一种干蚀刻设备及方法技术

本发明专利技术公开了一种干蚀刻设备，其包括：蚀刻腔体以及设在所述蚀刻腔体底部的抽气系统。其中，抽气系统包括：具有若干抽气口和排气口的抽气通道、抽气机、对应安装在各个抽气口上的可控阀。本发明专利技术还公开了一种干蚀刻方法，其包括以下步骤：将待蚀刻工件放入蚀刻腔体内的基台上；根据所要进行的工序选择抽气方式，其中所述抽气方式包括循环工作模式和非循环工作模式；在按照所述循环工作模式或非循环工作模式进行抽气的同时进行干蚀刻加工工序。根据本发明专利技术设计的干蚀刻设备，可以进一步改善干蚀刻制程均一性，提升阵列基板的制造均一性，从而提升产品品质及良品率，减小制程均一性对产品设计的限制，提升产品设计空间。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种干蚀刻设备，其包括：蚀刻腔体以及设在所述蚀刻腔体底部的抽气系统。其中，抽气系统包括：具有若干抽气口和排气口的抽气通道、抽气机、对应安装在各个抽气口上的可控阀。本专利技术还公开了一种干蚀刻方法，其包括以下步骤：将待蚀刻工件放入蚀刻腔体内的基台上；根据所要进行的工序选择抽气方式，其中所述抽气方式包括循环工作模式和非循环工作模式；在按照所述循环工作模式或非循环工作模式进行抽气的同时进行干蚀刻加工工序。根据本专利技术设计的干蚀刻设备，可以进一步改善干蚀刻制程均一性，提升阵列基板的制造均一性，从而提升产品品质及良品率，减小制程均一性对产品设计的限制，提升产品设计空间。【专利说明】
本专利技术涉及半导体加工领域，具体说涉及。
技术介绍
随着信息社会的发展，人们对显示设备的需求得到了增长，因而也推动了液晶面板行业的快速发展，面板的产量不断提升。蚀刻工艺是制造薄膜晶体管液晶显示装置(ThinFirm Transistor LiquidCrystal Display,简称为TFT-LCD)阵列基板过程中的一个重要步骤。蚀刻工艺根据蚀刻剂的物理状态分为干蚀刻工艺和湿蚀刻工艺，即干蚀刻工艺为利用蚀刻气体进行蚀刻的工艺，湿蚀刻工艺为利用蚀刻液体进行蚀刻的工艺。在利用干蚀刻工艺进行TFT-1XD加工制造的过程中，理想状态下蚀刻气体是在进气系统的吹力、抽气系统的吸力、电极板之间的电压等因素的作用下以完全垂直于待加工基板面的方向吹向待加工基板面。在整个加工过程中，保证蚀刻气体的气压、气流的稳定从而保证整个加工过程中待加工基板面每个部分接触到的蚀刻气体的量是相等的，从而保证待加工基板各部分以相同的速率被处理，保证待加工基板各部分在加工过程中的加工均一性。但是由于蚀刻腔体内部设计结构以及排气系统设计等因素导致在实际操作中蚀刻气体的流向并不是完全垂直于待加工基板面并且流经待加工基板面的各个部分的蚀刻气体流速不完全相同。其结果就是在整个蚀刻加工过程中吹向待加工基板各个部分的蚀刻气体的量并不完全相同。从而导 致待加工基板各个部分的蚀刻程度不同，不能很好地保证待加工基板的各部分的加工均一性。但是随着社会的发展进步，人们对显示设备的需求不断增长，人们对液晶面板的品质也有了更闻要求。为了追求更闻的液晶面板品质以及液晶面板生广的良品率。对液晶面板加工过程中待加工基板的各部分的加工均一性就有了更高的要求。同时对于使用干蚀刻工艺用于加工其他基板的干蚀刻设备，对其制程均一性的要求也在不断提高。因此，为了更好的保证加工过程中待加工基板的不同位置的制程均一性，需要一种新的用于干蚀刻加工工艺的装置及方法。
技术实现思路
针对现有技术中干蚀刻加工制程均一性不够高的问题，本专利技术提供了一种干蚀刻设备，包括:蚀刻腔体，其包括基台以放置待蚀刻工件；设在所述蚀刻腔体底部的抽气系统，以控制所述蚀刻腔体内部的气流运动，其中，所述抽气系统包括:抽气通道，其具有若干抽气口和排气口，所述抽气口通过所述腔体底部的开口伸入到所述腔体中；抽气机，其设置在所述抽气通道内并靠近所述排气口 ；可控阀，其对应安装在各个抽气口上，且被配置成根据设定参数打开/关闭；其中，所述抽气系统具有循环工作模式和非循环工作模式，其中，在所述循环工作模式下，所述可控阀依次打开/关闭一定时间间隔，从而控制所述腔体内蚀刻气体的流向，使得在特定工序下流过所述待蚀刻工件的不同位置的蚀刻气体的平均接触密度一致。在一个实施例中，在所述非循环工作模式下，所述可控阀全部打开进行抽气。在一个实施例中，在所述循环工作模式下，所述可控阀经控制逐渐改变所述腔体内蚀刻气体的流向，从而保持所述蚀刻腔体内部气流稳定。在一个实施例中，在所述循环工作模式下，所述可控阀经控制使所述抽气系统在单位时间内以恒定的抽气总量抽气，从而保持所述蚀刻腔体内部气压不变。