电层，本实施例通过分别形成用于反射光的金属反射层和用于欧姆接触的金属导电层所制备的倒装LED芯片，解决了现有技术制备的倒装LED芯片，由于金属材料的性能限制，在制备金属反射层时无法兼顾反射率和导电性的要求而导致反射效率降低的问题，提高了倒装LED芯片的发光效率。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术提供的一种倒装LED芯片的制备方法的一个实施例的流程图；图2为图1所示实施例提供的一种倒装LED芯片的制备方法的工艺过程的芯片结构示意图；图3为图1所示实施例提供的一种倒装LED芯片的制备方法的工艺过程的芯片结构示意图；图4为图1所示实施例提供的一种倒装LED芯片的制备方法的工艺过程的芯片结构示意图；图5为图1所示实施例提供的一种倒装LED芯片的制备方法的工艺过程的芯片结构示意图；图6为图1所示实施例提供的一种倒装LED芯片的制备方法的工艺过程的芯片结构示意图；图7为图1所示实施例提供的一种倒装LED芯片的金属导电层的俯视图；图8为本专利技术提供的一种倒装LED芯片的制备方法的另一个实施例的流程图；图9为图8所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上依次生长缓冲层、本征半导体层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，以形成外延层；去除部分P型半导体层和部分发光层，露出部分N型半导体层；在所述P型半导体层的表面依次形成透明导电层和分布式布拉格反射镜DBR层，其中，所述透明导电层覆盖所述P型半导体层，所述DBR层覆盖所述透明导电层、所述N型半导体层、所述发光层和所述P型半导体层；在所述DBR层的表面形成金属反射层，并在所述DBR层和所述金属反射层的相同位置形成通孔，以露出部分N型半导体层和部分透明导电层；在所述DBR层和所述金属反射层的通孔上形成金属导电层。

【技术特征摘要】
1.一种倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括: 在衬底上依次生长缓冲层、本征半导体层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，以形成外延层； 去除部分P型半导体层和部分发光层，露出部分N型半导体层； 在所述P型半导体层的表面依次形成透明导电层和分布式布拉格反射镜DBR层，其中，所述透明导电层覆盖所述P型半导体层，所述DBR层覆盖所述透明导电层、所述N型半导体层、所述发光层和所述P型半导体层； 在所述DBR层的表面形成金属反射层，并在所述DBR层和所述金属反射层的相同位置形成通孔，以露出部分N型半导体层和部分透明导电层； 在所述DBR层和所述金属反射层的通孔上形成金属导电层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述DBR层的表面形成金属反射层，并在所述DBR层和所述金属反射层的相同位置形成通孔，包括: 在所述DBR层的表面直接形成所述金属反射层； 在所述DBR层和所述金属反射层上同时形成穿过所述金属反射层和穿过所述DBR层的通孔。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述DBR层的表面形成金属反射层，并在所述DBR层和所述金属反射层的相同位置形成通孔，包括: 在所述DBR层上形成通孔； 在所述DBR层的表面形成金属反射层，并在所述DBR层的通孔位置形成所述金属反射层上的通孔，其中，所述金属反射层的覆盖范围不超出所述DBR层的覆盖范围。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述DBR层的通孔位置形成所述金属反射层上的通孔，包括: 在所述金属反射层上形成通孔，所述通孔包括与所述DBR层的通孔位置相同的用于形成所述金属导电层的通孔，以及用于将所述金属反射层隔离成相互独立的第一金属反射层和第二金属反射层的隔离孔； 其中，所述第一金属反射层上的通孔位于所述N型半导体层之上，并使得部分N型半导体层露...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚禹，郑远志，陈向东，康建，梁旭东，
申请(专利权)人：圆融光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34