OLED显示结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种OLED显示结构及其制作方法，该OLED显示结构包括：基板(100)、位于基板(100)上的OC层(1)及位于该OC层(1)上的微共振腔(2)；所述OC层(1)远离基板(100)的上表面(11)呈波浪形起伏状，具有凸起的波峰部(111)及与波峰部(111)平滑连接的凹陷的波谷部(113)，所述微共振腔(2)呈与所述OC层(1)的上表面(11)一致的波浪形起伏状，以消除发光强度和色彩具有方向性的问题，实现宽视角显示。

【技术实现步骤摘要】
OLED显示结构及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种全彩化OLED显示结构及其制作方法。
技术介绍
在显示
，平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)与有机发光二极管显示器(OrganicLightEmittingDiode，OLED)等平板显示技术已经逐步取代CRT显示器。其中，OLED具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全彩显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED通常包括：基板、置于基板上的ITO透明阳极、置于ITO透明阳极上的空穴注入层(HIL)、置于空穴注入层上的空穴传输层(HTL)、置于空穴传输层上的发光层(EML)、置于发光层上的电子传输层(ETL)、置于电子传输层上的电子注入层(EIL)以及置于电子注入层上的阴极。为了提高效率，发光层通常采用主/客体掺杂系统。目前，OLED的制作方法是将有机材料以真空热蒸镀法成膜于ITO阳极层上，再将金属阴极以热蒸镀或溅镀的方式沉积上去。OLED全彩化显示是OLED技术的主要发展趋势。现在提出的OLED全彩化显示技术包括RGB像素并置法、色转换法、彩色滤光片法、微共振腔法和多层堆栈法五种。其中，应用微共振腔法实现OLED全彩化显示技术具有发光效率高、色纯度高、适合于大面积生产等优点。利用微共振腔效应，使具有某特定波长的光得到增强，而其它部分的光被削弱。微共振腔法利用微共振腔的发光特性由其光学长度决定，并与每层材料的厚度、折射率有关。目前应用较多的微共振腔多为平坦型结构，其发光强度和色彩具有较强的方向性，不利于实现宽视角显示。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED显示结构，能够实现全彩化和宽视角显示。本专利技术的另一目的在于提供一种OLED显示结构的制作方法，该方法简便易实现，通过该发法制得的OLED显示结构能够进行全彩化和宽视角显示，且该方法能够简化生产工艺，有助于促进OLED大世代线生产。为实现上述目的，本专利技术首先提供一种OLED显示结构，包括：基板、位于基板上的OC层及位于该OC层上的微共振腔；所述OC层远离基板的上表面呈波浪形起伏状，具有凸起的波峰部及与波峰部平滑连接的凹陷的波谷部，所述微共振腔呈与所述OC层的上表面一致的波浪形起伏状，以消除发光强度和色彩具有方向性的问题，实现宽视角显示。所述微共振腔包括位于所述上表面上的发射层、位于发射层上的缓冲层、位于缓冲层上的电极层、位于电极层上的白光有机层及位于白光有机层上的半反半透层，所述发射层、缓冲层、电极层、白光有机层与半反半透层均呈与所述OC层的上表面一致的波浪形起伏状，以消除发光强度和色彩具有方向性的问题，实现宽视角显示。所述缓冲层对应R、G、B不同颜色的子像素具有不同的厚度，以调整所述微共振腔的腔长，实现全彩化显示；所述发射层的材质为Ag；所述缓冲层的材质为SiNx；所述电极层的材质为ITO；所述半反半透层的材质为MgAg。两相邻所述波峰部最高点的距离为8um，所述波峰部最高点与波谷部最低点的距离为1.6～1.8um。所述缓冲层的折射率等于电极层的折射率。所述微共振腔对应R、G、B不同颜色子像素的腔长分别为红光、绿光、蓝光半波长的整数倍。所述白光有机层包括白光空穴注入层、白光空穴传输层、白光发光层、白光电子传输层、及白光电子注入层。本专利技术还提供一种OLED显示结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1、提供一基板；步骤2、在基板上形成OC层，并对OC层进行曝光、显影，使其形成呈波浪形起伏状的上表面，该上表面具有凸起的波峰部及与波峰部平滑连接的凹陷的波谷部；步骤3、在OC层的上表面上形成与该上表面形状一致的发射层；步骤4、在发射层上形成一定厚度H1的缓冲层，该厚度H1等于对应R像素微共振腔的腔长所需的缓冲层厚度；步骤5、在缓冲层上涂覆光刻胶，并进行曝光、显影形成光阻图形，将B像素对应的光阻图形全部显影掉，将G像素对应的光阻图形显影成HalfTone结构，将R像素对应的光阻图形全部保留；步骤6、通过干法蚀刻去除没有光阻图形保护的B像素对应的缓冲层，形成对应B像素微共振腔的腔长；步骤7、通过干蚀刻法烧蚀去除G像素对应的HalfTone结构的光阻图形；步骤8、通过干法蚀刻G像素对应的没有光阻图形保护的部分缓冲层，使该缓冲层保留至一定厚度H2，该厚度H2等于对应G像素微共振腔的腔长所需的缓冲层厚度；步骤9、去除R像素对应的光阻图形，露出R像素对应的缓冲层；步骤10、在阶梯状的缓冲层上形成电极层；步骤11、在电极层上依次形成白光有机层与半反半透层。所述步骤4中，缓冲层通过CVD法沉积形成在发射层上；所述发射层的材质为Ag；所述缓冲层的材质为SiNx；所述电极层的材质为ITO；所述半反半透层的材质为MgAg；所述白光有机层包括白光空穴注入层、白光空穴传输层、白光发光层、白光电子传输层、白光电子注入层；所述缓冲层的折射率等于电极层的折射率。所述步骤2中两相邻波峰部最高点的距离L1为8um，所述波峰部最高点与波谷部最低点的距离L2为1.6～1.8um；所述对应R像素微共振腔的腔长、对应B像素微共振腔的腔长与对应G像素微共振腔的腔长分别为红光、蓝光、绿光半波长的整数倍。本专利技术的有益效果：本专利技术的OLED显示结构，通过将OC层及微共振腔各组成层设置为波浪形起伏状，能够消除发光强度和色彩具有方向性的问题，实现宽视角显示；通过设置缓冲层对应R、G、B不同颜色的像素具有不同的厚度，以调整所述微共振腔的腔长分别为红光、绿光、蓝光半波长的整数倍，实现全彩化显示；本专利技术的OLED显示结构的制作方法，通过在波浪形起伏状的OC层上形成同样呈波浪形起伏状的微共振腔，并形成具有不同厚度的阶梯状的缓冲层，使得由该发法制得的OLED显示结构能够进行全彩化和宽视角显示，且该方法简便易实现，能够简化生产工艺，有助于促进OLED大世代线生产。附图说明为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为本专利技术OLED显示结构的示意图；图2为本专利技术OLED显示结构的制作方法的流程图；图3为本专利技术OLED显示结构的制作方法的步骤5的放大示意图；图4为本专利技术OLED显示结构的制作方法的步骤6的放大示意图；图5为本专利技术OLED显示结构的制作方法的步骤7的放大示意图；图6为本专利技术OLED显示结构的制作方法的步骤8的放大示意图；图7为本专利技术OLED显示结构的制作方法的步骤9的放大示意图；图8为本专利技术OLED显示结构的制作方法的步骤10的放大示意图。具体实施方式下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。请参阅图1,同时参阅图8，本专利技术首先提供一种OLED显示结构，包括：基板100、位于基板100上的OC(OverCoat，绝缘覆盖)层1及位于该OC层1上的微共振腔2。所述OC层1远离基板100的上表面11呈波浪形起伏状，具有凸起的波峰部111及与波峰部111平滑连接的凹陷的波谷部113。所述微共本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED显示结构，其特征在于，包括：基板(100)、位于基板(100)上的OC层(1)及位于该OC层(1)上的微共振腔(2)；所述OC层(1)远离基板(100)的上表面(11)呈波浪形起伏状，具有凸起的波峰部(111)及与波峰部(111)平滑连接的凹陷的波谷部(113)，所述微共振腔(2)呈与所述OC层(1)的上表面(11)一致的波浪形起伏状，以消除发光强度和色彩具有方向性的问题，实现宽视角显示。

