栅极结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种栅极结构及其制造方法，通过形成不同厚度的阶梯呈横向延伸的阶梯状栅极介质层，通过改变横向上栅极介质层的厚度来改变阈值电压，从而可以解决由于栅极尺寸减小而带来的短沟道效应等一系列问题，同时避免了现有技术中直接向栅极横向的不同部分注入了离子时带来的栅极介质层的损伤，从而避免了栅极介质层损伤带来的漏电流等问题，提高了器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种。
技术介绍
当栅极的长度减小到与沟道的深度在一个数量级的时候，就会产生短沟道效应(short channel effect)。阈值电压漂移,漏电流增大。研究表明采用双栅极(dual gate)结构，可以屏蔽漏极电压，从而有效的克服短沟道效应。所谓双栅极结构，就是用具有不同功函数的材料作为栅极，在接近源极和漏极的沟道上得到不同的阈值电压(Vth)。请参考图1所示，现有技术中的一种具有横向调制栅极功函数的后栅极制造工艺，利用层间介质(ILD dielectric)作为硬掩膜层(hard mask),用倾斜角度的离子注入在栅极的不同部分产生不同的功函数，形成一种双栅极结构，从而改变阈值电压(Vth)。具体制造过程包括:首先，提供一半导体基底10，在半导体基底10的上方形成虚拟栅极(未图示)，在虚拟栅极相对两侧的半导体基底10中进行一离子植入工序，以形成一源极掺杂区22和一漏极掺杂区24。接着，形成覆盖源极掺杂区22、漏极掺杂区24的层间介质层30，移除虚拟栅极，并在虚拟栅极的位置形成一金属栅极12，金属栅极12可以利用银、铝、铜、铬、镍、碳、锗、钴、钼、或钨等金属来制作，金属栅极12包含钛。金属栅极12具有一第一侧壁14和一第二侧壁16，所述第一侧壁14和第二侧壁16相对，在金属栅极12金属栅极12可以分为一靠所述源极掺杂区22的源极侧26以及一靠所述漏极掺杂区24的漏极侧28。然后，以层间介质层30为掩膜层进行一植入工序，将氮植入金属栅极12中，植入氮之后，金属栅极12的源极侧26具有一第一氮浓度Cl ;金属栅极12的漏极侧28具有一第二氮浓度C2，第一氮浓度Cl较第二氮浓度C2高，由此金属栅极12具有适合的横向调制功函数。上述栅极工艺形成的栅极结构虽然在栅极的不同部分产生了不同的功函数，但是由于氮离子注入工艺很容易对栅极底部的栅极介质层(gate dielectric，未图示)造成损伤，有可能增大漏电流，影响器件的性能。因此，需要一种新的，以避免部分上述缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，能够避免损伤栅极介质层的损伤。为解决上述问题，本专利技术提出一种栅极结构的制造方法，包括:提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成虚拟栅极结构以及围绕在所述虚拟栅极结构侧壁的侧墙，所述虚拟栅极结构包括虚拟栅极以及虚拟栅极与半导体衬底之间的栅极介质层；形成覆盖于所述半导体衬底未被虚拟栅极结构和侧墙覆盖表面的层间介质层，移除所述虚拟栅极以形成暴露栅极介质层的沟槽；刻蚀所述栅极介质层以形成不同厚度的阶梯呈横向延伸的阶梯状栅极介质层；在所述沟槽中依次填充高K介质层和金属栅极。进一步的，刻蚀所述栅极介质层以形成不同厚度的阶梯呈横向延伸的阶梯状栅极介质层的步骤包括:对所述栅极介质层进行倾斜角度离子注入，在所述栅极介质层横向上的不同部分掺杂不同浓度的离子；对所述栅极介质层进行湿法腐蚀，形成不同厚度的阶梯状栅极介质层。进一步的，所述倾斜角度离子注入的注入离子为Ar，能量IKeV?lOKeV。进一步的，所述倾斜角度离子注入在所述栅极介质层的单侧进行，通过单次、单角度或多次、多角度方法调节栅极介质层横向上的不同部分的离子掺杂浓度。进一步的，所述倾斜角度离子注入在所述栅极介质层的双侧进行，通过多次、多角度方法调节栅极介质层横向上的不同部分的离子掺杂浓度。进一步的，所述阶梯状栅极介质层的两侧阶梯呈轴对称或者非轴对称，阶梯均匀分布或不均匀分布，阶梯厚度相等或不相等。本专利技术还提供一种栅极结构，包括:不同厚度的阶梯呈横向延伸的阶梯状栅极介质层，覆盖在所述阶梯状栅极介质层上方的高K介质层和金属栅极层。进一步的，所述阶梯状栅极介质层的两侧阶梯呈轴对称或者非轴对称，阶梯均匀分布或不均匀分布，阶梯厚度相等或不相等。进一步的，所述阶梯状栅极介质层的阶梯厚度递增或递减。进一步的，所述阶梯状栅极介质层中心轴两侧的阶梯，单侧阶梯厚度均递增或递减，中心轴处的阶梯为最大厚度或最小厚度。与现有技术相比，本专利技术提供的，通过形成不同厚度的阶梯呈横向延伸的阶梯状栅极介质层，通过改变横向上栅极介质层的厚度来改变阈值电压，从而可以解决由于栅极尺寸减小而带来的短沟道效应等一系列问题，同时避免了现有技术中直接向栅极横向的不同部分注入了离子而带来的栅极介质层的损伤，从而避免了栅极介质层损伤带来的漏电流等问题，提高了器件性能。