一种半导体芯片的研磨方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体芯片的研磨方法。本发明专利技术的研磨方法本通过定位设备获得半导体芯片中金属线的打线位置，保证了研磨起始位置的准确。用100～400目的粗砂纸进行研磨，直至研磨面距离打线位置达到20微米；接着使用600～1500目砂纸研磨，直至研磨面距离打线位置达到10微米；然后，用2000～2500目砂纸进行研磨，直至半导体芯片完全外露出金属线；最后，使用3000～4000目砂纸进行充分研磨。不同的阶段采用不同目数的砂纸，由此保证的研磨的精确性，从而减少或消除研磨偏差造成的对元件失效分析的时效性，降低了元件的破坏数量。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了。本专利技术的研磨方法本通过定位设备获得半导体芯片中金属线的打线位置，保证了研磨起始位置的准确。用100～400目的粗砂纸进行研磨，直至研磨面距离打线位置达到20微米；接着使用600～1500目砂纸研磨，直至研磨面距离打线位置达到10微米；然后，用2000～2500目砂纸进行研磨，直至半导体芯片完全外露出金属线；最后，使用3000～4000目砂纸进行充分研磨。不同的阶段采用不同目数的砂纸，由此保证的研磨的精确性，从而减少或消除研磨偏差造成的对元件失效分析的时效性，降低了元件的破坏数量。【专利说明】
本专利技术涉及半导体芯片的加工的
，尤其涉及。
技术介绍
半导体行业的芯片上需要打金线来用于电信号的传输。但随着金价的进一步提高，对于IC半导体行业来说，成本是越来越大，为了节省成本，现在许多企业使用铜线来代替金线作为信号线。但是由于铜线很细，大约在几个微米，因此对于IC元件失效时的检测带来了麻烦，是否能清楚的看到铜线的焊点与芯片结合的良好，是检测IC元件失效的关键所在。这给失效元件的检测带来了挑战。现有技术中对半导体芯片的研磨精确性较差，研磨过程中所存在的偏差无法准确将铜线焊点外露出来。本项目的研发可以较好的去解决此问题，可以很好的去定位铜线焊点的位置，这样往往会导致的元件失效。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供，该研磨方法可较为精确地对半导体芯片进行研磨。，包括以下步骤:(I)采用定位设备获得半导体芯片中金属线的打线位置，；(2)对半导体芯片采用100?400目的粗砂纸进行研磨，直至研磨面距离打线位置达到20微米；(3)使用600?1500目砂纸对经步骤⑵的半导体芯片进行研磨，直至研磨面距离打线位置达到10微米；(4)对经步骤(3)的半导体芯片使用2000?2500目砂纸进行研磨，直至半导体芯片完全外露出金属线；(5)对所述金属线使用3000?4000目砂纸进行充分研磨，而后进行抛光处理。上述“金属线”指用于半导体芯片中用来连接元件的金属材质的导线，例如铜线、铝线、金线等。较适用于本专利技术的“金属线”为原子序数较大的金属元素单质，例如铜，而铝被排除于该适用范围之外。金属线通过塑封胶被埋入半导体芯片内。可以理解的是，“研磨面”指代的是对研磨对象(例如，本专利技术中的半导体芯片)的研磨所产生的截面。步骤(3)中的研磨过程中可以使用定位设备对金属线的打线位置进行再次确认或校正，以保证研磨不会发生偏差。值得说明的是，研磨面距离打线位置的距离可以通过本领域技术人员所熟知的任何一种方法或所借助的设备来实现，于此不再说明。其中，步骤(2)中所述粗砂纸的目数优选为300目。其中，步骤(3)中所述砂纸的目数优选为1200目。其中，所述步骤(4)中所述砂纸的目数优选为2400目。其中，所述步骤(5)中所述砂纸的目数优选为4000目。其中，步骤(5)中所述抛光处理采用0.1um?0.3um氧化铝粉。其中,所述定位设备为x-ray定位仪器。x_ray定位仪器为本领域所熟知的设备，其使用操作方法在此不再赘述。本专利技术的半导体芯片的研磨方法通过定位设备获得半导体芯片中金属线的打线位置，保证了研磨起始位置的准确。用100?400目的粗砂纸进行研磨，直至研磨面距离打线位置达到20微米；接着使用600?1500目砂纸研磨，直至研磨面距离打线位置达到10微米；然后，用2000?2500目砂纸进行研磨，直至半导体芯片完全外露出金属线；最后，使用3000?4000目砂纸进行充分研磨。不同的阶段采用不同目数的砂纸，由此保证的研磨的精确性，从而减少或消除研磨偏差造成的对元件失效分析的时效性，降低了元件的破坏数量。【具体实施方式】下面结合实施例来进一步说明本专利技术的技术方案。