激光勘查装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种激光勘查装置，发射用于现场勘查的光束，包括：多个半导体激光单元，以阵列方式设置在底座上；汇聚反射镜，设置在半导体激光单元阵列上方以反射多个半导体激光单元发射的激光汇聚到出光口以形成出射光束；和调焦透镜部件，设置在出光口，调焦透镜部件用于对出射光束进行调节。本发明专利技术的激光勘查装置在勘探过程中不会破坏痕迹。

【技术实现步骤摘要】
激光勘查装置
本专利技术涉及勘查
，特别是涉及激光勘查装置。
技术介绍
公安刑侦现场勘查中需要发现的痕迹包括大量生物质痕迹、例如血液、吐液、精液、汗液等等，现场勘查光源既要保证能够有效发现这些痕迹又要保证现场勘查光源发射的光束单位面积能量不能太大否则会破坏生物质痕迹包含的DNA、这种要求从技术上可分为两个指标、一方面要求就是发射光源在痕迹的荧光激发波长范围内要足够亮从而激发出痕迹较亮的荧光、另一方面要求发射光源的光能量单位面积内不能太大、不会破坏生物质痕迹中的DNA。由于激光是一种相干光源、激光束具有很强的散斑特性，也就是激光束的能量不是均匀分布的、是汇聚到各个散斑点上的，在很小的散斑点上集中了大部分的激光能量，现有技术中采用单一激光器发射的激光束其散斑点的能量与激光发射功率成正比、大功率的激光束、会在这些散斑点上形成局部烧灼现象、对保护DNA非常不利。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是要提供一种不会破坏痕迹的激光勘查装置。本专利技术提供了一种激光勘查装置，发射用于现场勘查的光束，包括:多个半导体激光单元，以阵列方式设置在底座上；汇聚反射镜，设置在半导体激光单元阵列上方以反射多个半导体激光单元发射的激光汇聚到出光口以形成出射光束；和调焦透镜部件，设置在出光口，调焦透镜部件用于对出射光束进行调节。进一步地，底座具有按阵列分布的安装槽，半导体激光单元设置在安装槽内；半导体激光单元包括:半导体激光管和套设在半导体激光管上的准直透镜。进一步地，汇聚反射镜朝向半导体激光单元的一面为反射镜面，反射镜面呈阶梯状，反射镜面每个阶梯面上均设置有多个抛物面反射镜，抛物面反射镜的数量与半导体激光单元的数量相同，并且每个抛物面反射镜与每个半导体激光单元的位置一一对应以反射半导体激光单元发射的激光。进一步地，抛物面反射镜的形状计算公式为:Y2 = 2ΡΧ ;其中，P为抛物面系数，范围是IOOmm至IOOmm之间；Χ为抛物面凹陷部分的半径；Υ为抛物面凹陷部分的深度。进一步地，汇聚反射镜朝向半导体激光单元阵列的一面为反射镜面，反射镜面呈阶梯状，反射镜面的阶梯面与半导体激光单元对应设置，反射镜面的阶梯面对一排半导体激光单元发射的激光进行反射。进一步地，汇聚反射镜朝向半导体激光单元的一面为反射镜面，反射镜面呈抛物面状。进一步地，反射镜面的抛物面的计算公式为:Y2 = 2ΡΧ ;其中，P为抛物面系数，范围是IOOmm至500mm之间；X为抛物面凹陷部分的半径；Y为抛物面凹陷部分的深度。进一步地，每个半导体激光单元的激光发射方向对准反射镜面的中心。进一步地，半导体激光单元倾斜安装在底座上，半导体激光单元与底座所在平面之间的安装角度为60度至120度。进一步地，激光勘查装置还包括冷却风扇和电源，冷却风扇连接在底座上，冷却风扇朝向半导体激光单元进行吹风，电源通过导线连接半导体激光单元。与传统光源例如LED光源、卤素灯光源相比:本实施例采用激光技术、发射的激光具有极窄的发射带宽、一方面在特定激发波长内形成高亮度满足痕迹荧光激发的要求、另一方面利用激光发射波普窄的特点降低发射光束的能量、满足保护生物质DNA的要求、例如常用405nm激发波长、激光光源发射光束的能量集中在405nm激发波长范围内、而在其他非激发波长上分布的能量极小、在同等荧光激发强度的情况下激光光源发射的激光束能量只是传统光源发射的激发光束的1/10、有利于保护DNA、有效实现生物质痕迹勘查的要求。根据下文结合附图对本专利技术具体实施例的详细描述，本领域技术人员将会更加明了本专利技术的上述以及其他目的、优点和特征。【附图说明】后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本专利技术的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解，这些附图未必是按比例绘制的。附图中:图1是根据本专利技术一个实施例的激光勘查装置的示意图；图2是图1所示激光勘查装置的另一个方向的示意图；图3是图1所示激光勘查装置的半导体激光单元的示意图；图4是图1所示激光勘查装置的汇聚反射镜的示意图；图5是根据本专利技术另一个实施例的激光勘查装置的汇聚反射镜的示意图；图6是根据本专利技术另一个实施例的激光勘查装置的部分结构示意图；图7是图6所示激光勘查装置的汇聚反射镜的示意图。【具体实施方式】图1是根据本专利技术一个实施例的激光勘查装置的示意图。