【附图说明】图1是现有技术中的一种双栅极结构的剖面结构示意图；图2是本专利技术具体实施例的栅极结构制造方法流程图；图3A至3D是图2所示的方法流程中的器件结构剖面示意图。【具体实施方式】为使本专利技术的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】作进一步的说明，然而，本专利技术可以用不同的形式实现，不应认为只是局限在所述的实施例。请参考图2，本专利技术提出一种栅极结构的制造方法，包括:SI，提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成虚拟栅极结构以及围绕在所述虚拟栅极结构侧壁的侧墙，所述虚拟栅极结构包括虚拟栅极以及虚拟栅极与半导体衬底之间的栅极介质层；S2，形成覆盖于所述半导体衬底未被虚拟栅极结构和侧墙覆盖表面的层间介质层，移除所述虚拟栅极以形成暴露栅极介质层的沟槽；S3，刻蚀所述栅极介质层以形成不同厚度的阶梯呈横向延伸的阶梯状栅极介质层；S4,在所述沟槽中依次填充高K介质层和金属栅极。请参考图3A，在步骤SI中，提供一半导体衬底100，在所述半导体衬底100上依次沉积二氧化硅和多晶硅层，光刻、刻蚀所述二氧化硅层和多晶硅层，形成由二氧化硅做栅极介质层、多晶硅做栅极的虚拟栅极结构，所述虚拟栅极结构包括虚拟栅极102以及虚拟栅极102与半导体衬底100之间的栅极介质层101 ;接着，在形成虚拟栅极结构的器件表面沉积侧墙介质，刻蚀所述侧墙介质以形成围绕在所述虚拟栅极结构侧壁的侧墙103。请参考图3B，在步骤S2中，首先，在形成侧墙的器件表面沉积层间介质层，化学机械平坦化所述中间介质层直至暴露出虚拟栅极102的顶部，所述层间介质层包括依次沉积的氮化硅层104和氧化硅层105，在本专利技术的其他实施例中，所述中间介质层包括依次沉积的氧化硅层(O)、氮化硅层(N)和氧化硅层(O)。然后，通过干法刻蚀或者湿法腐蚀工艺移除虚拟栅极，暴露出底部的栅极介质层101，形成沟槽。请参考图3B、3C，在步骤S3中，刻蚀所述栅极介质层101以形成不同厚度的阶梯呈横向延伸的阶梯状栅极介质层101a，具体过程包括:首先，以层间介质层为掩膜，对所述栅极介质层101进行倾斜角度离子106注入(ion-bombardment-enhanced etching, IBEE)),在所述栅极介质层101横向上的不同部分掺杂不同浓度的离子，本实施例中，在所述栅极介质层101的单侧进行了两次倾斜角度离子注入，注入离子为Ar，能量IKeV-1OKeV ；接着，采用HF/HC1腐蚀液对所述栅极介质层101进行湿法腐蚀，由于栅极介质层101横向上的不同部分掺杂不同浓度的离子，所以栅极介质层101横向上的湿法腐蚀速率不同，由此可以形成不同厚度的阶梯状栅极介质层101a，本实施例中，所述阶梯状栅极介质层的阶梯厚度递增，阶梯厚度不相等。在本专利技术的其他实施例中，还本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种栅极结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成虚拟栅极结构以及围绕在所述虚拟栅极结构侧壁的侧墙，所述虚拟栅极结构包括虚拟栅极以及虚拟栅极与半导体衬底之间的栅极介质层；形成覆盖于所述半导体衬底未被虚拟栅极结构和侧墙覆盖表面的层间介质层，移除所述虚拟栅极以形成暴露栅极介质层的沟槽；刻蚀所述栅极介质层以形成不同厚度的阶梯呈横向延伸的阶梯状栅极介质层；在所述沟槽中依次填充高K介质层和金属栅极。

【技术特征摘要】
1.一种栅极结构的制造方法，其特征在于，包括: 提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成虚拟栅极结构以及围绕在所述虚拟栅极结构侧壁的侧墙，所述虚拟栅极结构包括虚拟栅极以及虚拟栅极与半导体衬底之间的栅极介质层； 形成覆盖于所述半导体衬底未被虚拟栅极结构和侧墙覆盖表面的层间介质层，移除所述虚拟栅极以形成暴露栅极介质层的沟槽； 刻蚀所述栅极介质层以形成不同厚度的阶梯呈横向延伸的阶梯状栅极介质层； 在所述沟槽中依次填充高K介质层和金属栅极。2.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其特征在于，刻蚀所述栅极介质层以形成不同厚度的阶梯呈横向延伸的阶梯状栅极介质层的步骤包括: 对所述栅极介质层进行倾斜角度离子注入，在所述栅极介质层横向上的不同部分掺杂不同浓度的离子； 对所述栅极介质层进行湿法腐蚀，形成不同厚度的阶梯状栅极介质层。3.如权利要求2所述的栅极结构的制造方法，其特征在于，所述倾斜角度离子注入的注入离子为Ar，能量IKeV~lOKeV。4.如权利要求1至 3中任一项所述的栅极结构的制造方法，其特征在于，所述倾斜角度离子注入在所述栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍宇，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31