实施例1采用x-ray定位仪获得半导体芯片中金属线的打线位置。分以下四阶段进行研磨:首先，采用300目的粗砂纸对半导体芯片沿着平行于打线位置的方向进行研磨，直至研磨面距离打线位置达到20微米；接着，采用1200目的粗砂纸对半导体芯片沿着平行于打线位置的方向进行研磨，直至研磨面距离打线位置达到10微米；然后，采用2400目的粗砂纸对半导体芯片沿着平行于打线位置的方向进行研磨，直至金属线完全外露出从半导体芯片中露出。最后，对所述金属线使用4000目砂纸进行充分研磨，而后进行抛光处理。研磨完毕后，采用用超声波用去离子水清洗。实施例2采用x-ray定位仪获得半导体芯片中金属线的打线位置。分以下四阶段进行研磨:首先，采用100目的粗砂纸对半导体芯片沿着平行于打线位置的方向进行研磨，直至研磨面距离打线位置达到19微米；接着，采用1500目的粗砂纸对半导体芯片沿着平行于打线位置的方向进行研磨，直至研磨面距离打线位置达到11微米；然后，采用2000目的粗砂纸对半导体芯片沿着平行于打线位置的方向进行研磨，直至金属线完全外露出从半导体芯片中露出。最后，对所述金属线使用4000目砂纸进行充分研磨，而后进行抛光处理。研磨完毕后，采用用超声波用去离子水清洗。实施例3:采用x-ray定位仪获得半导体芯片中金属线的打线位置。分以下四阶段进行研磨:首先，采用400目的粗砂纸对半导体芯片沿着平行于打线位置的方向进行研磨，直至研磨面距离打线位置达到21微米；接着，采用600目的粗砂纸对半导体芯片沿着平行于打线位置的方向进行研磨，直至研磨面距离打线位置达到9微米；然后，采用2500目的粗砂纸对半导体芯片沿着平行于打线位置的方向进行研磨，直至金属线完全外露出从半导体芯片中露出。最后，对所述金属线使用3000目砂纸进行充分研磨，而后进行抛光处理。研磨完毕后，采用用超声波用去离子水清洗。实施例4:采用x-ray定位仪获得半导体芯片中金属线的打线位置。分以下四阶段进行研磨:首先，采用300目的粗砂纸对半导体芯片沿着平行于打线位置的方向进行研磨，直至研磨面距离打线位置达到20微米；接着，采用1000目的粗砂纸对半导体芯片沿着平行于打线位置的方向进行研磨，直至研磨面距离打线位置达到10微米；然后，采用2200目的粗砂纸对半导体芯片沿着平行于打线位置的方向进行研磨，直至金属线完全外露出从半导体芯片中露出。最后，对所述金属线使用3500目砂纸进行充分研磨，而后进行抛光处理。研磨完毕后，采用用超声波用去离子水清洗。本专利技术的铜线焊点研磨成功率由50%提升到85%，研磨时间有每个3小时提高到大约1.5小时。提高了失效分析的时效性以及降低了元件的破坏数量。 申请人:声明，本专利技术通过上述实施例来说明本专利技术的详细工艺设备和工艺流程，但本专利技术并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程，即不意味着本专利技术必须依赖上述详细工艺设备和工艺流程才能实施。所属
的技术人员应该明了，对本专利技术的任何改进，对本专利技术产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本专利技术的保护范围和公开范围之内。【权利要求】1.，其特征在于，包括以下步骤: (1)采用定位设备获得半导体芯片中金属线的打线位置； (2)对半导体芯片采用100?400目的粗砂纸进行研磨，直至研磨面距离打线位置达到19?21微米； (3)使用600?1500目砂纸对经步骤(2)的半导体芯片进行研磨，直至研磨面距离打线位置达到9?11微米； 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体芯片的研磨方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)采用定位设备获得半导体芯片中金属线的打线位置；(2)对半导体芯片采用100～400目的粗砂纸进行研磨，直至研磨面距离打线位置达到19～21微米；(3)使用600～1500目砂纸对经步骤(2)的半导体芯片进行研磨，直至研磨面距离打线位置达到9～11微米；(4)对经步骤(3)的半导体芯片使用2000～2500目砂纸进行研磨，直至半导体芯片完全外露出金属线；(5)对所述金属线使用3000～4000目砂纸进行充分研磨，而后进行抛光处理。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振鑫，陈彦奇，孟涛涛，
申请(专利权)人：宜特科技昆山电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32