切割芯片接合膜和用于在该切割芯片接合膜上形成切口的方法技术

本文公开了能够防止粘合剂层从环形框架分离以改善可加工性的切割芯片接合膜。更具体地，该切割芯片接合膜具有在将粘贴到环形框架的粘合剂层区域中形成的凹槽，以使得在半导体制造工艺中提供的水和/或空气能够通过该凹槽排出，从而防止环形框架的粘附性的劣化，以及粘合剂层从该环形框架分离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及能够防止粘合剂层从环形框架分离以改善可加工性的切割芯片接合膜。更具体地，本专利技术涉及一种非-UV型切割芯片接合膜，其具有在将粘贴到环形框架的粘合剂层区域中形成的凹槽，以使得在半导体制造工艺中提供的水和/或空气能够通过该凹槽排出，从而防止对环形框架粘附性的劣化，以及粘合剂层从该环形框架分离。
技术介绍
用于半导体制造工艺的切割芯片接合膜可分为需要UV暴露的UV型膜和排除UV暴露的非-UV型膜。UV型膜在光固化之前表现出优异的粘附性，因此提供了优异的切割可加工性。然而，UV型膜需要UV暴露，以在切割过程后进行拾取过程，从而使得制造工艺复杂化。在半导体封装的制造中，在拾取过程之前进行的UV暴露过程花费较长时间并且会显著影响半导体封装生产率的改善。另外，在UV暴露过程中UV辐照器故障的情况下，布置在一个组(lot)中的一些晶圆接收到不足的UV能量，从而导致拾取失败，使得锯开的半导体芯片在拾取过程中不能从 切割膜层(粘合剂层)分离。为了解决这样的问题，需要一种能够拾取过程之前排除UV暴露的非-UV型膜。然而，由于粘结强度低，该非-UV型膜具有膜的粘合剂层容易地从环形框架分离的问题。
技术实现思路
【技术问题】为了解决这个问题，专利技术人开发了一种能够控制粘合剂层从环形框架分离的非-UV型切割芯片接合膜，其通过在将粘贴到环形框架的粘合剂层区域中形成凹槽，使得切割水能够通过所述凹槽排出，以防止所述切割芯片接合膜渗水。本专利技术的一个方面提供了一种切割芯片接合膜，其包括在将粘贴到所述环形框架的所述粘合剂层区域中的所述凹槽，以防止所述切割芯片接合膜受到切割水的渗水的影响，从而控制所述粘合剂层从所述环状框架分离。【技术方案】本专利技术的一个方面提供了一种切割芯片接合膜，包括:a)基膜；b)堆叠在所述基膜上的粘合剂层；以及c)堆叠在所述粘合剂层上的接合层，其中，所述粘合剂层包括与所述接合层交叠的第一区域和不与所述接合层交叠的第二区域，所述第二区域包括邻近所述第一区域的第三区域和邻近所述第三区域且其中形成有凹槽的第四区域。在一个实施方式中，环形框架粘贴到所述粘合剂层的所述第四区域。在另一个实施方式中，所述凹槽在所述第三区域和所述第四区域之间的界面处具有最闻点。本专利技术的另一方面提供了一种切割芯片接合膜，包括:a)基膜；b)堆叠在所述基膜上的粘合剂层；c)堆叠在所述粘合剂层上的接合层；以及d)堆叠在所述接合层或粘合剂层上的离型膜，其中，所述粘合剂层包括与所述接合层交叠的第一区域和围绕所述第一区域且不与接合层交叠的第二区域，并且其中穿过所述基膜和所述第二区域形成至少一个凹槽。在一个实施方式中，所述凹槽不穿透所述离型膜。在另一个实施方式中，环形框架粘贴到所述第二区域内的部分。在又一个实施方式中，所述凹槽之间的距离在Imm至15mm的范围内。在又一个实施方式中，所述凹槽是通过沿着连接第一点至第三点的线切割所述切割芯片接合膜而形成的，所述第一点至第三点以所述第一点、所述第三点和所述第二点的顺序或以所述第二点、所述第三点和所述第一点的顺序位于所述粘合剂层内的不同位置。这里，所述第一点、所述第二点和所述粘合剂层的中心点没有共线地位于一条直线上；并且，从所述粘合剂层的中心点至所述第一点的距离(a)、从所述粘合剂层的中心点至所述第二点的距离(b)以及从所述粘合剂层的中心点至所述第三点的距离(C)满足以下关系:c〈a且 c〈b。在又一个实施方式中，距离(a)等于距离(b)。在又一个实 施方式中，所述第一点和所述第二点之间的距离在Imm至15mm的范围内。在又一个实施方式中，所述第一点和所述第二点之间延伸的直线到所述第三点的垂直距离在Imm至IOmm的范围内。在又一个实施方式中，凹槽具有选自由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种切割芯片接合膜，包括：a)基膜；b)堆叠在所述基膜上的粘合剂层；以及c)堆叠在所述粘合剂层上的接合层，其中，所述粘合剂层包括与所述接合层交叠的第一区域以及不与所述接合层交叠的第二区域，所述第二区域包括邻近所述第一区域的第三区域以及邻近所述第三区域且其中形成有凹槽的第四区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.27 KR 10-2011-01434551.一种切割芯片接合膜，包括: a)基月旲; b)堆叠在所述基膜上的粘合剂层；以及 c)堆叠在所述粘合剂层上的接合层， 其中，所述粘合剂层包括与所述接合层交叠的第一区域以及不与所述接合层交叠的第二区域，所述第二区域包括邻近所述第一区域的第三区域以及邻近所述第三区域且其中形成有凹槽的第四区域。2.根据权利要求1所述的切割芯片接合膜，其中，环形框架粘贴到所述第四区域。3.根据权利要求1所述的切割芯片接合膜，其中，所述凹槽在所述第三区域和所述第四区域的界面处具有最高点。4.一种切割芯片接合膜,包含: a)基月旲; b)堆叠在所述基膜上的粘合剂层； c)堆叠在所述粘合剂层上的接合层；以及 d)堆叠在所述接合层或所 述粘合剂层上的离型膜， 其中，所述粘合剂层包括与所述接合层交叠的第一区域和围绕所述第一区域且不与所述接合层交叠的第二区域，并且 其中，穿过所述基膜和所述第二区域形成至少一个凹槽。5.根据权利要求4所述的切割芯片接合膜，其中，所述凹槽不穿透所述离型膜。6.根据权利要求4所述的切割芯片接合膜，其中，环形框架被粘贴到所述第二区域内的部分。7.根据权利要求1至6中任一项所述的切割芯片接合膜，其中，所述凹槽之间的距离在Imm至15_的范围内。8.根据权利要求1至6中任一项所述的切...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴白晟，崔裁源，金成旻，金仁焕，李俊雨，任首美，
申请(专利权)人：第一毛织株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR