基于Al2O3薄膜的擦写一次读多次非挥发性存储器制造技术

本发明专利技术涉及存储技术领域，公开了一种基于Al2O3薄膜的擦写一次读多次非挥发性存储器，包括衬底、Al2O3薄膜和Pt金属电极，Al2O3薄膜设于衬底上，Pt金属电极设于Al2O3薄膜上，其中衬底为ITO导电玻璃为材料的衬底。该存储器的结构为：铂—氧化铝薄膜—ITO导电玻璃（Pt—Al2O3—ITO），铂和ITO导电玻璃做电极。其中的氧化铝薄膜是通过分子束外延法制备而得到的。本发明专利技术的薄膜器件具有很高的可靠性和性能一致性，器件两种状态的阻值比约为104，可作为擦写一次读多次非挥发性存储器使用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于Al2O3薄膜的擦写一次读多次非挥发性存储器，其特征在于，包括衬底、Al2O3薄膜和Pt金属电极，Al2O3薄膜设于衬底上，Pt金属电极设于Al2O3薄膜上，其中衬底为ITO导电玻璃为材料的衬底。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟民，吴曙翔，李树玮，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：广东;44