有机发光二极管显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种有机发光二极管显示装置及其制造方法。所述有机发光二极管显示装置包括：设置在基板上的金属线和薄膜晶体管；设置在所述金属线和所述薄膜晶体管上的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层上并与所述金属线电连接的存储电极；设置在所述存储电极上的第二绝缘层；和设置在所述第二绝缘层上以与所述薄膜晶体管连接的阳极，所述阳极与所述存储电极交叠，并且在所述阳极与所述存储电极之间具有所述第二绝缘层。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示装置及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求2013年2月28日提交的韩国专利申请No.10-2013-0021882的优先权，在此援引该专利申请的全部内容作为参考。
本专利技术涉及一种有机发光二极管（OLED）显示装置及其制造方法，尤其涉及一种具有高分辨率的OLED显示装置及其制造方法。
技术介绍
随着具有轻重量及出色便携性的信息显示装置的发展，信息社会的发展正在加速。作为薄厚度的平板显示装置的代表例，液晶显示（LCD）装置已被商业化并取代了阴极射线管（CRT）显示装置，OLED显示装置作为下一代平板显示装置正引起更多的关注。因为OLED显示装置不使用单独的光源，比如用于LCD装置的背光，所以与LCD装置相比，OLED显示装置具有薄厚度和优良的色再现率，因而可实现锐利图像。此外，OLED显示装置具有宽视角、优良对比度、快速响应时间和低功耗。图1是图解现有技术的OLED显示装置的一部分的剖面图。如图1中所示，现有技术的OLED显示装置包括基板110、薄膜晶体管Tr、第一存储电极122、第二存储电极133、平坦化层140、阳极150和堤层160。首先，在基板110上形成薄膜晶体管Tr。薄膜晶体管Tr包括半导体层111、第一栅极绝缘层120、栅极121、第二栅极绝缘层130、源极131和漏极132。在基板110上依次形成半导体层111和第一栅极绝缘层120，在半导体层111上形成栅极121。第一存储电极122和栅极121同时形成在第一栅极绝缘层120上，即形成在同一层上。在栅极121上形成与栅极121绝缘的第二栅极绝缘层130。在第一和第二栅极绝缘层120和130中形成多个接触孔，以部分地暴露半导体层111，然后分别与半导体层111的暴露部分连接的源极131和漏极132形成在第二栅极绝缘层130上，即形成在同一层上。此外，与源极131和漏极132同时地在与第一存储电极122对应的区域中形成第二存储电极133。随后，形成与漏极132连接的阳极150，并形成用于限定阳极150与有机发光层（未示出）之间的接触区域（即发光区域）的堤层160。在这种情形中，与栅极121同时形成的第一存储电极122以及与源极131及漏极132同时形成的第二存储电极133产生电容，由此使有机发光层在一帧期间能够保持发光状态。然而，可通过掺杂半导体层111取代第一存储电极122。此外，上述例子使用顶栅型，但不管薄膜晶体管Tr是何种类型，比如底栅型或双栅型，都可以以相同方式形成存储电极Cst。因为现有技术的OLED显示装置的存储电极Cst全都与薄膜晶体管Tr的一些元件同时形成，所以存储电极Cst被限制性地仅形成在像素区域中的没有形成薄膜晶体管Tr的区域中。在这种情形中，由于薄膜晶体管Tr降低了存储电极Cst的设计自由度。此外，存储电极Cst应形成为具有特定面积或更大面积，以产生在一帧期间保持有机发光层的发光状态的特定电容。因此，为了形成占据特定面积或更大面积的（设计自由度受限的）存储电极Cst，像素尺寸不可避免地增大，导致分辨率下降。
技术实现思路
因此，本专利技术旨在提供一种基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的OLED显示装置及其制造方法。本专利技术的一个方面旨在提供一种具有减小的像素尺寸和高分辨率的OLED显示装置。在下面的描述中将列出本专利技术的其它优点和特点，这些优点和特点的一部分在研究下面的描述之后对于所属领域普通技术人员来说将是显而易见的，或者可通过本专利技术的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本专利技术的这些目的和其他优点。为了实现这些和其他优点，根据本专利技术的意图，如在此具体化和概括描述的，提供了一种有机发光二极管（OLED）显示装置，包括：设置在基板上的金属线和薄膜晶体管；设置在所述金属线和所述薄膜晶体管上的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层上并与所述金属线电连接的存储电极；设置在所述存储电极上的第二绝缘层；和设置在所述第二绝缘层上以与所述薄膜晶体管连接的阳极，所述阳极与所述存储电极交叠，并且在所述阳极与所述存储电极之间具有所述第二绝缘层。根据本专利技术的另一个方面，提供了一种制造有机发光二极管（OLED）显示装置的方法，包括：在基板上形成金属线和薄膜晶体管；在所述金属线和所述薄膜晶体管上形成第一绝缘层；将所述第一绝缘层图案化，以暴露所述金属线和所述薄膜晶体管；在所述第一绝缘层上形成存储电极，以与所述金属线连接；形成第二绝缘层，以覆盖所述第一绝缘层、所述存储电极和所暴露的薄膜晶体管；将所述第二绝缘层图案化，以暴露所述薄膜晶体管；以及在所述第二绝缘层上形成阳极以与所述薄膜晶体管连接，所述阳极与所述存储电极交叠，并且在所述阳极与所述存储电极之间形成有所述第二绝缘层。根据本专利技术的再一个方面，提供了一种制造有机发光二极管（OLED）显示装置的方法，包括：在基板上形成金属线和薄膜晶体管；在所述金属线和所述薄膜晶体管上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成存储电极；形成第二绝缘层，以覆盖所述第一绝缘层和所述存储电极；将所述第二绝缘层和所述第一绝缘层图案化，以暴露所述金属线、所述存储电极和所述薄膜晶体管；在所述第二绝缘层上形成连线，所述连线连接所暴露的存储电极与所暴露的金属线；以及在所述第二绝缘层上形成阳极以与所暴露的薄膜晶体管连接，所述阳极与所述存储电极交叠，并且在所述阳极与所述存储电极之间具有所述第二绝缘层。应当理解，本专利技术前面的大致描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，意在对要求保护的本专利技术提供进一步的解释。附图说明给本专利技术提供进一步理解并且并入本申请中组成本申请一部分的附图图解了本专利技术的实施方式，并与说明书一起用于说明本专利技术的原理。在附图中：图1是图解现有技术的OLED显示装置的一部分的剖面图；图2是图解根据本专利技术一个实施方式的OLED显示装置的剖面图；图3是图解根据本专利技术另一个实施方式的OLED显示装置的剖面图；图4A到4D是图解根据本专利技术一个实施方式的制造OLED显示装置的方法的剖面图；以及图5A到5D是图解根据本专利技术另一个实施方式的制造OLED显示装置的方法的剖面图。具体实施方式现在将详细描述本专利技术的典型实施方式，附图中图解了这些实施方式的一些例子。尽可能地在整个附图中使用相同的参考标记表示相同或相似的部件。下文将参照附图详细描述本专利技术的实施方式。图2是图解根据本专利技术一个实施方式的OLED显示装置的剖面图。如图2中所示，根据本专利技术一个实施方式的OLED显示装置包括基板210、薄膜晶体管Tr、金属线233、第一绝缘层240、存储电极241、第二绝缘层242、阳极250和堤层260。首先，在基板210上形成薄膜晶体管Tr。薄膜晶体管Tr包括半导体层211、第一栅极绝缘层220、栅极221、第二栅极绝缘层230、源极231和漏极232。尽管在附图中仅示出了与阳极250连接的薄膜晶体管Tr，但除了薄膜晶体管Tr之外，可进一步形成多个薄膜晶体管用于构成补偿电路。为了形成薄膜晶体管Tr，首先，在基板210上依次形成半导体层211和第一栅极绝缘层220。与半导体层211对应地在第一栅极绝缘层220上形成栅极221。在栅极221上形成第二栅极绝缘层230，从而与栅极221绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管（OLED）显示装置，包括：设置在基板上的金属线和薄膜晶体管；设置在所述金属线和所述薄膜晶体管上的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层上并与所述金属线电连接的存储电极；设置在所述存储电极上的第二绝缘层；和设置在所述第二绝缘层上以与所述薄膜晶体管连接的阳极，所述阳极与所述存储电极交叠，并且在所述阳极与所述存储电极之间具有所述第二绝缘层。

【技术特征摘要】
2013.02.28 KR 10-2013-00218821.一种有机发光二极管(OLED)显示装置，包括：设置在基板上的金属线和薄膜晶体管；设置在所述金属线和所述薄膜晶体管上的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层上并与所述金属线电连接的存储电极；设置在所述存储电极上的第二绝缘层；和设置在所述第二绝缘层上以与所述薄膜晶体管连接的阳极，所述阳极与所述存储电极交叠，并且在所述阳极与所述存储电极之间具有所述第二绝缘层，其中所述金属线作为与所述薄膜晶体管的源极、漏极、栅极中的至少一个相同的层的一部分，设置在所述基板上，其中所述存储电极设置为与通过将所述第一绝缘层图案化而局部或全部暴露的所述金属线直接接触，或者通过连线而与所述金属线连接，其中所述连线设置在通过将所述第一绝缘层和所述第二绝缘层图案化而暴露的所述第二绝缘层、所述金属线和所述存储电极上，其中，所述金属线设置在远离所述薄膜晶体管一侧的空间中。2.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其中所述连线至少部分地设置在与所述阳极相同的层中。3.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其中所述第二绝缘层在交叠区域中设置在所述阳极与所述存储电极之间，使得组成所述薄膜晶体管的栅极定位成与所述交叠区域的至少一部分交叠。4.根据权利要求3所述的OLED显示装置，其中所述交叠区域还至少部分地与发光区域交叠。5.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其中所述第二绝缘层设置成完全覆盖所述存储电极。6.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其中所述第二绝缘层设置在所述阳极与所述存储电极之间以产生电容区域，使得所述电容区域与组成所述薄膜晶体管的栅极交叠。7.根据权利要求6所述的OLED显示装置，其中所述第二绝缘层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度。8.一种制造有机发光二极管(OLED)显示装置的方法，包括：在基板上形成金属线和薄膜晶体管；在所述金属线和所述薄膜晶体管上形成第一绝缘层；将所述第一绝缘层图案化，以暴露所述金属线和所述薄膜晶体管；在所述第一绝缘层上形成存储电极，以与所述金属线连接；形成第二绝缘层，以覆盖所述第一绝缘层、所述存储电极和所暴露的薄膜晶体管；将所述第二绝缘层图案化，以暴露所述薄膜晶体管；以及在所述第二绝缘层上形成阳极以与所述薄膜晶体管连接，所述阳极与所述存储电极交叠，并且在所述阳极与所述存储电极之间形成有所述第二绝缘层，其中形成所述金属线包括将所述金属线形成为与所述薄膜晶体管的源极、漏极、栅极中的至少一个相同的层的一部分，其中，所述金属线设置在远离所述薄膜晶体管一侧的空间中。9.根据权利要求8所述的方法，其中将所述第二绝缘层图案化包括：在所述第二绝缘层上形成光刻胶层；去除形成在与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭相贤，赵南旭，李副烈，申阿岚，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR