本发明专利技术的目的在于提供能够提高胶粘薄膜的切断可靠性并且能够抑制由胶粘薄膜造成的碎片污染的半导体装置的制造方法。本发明专利技术提供一种半导体装置的制造方法，其具有如下工序：在半导体晶片(4)的表面形成槽(4S)后，粘贴保护用粘合薄膜(44)，进行半导体晶片的背面磨削，使槽从背面露出的工序；在半导体晶片的背面粘贴胶粘薄膜，然后将保护用粘合薄膜剥离的工序；和沿着露出胶粘薄膜的槽照射波长355nm的激光，将胶粘薄膜切断的工序；胶粘薄膜的(a)波长355nm下的吸光系数为40cm-1以上、(b)50℃下的拉伸储能弹性模量为0.5MPa以上且20MPa以下、并且(c)120℃下的拉伸储能弹性模量为0.3MPa以上且7MPa以下、或者120℃下的熔融粘度为2000Pa·s以上。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法以及用于该半导体装置的制造方法的胶粘薄膜
本专利技术涉及半导体装置的制造方法以及用于该半导体装置的制造方法的胶粘薄膜。
技术介绍
以往，在半导体装置的制造过程中，将半导体芯片粘着到引线框或电极构件上时使用银浆。所述粘着处理通过在引线框的芯片焊盘等上涂布浆状胶粘剂，在其上搭载半导体芯片并使浆状胶粘剂层固化来进行。但是，浆料胶粘剂由于其粘度行为或劣化等而在涂布量或涂布形状等方面产生大的偏差。结果，形成的浆状胶粘剂厚度不均匀，因此半导体芯片的粘着强度的可靠性差。即，浆状胶粘剂的涂布量不足时，半导体芯片与电极构件之间的粘着强度降低，在后续的引线接合工序中半导体芯片剥离。另一方面，浆状胶粘剂的涂布量过多时，浆状胶粘剂流延到半导体芯片上而产生特性不良，成品率或可靠性下降。这样的粘着处理中的问题伴随半导体芯片的大型化变得特别显著。因此，需要频繁地进行浆状胶粘剂的涂布量的控制，影响作业性和生产率。在该浆状胶粘剂的涂布工序中，有将浆状胶粘剂另行涂布到引线框或形成的芯片上的方法。但是，对于该方法而言，浆状胶粘剂层难以均匀化，另外浆状胶粘剂的涂布需要特殊装置或长时间。因此，提出了在切割工序中胶粘保持半导体芯片并且提供安装工序中所需的芯片粘着用胶粘剂层的切割薄膜(例如，参见专利文献1)。该切割薄膜在支撑基材上以可剥离的方式设置有胶粘剂层，在利用该胶粘剂层的保持下将半导体晶片切割后，将支撑基材拉伸而将形成的芯片与胶粘剂层一起剥离，将其分别回收，并通过该胶粘剂层粘着到引线框等被粘物上。使用在切割薄膜上层叠有芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，在芯片接合薄膜的保持下切割半导体晶片时，需要将该芯片接合薄膜与半导体晶片同时切断。然而，对于使用金刚石刀片的一般的切割方法而言，担心由于切割时产生的热的影响而导致芯片接合薄膜与切割薄膜的粘连、由于产生切削屑而导致半导体芯片之间的粘着、切削屑附着到半导体芯片侧面等，因此需要降低切断速度，导致成本上升。在专利文献2中，公开了以下的半导体装置的制造方法：从形成有半导体电路的晶片表面形成比该晶片厚度浅的切入深度的槽，在该电路面上粘贴表面保护片，进行上述半导体晶片的背面磨削由此减薄晶片的厚度，并且最终进行对各个芯片的分割，在磨削面上粘贴包含基材和在其上形成的胶粘剂层的切割/芯片接合片，将该表面保护片剥离，将在芯片间露出的切割/芯片接合片的胶粘剂层切断，将该胶粘剂层与芯片一起从切割/芯片接合片的基材剥离，并通过该胶粘剂层将芯片粘着到规定的基底上。专利文献2中记载的半导体装置的制造方法中，使用切割刀片将在芯片间露出的胶粘剂层切断。另外，用于切断胶粘剂层的切割刀片的宽度使用比芯片的槽宽更窄的宽度，进一步优选该刀片宽度为芯片间槽宽的约30％～约90％。