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示结构，其特征在于，包括：基板(100)、位于基板(100)上的绝缘覆盖层(1)及位于该绝缘覆盖层(1)上的微共振腔(2)；所述绝缘覆盖层(1)远离基板(100)的上表面(11)呈波浪形起伏状，具有凸起的波峰部(111)及与波峰部(111)平滑连接的凹陷的波谷部(113)，所述微共振腔(2)呈与所述绝缘覆盖层(1)的上表面(11)一致的波浪形起伏状，以消除发光强度和色彩具有方向性的问题，实现宽视角显示；所述微共振腔(2)包括位于所述上表面(11)上的发射层(21)、位于发射层(21)上的缓冲层(22)、位于缓冲层(22)上的电极层(23)、位于电极层(23)上的白光有机层(24)及位于白光有机层(24)上的半反半透层(25)，所述发射层(21)、缓冲层(22)、电极层(23)、白光有机层(24)与半反半透层(25)均呈与所述绝缘覆盖层(1)的上表面(11)一致的波浪形起伏状，以消除发光强度和色彩具有方向性的问题，实现宽视角显示。2.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，所述缓冲层(22)对应R、G、B不同颜色的子像素具有不同的厚度，以调整所述微共振腔(2)的腔长，实现全彩化显示；所述发射层(21)的材质为Ag；所述缓冲层(22)的材质为SiNx；所述电极层(23)的材质为ITO；所述半反半透层(25)的材质为MgAg。3.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，两相邻所述波峰部(111)最高点的距离(L1)为8um，所述波峰部(111)最高点与波谷部(113)最低点的距离(L2)为1.6～1.8um。4.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，所述缓冲层(22)的折射率等于电极层(23)的折射率。5.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，所述微共振腔(2)对应R、G、B不同颜色子像素的腔长分别为红光、绿光、蓝光半波长的整数倍。6.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，所述白光有机层(24)包括白光空穴注入层、白光空穴传输层、白光发光层、白光电子传输层、及白光电子注入层。7.一种OLED显示结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(100)；步骤2、在基板(10...

【专利技术属性】
技术研发人员：易志根，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44