在一个实施例中，在所述循环工作模式下，所述可控阀打开/关闭的时间间隔由所述特定工序的加工时间决定。在一个实施例中，所述抽气口的数量及位置由干蚀刻设备电极形状、基台形状、待加工工件的待加工面形状中的至少一个决定。在一个实施例中，所述抽气口位于所述蚀刻腔体底部，且以相等间距排布在所述基台的周围。在一个实施例中，在所述循环工作模式下，相邻位置上的所述可控阀经控制交替打开/关闭，从而缓慢改变所述腔体内蚀刻气体的流向。在一个实施例中，在所述循环工作模式下，所述可控阀经控制使得处于打开过程的可控阀处的单位时间内 抽气量增加量与处于关闭过程的可控阀处的单位时间内抽气量减小量相等，从而保持所述抽气通道单位时间内抽气总量不变。在一个实施例中，在所述循环工作模式下，所述可控阀经控制使得处于打开过程的可控阀的打开程度与处于关闭过程的可控阀的关闭程度相等。本专利技术还提供了一种对工件进行干蚀刻的方法，包括以下步骤:将待蚀刻工件放入蚀刻腔体内的基台上；根据所要进行的工序选择抽气方式，其中所述抽气方式包括循环工作模式和非循环工作模式；如果为循环工作模式，则根据设定参数控制可控阀的打开/关闭，从而控制所述蚀刻气体的流向，使得在特定工序下所述待蚀刻工件的不同位置与流过的蚀刻气体的平均接触密度趋于一致；在所述循环工作模式或非循环工作模式下进行抽气的同时进行干蚀刻加工工序。在一个实施例中，干蚀刻设备的抽气系统在干蚀刻设备进行蚀刻加工主工序时进入循环工作模式。与现有技术相比，本专利技术具有如下优点:根据本专利技术设计的干蚀刻设备，可以进一步改善干蚀刻制程均一性，提升阵列基板的制造均一性，从而提升产品品质及良品率。根据本专利技术设计的干蚀刻设备进一步减小了制程均一性对产品设计的限制，提升了产品设计空间。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的步骤来实现和获得。【专利附图】【附图说明】附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例共同用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中:图1是现有技术中干蚀刻设备的结构框图；图2和图3是采用本专利技术一实施例的干蚀刻设备的结构框图；图4是采用本专利技术一实施例的干蚀刻设备的俯视结构示意图；图5a和图5b是分别采用本专利技术实施例的干蚀刻设备的俯视结构示意图；图6是根据本专利技术的抽气系统抽气口形状示意图；图7是根据本专利技术一实施例的干蚀刻设备的抽气系统运作流程示意图；图8是根据本专利技术一实施例的干蚀刻设备的抽气系统运作流程图；图9是根据本专利技术一实施例的干蚀刻设备运作流程示意图；图10是根据 本专利技术一实施例的干蚀刻设备运作流程示意图。【具体实施方式】以下将结合附图及实施例来详细说明本专利技术的实施方式，借此对本专利技术如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本专利技术中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本专利技术的保护范围之内。在电子设备的集成电路制造过程中，常需要在工件表面将整个电路图案定义出来。其制造程序通常是先在待加工工件的待加工面上盖上一层薄膜，再利用微影技术在这层薄膜上以光阻定义出电路图案，再利用化学或物理方式将不需要的部分去除，此种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种干蚀刻设备，其特征在于，所述设备包括：蚀刻腔体，其包括基台以放置待蚀刻工件；设在所述蚀刻腔体底部的抽气系统，以控制所述蚀刻腔体内部的气流运动，其中，所述抽气系统包括：抽气通道，其具有若干抽气口和排气口，所述抽气口通过所述腔体底部的开口伸入到所述腔体中；抽气机，其设置在所述抽气通道内并靠近所述排气口；可控阀，其对应安装在各个抽气口上，且被配置成根据设定参数打开/关闭；其中，所述抽气系统具有循环工作模式和非循环工作模式，其中，在所述循环工作模式下，所述可控阀依次打开/关闭一定时间间隔，从而控制所述腔体内蚀刻气体的流向，使得在特定工序下流过所述待蚀刻工件的不同位置的蚀刻气体的平均接触密度一致。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：柴立，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44