但是，专利文献2的半导体装置的制造方法中，粘贴在芯片背面上并且被切断的胶粘剂层有时俯视比芯片大，成为从芯片突出的状态。从芯片突出的相邻的胶粘剂层之间的距离近，因此有时重新胶粘。因此，存在有时不能拾取的问题。另外，胶粘剂层为从芯片突出的状态时，存在有时来源于胶粘剂层的物质污染设置在胶粘剂层附近的引线接合焊盘的问题。另外，存在有时由于突出的胶粘剂层而难以进行引线接合的问题。在专利文献3中，公开了一种带胶粘剂半导体芯片的制造方法，其具有如下工序：(a)预先在半导体晶片基板表面的对应于贯穿部的部位进行切槽加工至半导体晶片的最终制品厚度的程度的工序、(b)在进行了切槽加工的所述半导体晶片基板表面贴合保护用粘合带的工序、(c)将所述半导体晶片基板薄膜化至预先进行了切槽加工的部位贯穿的厚度、(d)在所述半导体晶片基板的背面磨削加工结束后，在贴合有该保护用粘合带的状态下在所述半导体晶片基板的背面贴合芯片接合片的工序、(de1)在所述芯片接合片上进一步贴合在基材薄膜上形成有包含通过照射紫外线而固化的紫外线固化型粘合剂的粘合剂层的切割带的工序、(de2)从所述切割带的基材薄膜一侧照射紫外线使所述粘合剂层固化的工序、和(e)沿着所述半导体晶片的贯穿部对该芯片接合片以及前述固化后的粘合剂层照射激光从而将该芯片接合片切断的工序。专利文献3中记载的带胶粘剂半导体芯片的制造方法中，在半导体晶片上贴合有保护用粘合带的状态下从切割薄膜一侧照射激光从而将芯片接合片切断。因此，利用激光切断芯片接合片时的碎屑(碎片)位于保护用粘合带上，从而填塞芯片间的空隙。结果，切断芯片接合片时的碎屑与芯片接合片融合等，从而不能适当地进行芯片接合片的切断。特别是芯片的厚度薄的情况下或者芯片接合片的厚度厚的情况下，不能适当地进行芯片接合片的切断的可能性非常高。因此，存在在此后的拾取工序中无法从切割带上剥离芯片接合片的问题。因此，在专利文献4中，公开了一种装置的制造方法，其具有如下工序：在晶片的表面沿着预定分割线形成对应于想获得的芯片的厚度的深度的分割槽的分割槽形成工序、在所述晶片的表面粘贴保护薄膜的保护薄膜粘贴工序、磨削所述晶片的背面直到所述分割槽露出为止从而将晶片分割为各个所述芯片的背面磨削工序、形成在分割为多个芯片的所述晶片的背面粘贴有胶粘薄膜并且在该胶粘薄膜上粘贴有由环状框支撑的具有延伸性的切割带的状态的胶粘薄膜粘贴工序、和将所述保护薄膜剥离除去后对所述胶粘薄膜照射通过所述分割槽的激光光线，由此将该胶粘薄膜沿所述分割槽切断的胶粘薄膜切断工序(特别是，参见第0046段、第0051段、图10)。专利文献4中记载的装置的制造方法中，在照射激光光线前将保护薄膜剥离除去。因此，可以抑制利用激光光线切断胶粘薄膜时的碎片填塞芯片间的空隙的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开昭60-57642号公报专利文献2：日本特开2001-156027号公报专利文献3：日本特开2011-009763号公报专利文献4：日本特开2007-081037号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题但是，专利文献4中记载的装置的制造方法中，在照射激光光线前将保护薄膜剥离除去，因此在照射激光光线时从胶粘薄膜飞散的碎片有可能附着到芯片表面的方面尚有改善的余地。本专利技术鉴于前述问题而创立，其目的在于提供能够提高胶粘薄膜的切断可靠性并且能够抑制由胶粘薄膜造成的碎片污染的半导体装置的制造方法、以及该半导体装置的制造方法中使用的胶粘薄膜。用于解决问题的手段本申请专利技术人为了解决前述现有的问题对半导体装置的制造方法以及该半导体装置的制造方法中使用的胶粘薄膜进行了研究。