本实施例的激光勘查装置发射用于现场勘查的光束，装置具体包括底座10、调焦透镜部件20、多个半导体激光单元30和汇聚反射镜40，其中，多个半导体激光单元30以阵列方式设置在底座10上，汇聚反射镜40设置在半导体激光单元阵列上方，汇聚反射镜40反射多个半导体激光单元30发射的激光汇聚到出光口 22以形成出射光束，调焦透镜部件20设置在出光口 22，调焦透镜部件20用于对出射光束进行调节，调焦透镜部件20可以对发射光束的发射角度进行调节，形成适合现场勘查用的发射光。底座10具有按阵列分布的安装槽，半导体激光单元30设置在安装槽内。半导体激光单元30包括半导体激光管301和套设在半导体激光管301上的准直透镜302，具体参见图3。参见图2和图4，本实施例中的汇聚反射镜40朝向半导体激光单元30的一面为反射镜面41，反射镜面41呈阶梯状，反射镜面41每个阶梯面上均设置有多个抛物面反射镜42，抛物面反射镜42的数量与半导体激光单元30的数量相同，并且每个抛物面反射镜42与每个半导体激光单元30的位置一一对应以反射半导体激光单元30发射的激光。本实施例中抛物面反射镜42的形状需要可以将排成阵列的每个半导体激光单元30发出的激光反射到出光口，本实施例的抛物面反射镜42的形状计算公式为:Y2 = 2ΡΧ。其中，P为抛物面系数，范围是IOOmm至IOOmm之间。X为抛物面凹陷部分的半径。Y为抛物面凹陷部分的深度。上述的Χ、Ρ未在图中示出，但其代表抛物面反射镜42的抛物面凹陷部分的数值。进一步优选地，激光勘查装置还包括冷却风扇50和电源60，冷却风扇50连接在底座10上，冷却风扇50朝向半导体激光单元30进行吹风，电源60通过导线连接半导体激光单元30。本实施例的激光勘查装置的半导体激光单元30的阵列发出激光束，形成阵列的激光束发射到汇聚反射镜40的反射镜面41上,每一单独的激光束发射到抛物面反射镜42进行反射，并且汇聚到进光口 21处，并经过设置在进光口 21处的散射片进行混合，混合后通过出光口 22的调焦透镜部件20对发射光束的发射角度进行调节形成适合现场勘查用的发射光束。本实施例用于在刑侦现场勘查的激光勘查装置具有以下优点:第一:与传统光源例如LED光源、卤素灯光源相比:本实施例米用激光技术、发射的激光具有极窄的发射带宽、一方面在特定激发波长内形成高亮度满足痕迹荧光激发的要求、另一方面利用激光发射波普窄的特点降低发射光束的能量、满足保护生物质DNA的要求、例如常用405nm激发波长、激光光源发射光束的能量集中在405nm激发波长范围内、而在其他非激发波长上分布的能量极小、在同等荧光激发强度的情况下激光光源发射的激光束能量只是传统光源发射的激发光束的1/10、有利于保护DNA、有效实现生物质痕迹勘查的要求。第二:与传统的单一激光器光源相比:由于激光是一种相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光勘查装置，发射用于现场勘查的光束，其特征在于，包括：多个半导体激光单元(30)，以阵列方式设置在底座(10)上；汇聚反射镜(40)，设置在半导体激光单元阵列上方以反射所述多个半导体激光单元(30)发射的激光汇聚到出光口(22)以形成出射光束；和调焦透镜部件(20)，设置在所述出光口(22)，调焦透镜部件(20)用于对所述出射光束进行调节。

【技术特征摘要】
1.一种激光勘查装置，发射用于现场勘查的光束，其特征在于，包括: 多个半导体激光单元(30)，以阵列方式设置在底座(10)上； 汇聚反射镜(40)，设置在半导体激光单元阵列上方以反射所述多个半导体激光单元(30)发射的激光汇聚到出光口(22)以形成出射光束；和 调焦透镜部件(20)，设置在所述出光口(22)，调焦透镜部件(20)用于对所述出射光束进行调节。2.根据权利要求1所述的激光勘查装置，其特征在于， 所述底座(10)具有按阵列分布的安装槽，所述半导体激光单元(30)设置在所述安装槽内； 所述半导体激光单元(30)包括:半导体激光管(301)和套设在所述半导体激光管(301)上的准直透镜(302)。3.根据权利要求1或2所述的激光勘查装置，其特征在于， 所述汇聚反射镜(40)朝向所述半导体激光单元(30)的一面为反射镜面(41)，所述反射镜面(41)呈阶梯状，所述反射镜面(41)每个阶梯面上均设置有多个抛物面反射镜(42)，所述抛物面反射镜(42)的数量与所述半导体激光单元(30)的数量相同，并且每个所述抛物面反射镜(42)与每个所述半导体激光单元(30)的位置一一对应以反射所述半导体激光单元(30)发射的激光。4.根据权利要求3所述的激光勘查装置，其特征在于，所述抛物面反射镜(42)的形状计算公式为:Y2 = 2ΡΧ;其中， P为抛物面系数,范围是IOOmm至IOOmm之间； X为所述抛物面凹陷部分的半径； Y为所述抛物面凹陷部分的深度。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李阳，杨洋，
申请(专利权)人：李阳，杨洋，
类型：发明
国别省市：北京;11