结果发现，通过采用下述的构成，可以提高胶粘薄膜的切断可靠性并且可以抑制由胶粘薄膜造成的碎片污染，从而完成了本专利技术。即，本专利技术的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：在半导体晶片的表面形成未达到背面的槽的工序A、在形成有槽的所述半导体晶片的表面粘贴保护用粘合薄膜的工序B、进行所述半导体晶片的背面磨削，使所述槽从背面露出的工序C、在所述工序C后，在所述半导体晶片的背面粘贴胶粘薄膜的工序D、在所述工序D后，将所述保护用粘合薄膜剥离的工序E、和在所述工序E后，沿着露出所述胶粘薄膜的所述槽照射波长355nm的激光，将所述胶粘薄膜切断的工序F；所述胶粘薄膜的(a)波长355nm下的吸光系数为40cm-1以上、(b)50℃下的拉伸储能弹性模量为0.5MPa以上且20MPa以下、并本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：在半导体晶片的表面形成未达到背面的槽的工序A、在形成有槽的所述半导体晶片的表面粘贴保护用粘合薄膜的工序B、进行所述半导体晶片的背面磨削，使所述槽从背面露出的工序C、在所述工序C后，在所述半导体晶片的背面粘贴胶粘薄膜的工序D、在所述工序D后，将所述保护用粘合薄膜剥离的工序E、和在所述工序E后，沿着露出所述胶粘薄膜的所述槽照射波长355nm的激光，将所述胶粘薄膜切断的工序F；所述胶粘薄膜的(a)波长355nm下的吸光系数为40cm‑1以上、(b)50℃下的拉伸储能弹性模量为0.5MPa以上且20MPa以下、并且(c)120℃下的拉伸储能弹性模量为0.3MPa以上且7MPa以下、或者120℃下的熔融粘度为2000Pa·s以上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.01.25 JP 2012-0132971.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：在半导体晶片的表面形成未达到背面的槽的工序A、在形成有槽的所述半导体晶片的表面粘贴保护用粘合薄膜的工序B、进行所述半导体晶片的背面磨削，使所述槽从背面露出的工序C、在所述工序C后，在所述半导体晶片的背面粘贴胶粘薄膜的工序D、在所述工序D后，将所述保护用粘合薄膜剥离的工序E、和在所述工序E后，沿着露出所述胶粘薄膜的所述槽照射波长355nm的激光，将所述胶粘薄膜切断的工序F；所述胶粘薄膜的(a)波长355nm下的吸光系数为40cm-1以上、(b)50℃下的拉伸储能弹性模量为0.5MPa以上且20MPa以下、并且(c)120℃下的拉伸储能弹性模量为0.3MPa以上且7MPa以下、或者120℃下的熔融粘度为2000Pa·s以上；所述胶粘薄膜含有作为热固性树脂的环氧树脂和酚醛树脂、作为热塑性树脂的丙烯酸类树脂、以及填料，将环氧树脂、酚醛树脂和丙烯酸类树脂的合计重量设为A重量份，将填料的重量设为B重量份时，B/(A+B)为0以上且0.7以下。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述胶粘薄膜为芯片接合薄膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：田中俊平，宍户雄一郎，大西谦司，浅井文辉，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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